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南亞科10nm DRAM技術(shù)突破

  • 據(jù)臺媒報道，南亞科已完成自主研發(fā) 10 納米級 DRAM 技術(shù)，將在今年下半年試產(chǎn)！
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美光出樣DDR5內(nèi)存：1Znm工藝、性能提升85%

  • 2020年AMD、Intel即將推出的新一代CPU處理器還會支持DDR4內(nèi)存，但是下一代DDR5內(nèi)存已經(jīng)近在眼前，2021年就會正式上市。今天美光宣布開始向客戶出樣最新的DDR5內(nèi)存，基于1Znm工藝，性能提升了85%。與DDR4內(nèi)存相比，DDR5標(biāo)準(zhǔn)性能更強，功耗更低，起步頻率至少4800MHz，最高6400MHz。其它變化還有，電壓從1.2V降低到1.1V，同時每通道32/40位（ECC）、總線效率提高、增加預(yù)取的Bank Group數(shù)量以改善性能等。美光現(xiàn)在出樣的DDR5內(nèi)存使用了最新的1Znm工藝
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儒卓力與愛普科技簽署全球分銷協(xié)議

  • 儒卓力(Rutronik Elektronische Bauelemente GmbH)和中國臺灣證券交易所上市企業(yè)，全球領(lǐng)先的IoT RAM、利基型DRAM和AI存儲解決方案供應(yīng)商愛普科技簽署全球分銷協(xié)議。這項分銷協(xié)議涵蓋了愛普科技的全部產(chǎn)品，并且已經(jīng)生效。根據(jù)此分銷合作關(guān)系協(xié)議，儒卓力是愛普科技IoT RAM產(chǎn)品在歐洲市場的獨家分銷商。愛普科技的產(chǎn)品范圍包括各種各樣的存儲解決方案，重點產(chǎn)品則是具有低引腳數(shù)的超低功耗IoT RAM和具有長壽命支持的標(biāo)準(zhǔn)DRAM產(chǎn)品。在物聯(lián)網(wǎng)和邊緣AI市場，存儲器是系統(tǒng)性
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南亞科：明年下半年DRAM將供不應(yīng)求

  • DRAM大廠南亞科董事長吳嘉昭認為，明年第2季起，DRAM市場就會供需平衡，且若市場未有大量新產(chǎn)能開出，下半年DRAM可望再度供不應(yīng)求。
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Intel開始出貨10nm Agilex FPGA：DDR5、PCIe 5.0

  • Intel 10nm工藝雖然有些姍姍來遲，但是布局深廣，包括面向筆記本和服務(wù)器的Ice Lake、3D立體封裝的Lakefield、面向5G基礎(chǔ)設(shè)施的Snow Ridge，還有一款全新的FPGA。
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日韓決裂，半導(dǎo)體誰最受傷？

  • 6月末也是在大阪召開G20結(jié)束的時間，此次出口限制可謂是對韓國企業(yè)的一次“偷襲”！此次“偷襲”使人想起了第二次世界大戰(zhàn)時的“日本偷襲珍珠港”。
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美光推出面向移動應(yīng)用、堪稱業(yè)內(nèi)容量最高的單片式內(nèi)存

  • 新聞?wù)? 16Gb LPDDR4X改進了能耗、速度和業(yè)內(nèi)最高容量的單片式裸晶，它的推出進一步鞏固了美光在低功耗 DRAM 領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。? 基于 UFS 的多芯片封裝可在同等尺寸條件下降低功耗并增加容量，從而使手機設(shè)計更加輕巧美光科技股份有限公司（納斯達克股票代碼：MU）今天宣布推出業(yè)內(nèi)容量最高的單片式 16Gb 低功耗雙倍數(shù)據(jù)率 4X (LPDDR4X) DRAM。美光16Gb LPDDR4X 能夠在單個智能手機中提供高達 16GB1 的低功耗 DRAM (LPDRAM)，顯示了美光為當(dāng)前和下一代
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美光宣布量產(chǎn)第3代10納米級制程DRAM

  • 根據(jù)國外科技媒體《Anandtech》的報導(dǎo)指出，日前美系存儲器大廠美光科技(Micron)正式宣布，將采用第3代10納米級制程(1Znm)來生產(chǎn)新一代DRAM。而首批使用1Znm制程來生產(chǎn)的DRAM將會是16GB的DDR4及LPDDR4X存儲器。對此，市場預(yù)估，美光的該項新產(chǎn)品還會在2019年底前，在美光位于中國臺灣臺中的廠區(qū)內(nèi)建立量產(chǎn)產(chǎn)線。
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日韓貿(mào)易戰(zhàn)與東芝跳電影響DRAM/NAND短期價格走勢，長期須關(guān)注原廠庫存水位

