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美光推進(jìn)DDR5內(nèi)存芯片：2019年底量產(chǎn)
- 盡管JEDEC(固態(tài)存儲(chǔ)協(xié)會(huì))的DDR5標(biāo)準(zhǔn)尚未定案，Cadence(鏗騰)和美光已經(jīng)開(kāi)始研發(fā)16Gb容量的DDR5產(chǎn)品，并計(jì)劃在2019年底量產(chǎn)。 事實(shí)上，早在今年5月，Cadence就展示了首款DDR5內(nèi)存驗(yàn)證模組，DRAM來(lái)自美光，接口層自研，采用臺(tái)積電7nm工藝，數(shù)據(jù)率可達(dá)4400MT/s，也就是頻率高達(dá)4400MHz?！ 「鶕?jù)美光的最新說(shuō)法，其16Gb DDR5芯片會(huì)在2019年底量產(chǎn)，基于18nm以下工藝，這就意味著，搭載DDR5內(nèi)存模組的系統(tǒng)最快2020年面世?！ “凑者M(jìn)度，JEDEC
- 關(guān)鍵字： 美光 DDR5
聚焦安全芯片，紫光國(guó)微將DRAM業(yè)務(wù)2.2億轉(zhuǎn)讓給紫光存儲(chǔ)
- 10月11日晚間，紫光國(guó)芯微電子股份有限公司發(fā)布公告，將轉(zhuǎn)讓公司旗下專(zhuān)注于DRAM存儲(chǔ)器芯片設(shè)計(jì)研發(fā)的西安紫光國(guó)芯半導(dǎo)體有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“西安紫光國(guó)芯”)給紫光集團(tuán)下屬全資子公司北京紫光存儲(chǔ)科技有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“紫光存儲(chǔ)”)?！ “凑展娴恼f(shuō)法，過(guò)去幾年里，西安紫光國(guó)芯為保持和跟進(jìn) DRAM 存儲(chǔ)器芯片設(shè)計(jì)領(lǐng)域的先進(jìn)技術(shù)，持續(xù)加大產(chǎn)品開(kāi)發(fā)投入，但受下游制造代工產(chǎn)能等方面的限制，短期內(nèi)無(wú)法達(dá)到規(guī)模經(jīng)濟(jì)，經(jīng)營(yíng)壓力加大，資產(chǎn)負(fù)債率不斷提高，已影響到其正常持續(xù)經(jīng)營(yíng)，給上市公司帶來(lái)了一定的資金和業(yè)績(jī)壓力，其
- 關(guān)鍵字： 紫光 DRAM
DRAM內(nèi)存市場(chǎng)已經(jīng)為寡頭壟斷，時(shí)代變了，別再等漲跌循環(huán)了
- 內(nèi)存漲價(jià)今年底也要到頭了，投行機(jī)構(gòu)也看衰內(nèi)存行業(yè)前景，認(rèn)為明年內(nèi)存價(jià)格會(huì)跌，不過(guò)在內(nèi)存業(yè)內(nèi)廠(chǎng)商來(lái)看，內(nèi)存市場(chǎng)已經(jīng)變天了，已經(jīng)變成寡頭壟斷，不能再用以前的漲跌周期來(lái)看待了。
- 關(guān)鍵字： DRAM，
紫光國(guó)微：公司DRAM芯片與三星有很大差距，DDR4仍是主流產(chǎn)品
- 今年7月，三星宣布了8Gb LPDDR5內(nèi)存顆粒的正式量產(chǎn)。對(duì)此，有投資者在互動(dòng)平臺(tái)上提問(wèn)，這是否會(huì)對(duì)紫光國(guó)微的DDR4前景造成影響?
