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據(jù)報道,2026 年 HBM 價格面臨兩位數(shù)下跌風險,對 SK hynix 構成挑戰(zhàn)
- 隨著英偉達以及 Meta、谷歌等云巨頭加大 AI 投入,推動 HBM 需求增長,分析師警告明年可能面臨價格下跌。據(jù)高盛稱,經(jīng)濟日報報道,競爭加劇和供過于求可能導致 2026 年首次出現(xiàn) HBM 價格下跌——這對市場領導者 SK hynix 構成挑戰(zhàn)。值得注意的是,據(jù)高盛稱,2026 年 HBM 價格可能下跌兩位數(shù)。此外,競爭加劇以及定價權向主要客戶轉移(SK hynix 受影響嚴重)可能擠壓該公司的利潤空間,高盛警告稱。根據(jù)高盛的預測,HBM 價格下降的趨勢可能歸因于主要參與者 HBM 比特供應的顯著增加
- 關鍵字: HBM 內存 海力士
主要內存制造商的 DDR4 退出時間表逐漸明朗:三星、SK 海力士和美光計劃
- 隨著主要內存制造商將產(chǎn)能轉向 DDR5 和 HBM,他們的 DDR4 淘汰時間表逐漸清晰。根據(jù)商業(yè)時報的報道,三星、SK 海力士和美光計劃在 2025 年末至 2026 年初停止 DDR4 出貨。TrendForce 的最新調查也顯示,三大 DRAM 供應商正在將產(chǎn)能轉向高端產(chǎn)品,并已開始宣布 PC 和服務器級 DDR4 以及移動 LPDDR4X 的停產(chǎn)計劃。因此,預計 2025 年第三季度的傳統(tǒng) DRAM 合同價格將上漲 10%至 15%。包括 HBM 在內,整體 DRAM 價格預計將上漲 15%至 2
- 關鍵字: 存儲 DDR4 HBM
三星旨在通過新一代 DRAM 和 HBM4 實現(xiàn)半導體回歸
- Samsung Electronics 第二季度盈利大幅下滑主要源于其半導體業(yè)務表現(xiàn)不佳,該業(yè)務占整體利潤的 50-60%。由于持續(xù)的技術問題,高帶寬內存(HBM)和其他高容量、高附加值內存產(chǎn)品未能從蓬勃發(fā)展的人工智能(AI)領域獲益。代工(合同芯片制造)和系統(tǒng) LSI 業(yè)務也因未能爭取到主要客戶而繼續(xù)虧損。然而,隨著 Nvidia 的 HBM 大規(guī)模生產(chǎn)批準的可能性在第三季度增加,以及上半年積累的內存庫存得到清理,人們對業(yè)績反彈的預期正在增長。根據(jù)行業(yè)消息,7 月 8 日三星電子的設備解決方案(DS)部
- 關鍵字: 三星電子 HBM.半導體產(chǎn)業(yè)
三星電子的半導體困境:HBM苦苦掙扎,競爭對手表現(xiàn)出色
- 三星電子在今年第二季度錄得的營業(yè)利潤明顯低于市場預期,引發(fā)了對其高帶寬內存 (HBM) 業(yè)務失敗的擔憂,這被視為這一缺口背后的最大原因,以及代工業(yè)務的潛在復蘇。盡管存儲半導體需求低迷,但 SK 海力士和美光在 HBM 和高性能 DRAM 的引領下取得了不錯的成績,而三星電子卻在性能不佳的泥潭中苦苦掙扎。特別是,三星電子自第四代 HBM (HBM3) 以來,所有代 HBM 產(chǎn)品都未能取得顯著成果,導致 SK 海力士和美光占據(jù)市場領先地位。根據(jù)國內證券公司的分析,三星電子的內存部門錄得約 3 萬億韓元的營業(yè)利
- 關鍵字: 三星電子 半導體 HBM
Micron將HBM擴展到四個主要的GPU/ASIC客戶端
- 在 2025 財年第三季度 HBM 銷售額增長近 50% 的推動下,美光公布了創(chuàng)紀錄的收入,現(xiàn)在正著眼于另一個里程碑。據(jù) ZDNet 稱,這家美國內存巨頭的目標是到 2025 年底將其 HBM 市場份額提高到 23-24%。值得注意的是,美光在其新聞稿中表示,它現(xiàn)在正在向 GPU 和 ASIC 平臺上的四個客戶交付大批量 HBM。因此,該公司預計到 2025 年下半年,其 HBM 市場份額將達到與其整體 DRAM 份額持平。據(jù)路透社報道,美光的強勁業(yè)績反映了 NVIDIA 和 AMD
- 關鍵字: Micron HBM GPU ASIC
據(jù)報道三星 1c DRAM 良率高達 70%,為年底推出 HBM4 鋪平道路
- 隨著將 HBM4 時代的希望寄托在其 1c DRAM 的進展上,據(jù)報道三星在良率方面取得了重大突破。據(jù) sedaily 報道,該公司最近在其第六代 10nm 級 DRAM(1c DRAM)晶圓測試中實現(xiàn)了 50-70%的良率——這一數(shù)字較去年的 30%以下水平有了顯著提升。值得注意的是,與 SK 海力士和美光等堅持使用更成熟的 1b DRAM 生產(chǎn) HBM4 不同,三星正大膽押注下一代 1c DRAM。隨著良率穩(wěn)步提高,該公司計劃在其華城和平澤工廠加大 1c DRAM 的生產(chǎn)規(guī)模,根據(jù)
- 關鍵字: 三星 HBM 存儲
DDR4瘋狂漲價,DRAM廠商爆賺