  • Jul. 16, 2019 ---- 集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)指出，繼6月中旬東芝斷電事件后，日本政府近日宣布從7月4日起，開始管控向南韓出口3種生產(chǎn)半導(dǎo)體、智能手機與面板所需的關(guān)鍵材料，造成存儲器產(chǎn)業(yè)下游模組廠出現(xiàn)提高報價狀況，然而，由于目前DRAM和NAND Flash庫存水位仍高，加上并非完全禁止原物料出貨，僅是申請流程延長，短期結(jié)構(gòu)性供需反轉(zhuǎn)的可能性低。日韓貿(mào)易戰(zhàn)的爆發(fā)使得業(yè)界盛傳存儲器價格將反轉(zhuǎn)，集邦咨詢分析指出，因DRAM價格已歷經(jīng)連續(xù)三個季度快速下滑，下游
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國際半導(dǎo)體遭遇寒冬 中國存儲方隊逆勢擴張

  • 　　在中美貿(mào)易摩擦有所緩和之際，日前紫光集團宣布組建DRAM集團，讓市場注意力集中到國內(nèi)存儲器布局上。當(dāng)前國際存儲寡頭壟斷的格局下，國內(nèi)存儲方隊既要面對技術(shù)、團隊等方面的疊代差距，又要面對當(dāng)前國際半導(dǎo)體市場勢弱，存儲大幅降價的風(fēng)險，迎難而上，逆勢擴張。　　國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)降溫　　6月30日晚間，紫光集團宣布了組建DRAM事業(yè)群的計劃，并配套部署人事安排，深化和完善紫光集團“從芯到云”產(chǎn)業(yè)鏈的建設(shè)。而如果放眼國際，此時紫光集團布局DRAM可謂迎難而上，逆勢擴張?！　?jù)美國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會官網(wǎng)最新統(tǒng)計，5月全球半
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美光正在為DDR5擴大產(chǎn)能 并迅速轉(zhuǎn)向更先進工藝技術(shù)

  • 在近日與投資者和金融分析師召開的收益電話會議上，美光對其長期未來及對其產(chǎn)品的強勁需求表示了信心，該公司還概述了擴大產(chǎn)能的計劃，并迅速轉(zhuǎn)向更先進的工藝技術(shù)。
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紫光集團組建DRAM事業(yè)群

  • 6月30日，紫光集團發(fā)布公告稱，決定組建紫光集團DRAM事業(yè)群，全力加速發(fā)展國產(chǎn)內(nèi)存。
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DRAM顆粒6月現(xiàn)貨價逼近生產(chǎn)成本　跌勢趨緩訊號浮現(xiàn)

  • DRAM價格第2季大幅走跌，根據(jù)供應(yīng)鏈透露，6月起DRAM顆粒現(xiàn)貨價格再度走跌，主流交易規(guī)格的8Gb顆粒正式跌破3美元關(guān)卡。
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紅「芯」勢力崛起 三星DRAM事業(yè)的危機與中轉(zhuǎn)

  • 半導(dǎo)體無所不在，舉凡汽車、家電、手機到戰(zhàn)斗機，皆少不了半導(dǎo)體這玩意。半導(dǎo)體為韓國最具代表性產(chǎn)業(yè)，占外銷總金額的20%。然而2018年底存儲器榮景告終、價格走跌，除了讓三星電子(Samsung Electronics)存儲器事業(yè)陷入危機外，韓國經(jīng)濟前景也跟著蒙上陰影。面對中國大陸DRAM力拚崛起，及工業(yè)4.0革命可能帶來的爆炸性需求，三星半導(dǎo)體事業(yè)將采取何種策略令人好奇。
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三星18nm工藝內(nèi)存芯片曝缺陷 明年全面挺進16nm

  • 作為占據(jù)全球DRAM內(nèi)存芯片過半市場的超級巨頭，三星電子的一舉一動都影響著整個行業(yè)。前幾年內(nèi)存價格持續(xù)暴漲，三星賺得盆滿缽滿，最近日子就不太好過了，一季度營業(yè)利潤暴跌了超過60％。
  • 關(guān)鍵字： DRAM  16nm  三星電子  
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ddr5 dram介紹

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