- 關(guān)鍵字： 紫光國(guó)微，DRAM
晶圓廠(chǎng)、DRAM和3D NAND投資驅(qū)動(dòng)，中國(guó)晶圓代工產(chǎn)能將于2020年達(dá)到全球20%份額
- 近日國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)SEMI公布了最新的中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)生態(tài)系統(tǒng)報(bào)告，報(bào)告顯示，中國(guó)前端晶圓廠(chǎng)產(chǎn)能今年將增長(zhǎng)至全球半導(dǎo)體晶圓廠(chǎng)產(chǎn)能的16%，到2020年，這一份額將增加到20%。受跨國(guó)公司和國(guó)內(nèi)公司存儲(chǔ)和代工項(xiàng)目的推動(dòng)，中國(guó)將在2020年的晶圓廠(chǎng)投資將以超過(guò)200億美元的支出，超越世界其他地區(qū)，占據(jù)首位?！ ?014年中國(guó)成立大基金以來(lái)，促進(jìn)了中國(guó)集成電路供應(yīng)鏈的迅速增長(zhǎng)，目前已成為全球半導(dǎo)體進(jìn)口最大的國(guó)家市場(chǎng)。SEMI指出，目前中國(guó)正在進(jìn)行或計(jì)劃開(kāi)展25個(gè)新的晶圓廠(chǎng)建設(shè)項(xiàng)目，代工廠(chǎng)、DRAM和3D
- 關(guān)鍵字： 晶圓 DRAM 3D NAND
今年全球半導(dǎo)體支出將首次突破1000億美元，內(nèi)存投資繼續(xù)瘋狂
- IC Insights預(yù)測(cè)，今年半導(dǎo)體資本支出總額將增至1020億美元，這是該行業(yè)年均支出總額首次超過(guò)1000億美元。今年1020億美元的支出水平比2017年的933億美元增長(zhǎng)了9%，比2016年增長(zhǎng)了38%。預(yù)計(jì)存儲(chǔ)器IC占2018年半導(dǎo)體支出的53%，其中，閃存占資本支出的份額最大，而DRAM資本支出今年將以最高的速度繼續(xù)增長(zhǎng)。 如圖所示，超過(guò)一半的行業(yè)資本支出預(yù)計(jì)用于內(nèi)存尤其是DRAM和閃存生產(chǎn)，包括對(duì)現(xiàn)有晶圓廠(chǎng)產(chǎn)線(xiàn)和全新制作設(shè)施的升級(jí)。總的來(lái)說(shuō)，預(yù)計(jì)今年內(nèi)存將占到半導(dǎo)體資本支出的53%，達(dá)到
- 關(guān)鍵字： 存儲(chǔ)器 DRAM
全球前15大半導(dǎo)體廠(chǎng)商排名：7家年增20%以上，中國(guó)大陸無(wú)一上榜
- 8月20日，研究機(jī)構(gòu)ICInsights發(fā)布了2018年上半年全球半導(dǎo)體供應(yīng)商Top15榜單，三星位居第一位，英特爾位居第二位。不過(guò)遺憾的是，中國(guó)大陸暫時(shí)沒(méi)有公司進(jìn)入這個(gè)榜單的前15名。 根據(jù)發(fā)布的數(shù)據(jù)顯示，三星、英特爾、SK海力士、臺(tái)積電、鎂光排名榜單的前五位，相較于去年同期，這幾家公司都有比較明顯的增長(zhǎng)，特別是三星、SK海力士以及鎂光，分列六至十五位的分別是博通、高通、東芝\東芝內(nèi)存、德州儀器、英偉達(dá)、西數(shù)\閃迪、英飛凌、恩智浦、意法半導(dǎo)體和聯(lián)發(fā)科。這里，英偉達(dá)數(shù)據(jù)最為搶眼，相較于去年同期，英偉
- 關(guān)鍵字： DRAM NAND
集邦咨詢(xún)：DRAM價(jià)格已近高點(diǎn)