- 據(jù)臺媒《經(jīng)濟日報》報道,由于DDR4供應減少,再加上市場神秘買家大舉出手掃貨,最新的8Gb/16Gb DDR4 DRAM現(xiàn)貨價等規(guī)格單日都暴漲近8%。本季以來報價已翻漲一倍以上,不僅跨過DRAM廠損益平衡點,更達到讓廠商暴賺的水平。如今DDR4不僅報價大漲,甚至比更高規(guī)格的DDR5報價更高,呈現(xiàn)“價格倒掛”,業(yè)界直言:“至少十年沒看過現(xiàn)貨價單日漲幅這么大?!备鶕?jù)DRAM專業(yè)報價網(wǎng)站DRAMeXchange最新報價顯示,6月13日晚間DDR4現(xiàn)貨價全面暴漲,DDR4 8Gb(1G×8)3200大漲7.8%,
- 關鍵字: DDR4 DRAM 三星 美光 南亞科技 華邦電子 HBM
HBM 開發(fā)路線圖揭曉:2038 年將推出 HBM8,具有 16,384 位接口和嵌入式 NAND
- 韓國頂尖國家級研究機構 KAIST 發(fā)布了一份 371 頁的論文,詳細介紹了到 2038 年高帶寬內存(HBM)技術的演進,展示了帶寬、容量、I/O 寬度以及熱量的增加。該路線圖涵蓋了從 HBM4 到 HBM8 的發(fā)展,包括封裝、3D 堆疊、以內存為中心的架構以及嵌入 NAND 存儲,甚至基于機器學習的方法來控制功耗。 請記住,該文件是關于 HBM 技術假設演進的,基于當前行業(yè)和研究方向,而不是任何商業(yè)公司的實際路線圖。(圖片來源:KAIST)每堆疊的 HBM 容量將從 288GB 增加到 34
- 關鍵字: HBM.NAND
英特爾+軟銀聯(lián)手劍指HBM

- 美國芯片巨頭英特爾已與日本科技和投資巨頭軟銀攜手,合作開發(fā)一種堆疊式DRAM解決方案,以替代高帶寬存儲器(HBM)。據(jù)報道,雙方已合資成立新公司Saimemory共同打造原型產(chǎn)品,該項目將利用英特爾的芯片堆疊技術以及東京大學持有的數(shù)據(jù)傳輸專利,軟銀則以30億日元注資成為最大股東(總投資約100億日元)。該合作計劃于2027年完成原型開發(fā)并評估量產(chǎn)可行性,目標是在2030年前實現(xiàn)商業(yè)化。Saimemory將主要專注于芯片的設計工作以及專利管理,而芯片的制造環(huán)節(jié)則將交由外部代工廠負責這種分工模式有助于充分發(fā)揮
- 關鍵字: 英特爾 軟銀 HBM DRAM 三星 SK海力士
三星考慮進行大規(guī)模內部重組

- 據(jù)韓媒SEDaily報道,三星半導體部門(即DS設備解決方案部)正對系統(tǒng)LSI業(yè)務的組織運作方式的調整計劃進行最終審議,相關決定將在不久后公布。預計在由副董事長鄭鉉鎬和DS部門負責人全永鉉做出最終決定之前,還將進行更多高層討論,并聽取董事長李在镕的意見。系統(tǒng)LSI業(yè)務主要負責芯片設計,在三星半導體體系中承擔著為移動業(yè)務(MX)部門開發(fā)Exynos手機SoC的核心任務。然而,近年來Exynos 2x00系列應用處理器在三星Galaxy S/Z系列高端智能手機中的采用率明顯下降,不僅削弱了MX部門的利潤空間,
- 關鍵字: 三星 HBM LSI DRAM 半導體 晶圓代工
英偉達新款中國特供芯片:放棄Cowos封裝和HBM

- 據(jù)路透社報道,英偉達即將針對中國市場推出一款新的AI芯片,預計售價在6500美元至8000美元之間,遠低于H20芯片的10000至12000美元,較低的價格反映了其較弱的規(guī)格和更簡單的制造要求,避開了受美國出口規(guī)則限制的先進技術。知情人士稱,這款新的專供中國市場的GPU將會是基于英偉達的服務器級圖形處理器RTX Pro 6000D來進行構建,采用傳統(tǒng)的GDDR7顯存,而不是HBM3e,也沒有使用臺積電的先進封裝技術CoWoS(Chip-on-Wafer-on-Substrate),這也使得這款芯片成本大幅
- 關鍵字: 英偉達 芯片 Cowos 封裝 HBM
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