nand flash 文章進入nand flash技術社區(qū)

Flash的下一站藍海在哪里？

　　物物相聯(lián)，萬物智能的時代漸行漸近，越來越多的設備都將擁有“智慧”，除了處理器、傳感器之外，F(xiàn)lash存儲器也是不可或缺的核心部件之一。　　物聯(lián)網(wǎng)或帶動Flash新需求　　物聯(lián)網(wǎng)的場景很美好，但其中涉及太多的跨品牌、跨平臺、跨設備之間的無線通訊。只有不斷的在通信技術領域全面而迅速的發(fā)展，才能打造出智慧城市，從而實現(xiàn)物聯(lián)網(wǎng)中的互聯(lián)互通。　　NOR Flash應用的另一大重要場景就是網(wǎng)絡通信設備。　　大量的網(wǎng)絡通信產(chǎn)品需要升級換代，以作為搶占客廳入口的路由器為例，因智
關鍵字：物聯(lián)網(wǎng) Flash 處理器

高交會上東芝引領閃存技術走向

　　全球市場研究機構TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange的數(shù)據(jù)表明，東芝2014年會計年度第二季(7月~9月)的NAND Flash營運表現(xiàn)最亮眼，位出貨量季成長25%以上，營收較上季度成長23.7%。　　東芝電子(中國)有限公司董事長兼總經(jīng)理田中基仁在日前的2014年高交會電子展上也透露，2014年東芝在中國的閃存生意非常好，在高交會電子展上展示的存儲技術和產(chǎn)品也是很有分量的，從MLC、MMC到SLC，都可以看到最新的產(chǎn)品，并且東芝的技術動向，也在引領未來閃存的發(fā)展趨勢。
關鍵字：東芝 NAND 閃存 3D 201501

基于Flash和JTAG接口的FPGA多配置系統(tǒng)

　　引言　　針對需要切換多個FPGA配置碼流的場合， Xilinx公司提出了一種名為System ACE的解決方案，它利用CF(Compact Flash)存儲卡來替代配置用PROM，用專門的ACE控制芯片完成CF卡的讀寫，上位機軟件生成專用的ACE文件并下載到CF存儲卡中，上電后通過ACE控制芯片實現(xiàn)不同配置碼流間的切換[1]。　　System ACE的解決方案需要購買CF存儲卡和專用的ACE控制芯片，增加了系統(tǒng)搭建成本和耗費了更多空間，而且該方案只能實現(xiàn)最多8個配置文件的切換，在面對更多個配置
關鍵字： Flash JTAG FPGA

Spansion面向嵌入式市場推出新型工業(yè)級e.MMC NAND閃存產(chǎn)品

　　不久前，Spansion宣布面向嵌入式系統(tǒng)的全新工業(yè)級e.MMC產(chǎn)品系列。眾所周知，Spansion于2012年推出了立足嵌入式應用的SLC NAND產(chǎn)品。至此，我們?yōu)镾LC NAND解決方案發(fā)展了一個強大的客戶群，而且我們還發(fā)現(xiàn)，這些客戶對嵌入式集中規(guī)模存儲解決方案的需求也越來越大。對于那些不僅僅是要購買一款“現(xiàn)成”產(chǎn)品的嵌入式客戶而言，Spansion全新的e.MMC系列產(chǎn)品是一個完美的選擇。　　　　作為Spansion第一款管理型NAND產(chǎn)品系
關鍵字： Spansion NAND

海力士前高層加入慧榮　SSD大戰(zhàn)鳴槍

　　固態(tài)硬碟(SSD)戰(zhàn)火正熱，持續(xù)成為2015年產(chǎn)業(yè)焦點，NAND Flash控制芯片業(yè)者為了布局上游半導體大廠，使出渾身解數(shù)綁樁，傳出慧榮將延攬前SK海力士(SK Hynix)的Solution Development Division資深副總Gi Hyun Bae擔任公司高層。　　慧榮一向和SK海力士合作緊密，雙方合作內(nèi)嵌式存儲器eMMC業(yè)務外，有機會延伸至SSD產(chǎn)品線上，2015年更是關鍵年，慧榮內(nèi)部極度重視SSD產(chǎn)品線，立下通吃NAND Flash大廠和存儲器模組兩大族群的目標，看好公司營運
關鍵字： SSD NAND Flash SK海力士