- 根據(jù)集邦咨詢(xún)半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)調(diào)查顯示，2018年第二季由于供給吃緊情況延續(xù)，帶動(dòng)整體DRAM報(bào)價(jià)走揚(yáng)，DRAM總營(yíng)收較上季成長(zhǎng)11.3%，再創(chuàng)新高。除了圖像處理內(nèi)存(graphicDRAM)仍受惠于虛擬挖礦(cryptocurrency)需求的增溫，帶動(dòng)價(jià)格有15%顯著上漲外，其余各應(yīng)用類(lèi)別的內(nèi)存季漲幅約在3%左右?！ ≌雇谌緝r(jià)格走勢(shì)，DRAMeXchange指出，PC-OEM廠(chǎng)已陸續(xù)在七月份議定合約價(jià)格。就一線(xiàn)大廠(chǎng)定價(jià)來(lái)看，均價(jià)已來(lái)到34.5美元，較前一季上漲約1.5%
- 關(guān)鍵字： DRAM 美光
第三季利基型DRAM價(jià)格持平，DDR3具成本優(yōu)勢(shì)短期仍為主流
- 根據(jù)集邦咨詢(xún)半導(dǎo)體研究中心最新調(diào)查，DRAM原廠(chǎng)已陸續(xù)與客戶(hù)談定7月份利基型內(nèi)存合約價(jià)，價(jià)格大致和6月相同。展望第三季，預(yù)期DDR4利基型內(nèi)存報(bào)價(jià)水平將較接近主流標(biāo)準(zhǔn)型與服務(wù)器內(nèi)存，因原廠(chǎng)可透過(guò)封裝打線(xiàn)形式的改變(bonding option)做產(chǎn)品類(lèi)別更換。DDR3則呈現(xiàn)相對(duì)穩(wěn)健的供需結(jié)構(gòu)，報(bào)價(jià)預(yù)期沒(méi)有明顯變動(dòng)。整體而言，第三季利基型內(nèi)存價(jià)格走勢(shì)預(yù)估將持平?！ DR3具成本優(yōu)勢(shì)，短期仍為利基型記內(nèi)存主流 就產(chǎn)品應(yīng)用種類(lèi)觀察，首先在利基型內(nèi)存需求大宗的電視，今年出貨量持穩(wěn)，約為2.157億臺(tái)。不過(guò)
- 關(guān)鍵字： DRAM DDR3
閃存降價(jià)利好可持續(xù)至2019下半年,大容量高性能SSD普及進(jìn)行時(shí)
- 幾年前突然“大火”的存儲(chǔ)行情，給業(yè)界帶來(lái)的極大的沖擊。在 PC 市場(chǎng)衰退后本就不多的 DIY 用戶(hù)，要么咬牙買(mǎi)高價(jià)內(nèi)存(DRAM)和固態(tài)硬盤(pán)(SSD)、要么咬牙推遲或干脆直接放棄了裝機(jī)升級(jí)的計(jì)劃。當(dāng)然，市場(chǎng)也不是沒(méi)有好消息。據(jù)集邦咨詢(xún)(DRAMeXchange)所述，近期閃存降價(jià)的趨勢(shì)，有望持續(xù)到 2019 上半年?！ RAMeXchange 報(bào)告稱(chēng)，2018 年 3~4 季度，NAND 閃存的平均銷(xiāo)售價(jià)格，預(yù)計(jì)將下降 10% 。集邦認(rèn)為，市場(chǎng)需求較低的情況下所增長(zhǎng)的產(chǎn)能，是推動(dòng)這一趨勢(shì)的主要原因。
- 關(guān)鍵字： 閃存 DRAM
IC Insights預(yù)測(cè)：全球IC增長(zhǎng)和全球GDP增長(zhǎng)關(guān)聯(lián)日益密切
- 在最近發(fā)布的《麥克萊恩2018年中期報(bào)告》(McClean Report 2018)中，IC Insights預(yù)測(cè)，2018-2022年全球GDP和IC市場(chǎng)相關(guān)系數(shù)將達(dá)到0.95，高于2010-2017年期間的0.88。 IC Insights描述了從2010年到2017年全球GDP增長(zhǎng)與IC市場(chǎng)增長(zhǎng)之間日益密切的關(guān)聯(lián)，以及到2022年的最新預(yù)測(cè)?！ ∪鐖D所示，在2010-2017年的時(shí)間段內(nèi)，全球GDP增長(zhǎng)與IC市場(chǎng)增長(zhǎng)的相關(guān)系數(shù)為0.88，這是一個(gè)強(qiáng)勁的數(shù)字，因?yàn)橥耆嚓P(guān)為1.0。在此期間之前的3
- 關(guān)鍵字： DRAM NAND
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