NAND閃存將被RRAM顛覆？存儲器市場暗潮涌動

　　NAND閃存已經(jīng)成為固態(tài)存儲的霸主，不過它也存在諸多問題，尤其是壽命隨著工藝的先進化而不斷縮短，TLC格式也引發(fā)了諸多質(zhì)疑，因此研發(fā)一種可取而代之的新式非易失性存儲技術勢在必行。　　從FRAM到相變式存儲器，新選手不斷涌現(xiàn)，但目前還未能挑戰(zhàn)NAND的地位。直到最近，名為電阻式RAM的新貴出現(xiàn)了，它最被看好，三星、閃迪等巨頭都在投入，不過，走在最前列的是一家美國創(chuàng)業(yè)公司Crossbar。　　RRAM相較于NAND最大的優(yōu)勢就是更好的性能、壽命。NAND的讀取延遲一般在幾百微妙級別，Crossba
關鍵字： NAND 三星閃迪

DRAM樂觀 NAND有隱憂

　　記憶體市況今年將不同調(diào);動態(tài)隨機存取記憶體(DRAM)市場可望維持穩(wěn)定獲利，儲存型快閃記憶體(NAND Flash)市場則有隱憂。　　DRAM市場步入由三星(Samsung)、海力士(Hynix)及美光(Micron)三強鼎立的寡占局面，各DRAM廠去年不僅全面獲利，并且是豐收的一年。　　臺塑集團旗下DRAM廠南亞科去年可望首度賺進超過1個股本;美光與南亞科合資的華亞科去年獲利也可望突破新臺幣400億元，將創(chuàng)歷史新高紀錄。　　NAND Flash市場競爭、變化相對激烈，且難以預料;去年下半
關鍵字： DRAM 三星海力士 NAND Flash

東芝擴充海外內(nèi)存芯片廠，會是中國嗎

　　據(jù)國外媒體報道，東芝首席執(zhí)行官田中久雄(Hisao Tanaka)周五表示，公司將在始于明年4月份的下一財年決定在何處新建一座內(nèi)存芯片工廠，并且在選擇建廠地址時會考慮海外地區(qū)。　　東芝在不到4個月前在四日市新開了一座NAND閃存芯片加工廠，田中久雄在接受采訪時稱，需求超過了產(chǎn)能，公司必須擴大產(chǎn)能。NAND閃存芯片主要被用于智能手機和其他電子產(chǎn)品。　　田中久雄稱：“三星已經(jīng)在中國西安市建廠，海力士也在中國建了一座生產(chǎn)廠。”當被問及中國是否會是海外建廠的最佳地區(qū)時，他補充說
關鍵字：東芝 NAND

美光聯(lián)手華邦電：推NOR Flash搶攻物聯(lián)網(wǎng)應用商機

　　美國存儲器大廠美光(Micron)宣布，與存儲器廠商華邦電擬進一步合作開發(fā)新一代超高速序列式編碼型快閃存儲器(Serial NOR Flash)，搶攻汽車電子、穿戴裝置，以及智慧家庭等物聯(lián)網(wǎng)應用商機，預計2015年1月就會開始送樣認證1GB芯片。　　 ? 　　據(jù)了解，美光日前宣布與華邦電結盟，雙方將開發(fā)新一代Twin-Quad的超高速序列式NOR Flash產(chǎn)品線;雙方所合作的Twin-Quad序列式NOR Flash，比NAND Flash速度更快，且比現(xiàn)有序列式NOR Fla
關鍵字：美光 NOR Flash 物聯(lián)網(wǎng)

中國“援軍”幫助東芝追趕三星

智能手機全球迅速普及、終端記憶體的大容量化、大數(shù)據(jù)時代到來等，都將大幅增加對NAND型記憶卡的需求。
關鍵字：東芝三星 NAND

慧榮科技推出業(yè)界首款車載IVI級單封裝SSD解決方案

　　在設計及推廣用于固態(tài)存儲設備的NAND閃存控制器方面處于全球領導地位的慧榮科技(Silicon Motion Technology Corporation)近日宣布推出其專為車載信息娛樂(IVI)系統(tǒng)設計的汽車級PATA及SATA FerriSSD解決方案。　　FerriSSD解決方案旨在代替以往被廣泛應用在車載IVI系統(tǒng)等嵌入式應用中的SATA及PATA硬盤驅(qū)動器。由于集成了NAND閃存及慧榮科技業(yè)界領先的控制器并采用小尺寸BGA封裝，F(xiàn)erriSSD解決方案與傳統(tǒng)的硬盤驅(qū)動器相比不僅運行速度更
關鍵字：慧榮科技 NAND BGA

NAND閃存窮途末路下一代閃存技術百花齊放

　　由于閃存技術的發(fā)展，閃存正從U盤、MP3走向電腦、存儲陣列等更廣泛的領域。雖然其速度較以往的機械硬盤有了較大幅度的提升，但縱觀整個計算架構，閃存仍舊是計算系統(tǒng)中比較慢的部分。況且目前主流的MLC和TLC在寫入壽命上都還不盡如人意，并且隨著工藝水平的提升，其壽命和良率還有越來越糟的傾向。閃存生產(chǎn)線已經(jīng)達到15nm的水平，存儲密度難在攀升、壽命卻大幅下降。所以業(yè)界各個巨頭都在積極研究下一代非易失性存儲技術。　　日前，鎂光在IEEE IEDM 2014(國際電子設備大會)上就公布了其最新的可變電阻式存儲
關鍵字： NAND MLC TLC

研調(diào)：12月上旬NAND Flash合約價跌幅2%內(nèi)

　　TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange研究顯示，美系廠商在第三季季底財報結算壓力過后，不再采取積極價格戰(zhàn)，使得原廠間戰(zhàn)火稍緩。另一方面，因模組廠預期此波價格跌勢將持續(xù)，再加上手中庫存仍充足下，大多傾向12月月底再進行采購談判，以爭取更優(yōu)惠的價格。因此，12月上旬因交易氣氛冷清，NAND Flash合約價呈持平或僅微幅下跌0-2%。　　DRAMeXchange資深研究經(jīng)理陳玠瑋表示，在歐美圣誕節(jié)備貨動能正式結束后，受到季節(jié)性因素影響，預期明(2015)年第一季全球智慧型手機
關鍵字： NAND Flash eMMC

三星半導體設備投資傳明年微幅加碼，擬加蓋 NAND 廠

　　韓國時報(Korea Times)15 日報導，三星電子明年將投資半導體設備 13.5 兆韓圜，或相當于 120 億美元，稍高于今年的 13 兆韓圜。　　全球記憶體晶片市場目前由三星、SK 海力士與美光所把持，三大廠市占率合計來到 93%。知情人士消息指出，三星并不打算大幅增加設備資本支出的主要考量是明年策略將放在維持價格穩(wěn)定與市場供需平衡。　　據(jù)報導，三星看準儲存型快閃記憶體(NAND Flash)的市場需求有望增加，因此考慮明年在大陸西安開設新廠房。除此之外，有鑒于 DRAM 的需求平穩(wěn)，
關鍵字：三星 SK 海力士美光 NAND

MSP430F單片機設計的超低功耗電子溫度計方案

　　本文設計的超低功耗電子溫度計能夠通過溫度傳感器測量和顯示被測量點的溫度，并可進行擴展控制。該溫度計帶電子時鐘，其檢測范圍為l0℃～30℃，檢測分辨率為1℃，采用LCD液晶顯示，整機靜態(tài)功耗為0.5μA。其系統(tǒng)設計思想對其它類型的超低功耗微型便攜式智能化檢測儀表的研究和開發(fā)，也具有一定的參考價值。　　1 元器件選擇　　本系統(tǒng)的溫度傳感器可選用熱敏電阻。在10～30℃的測量范圍內(nèi)，該器件的阻值隨溫度變化比較大，電路簡單，功耗低，安裝尺寸小，同時其價格也很低，但其熱敏電阻精度、重復性、可
關鍵字： MSP430 傳感器 FLASH

共1478條 43/99 |‹ « 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 » ›|

nand flash介紹

　Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量內(nèi)存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。　　NAND型閃存以塊為單位進行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進行，如果目標區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細 ]