cmos finfet 文章進(jìn)入cmos finfet技術(shù)社區(qū)

NRAM已準(zhǔn)備好進(jìn)軍市場(chǎng)？

　　美國(guó)記憶體技術(shù)開(kāi)發(fā)商N(yùn)antero最近宣布進(jìn)行新一輪融資，并準(zhǔn)備“浮出水面”──因?yàn)樵摴菊J(rèn)為其獨(dú)家的非揮發(fā)性隨機(jī)存取記憶體(non-volatile random access memory，NRAM;或稱(chēng)Nano-RAM)，已經(jīng)準(zhǔn)備好取代企業(yè)應(yīng)用或消費(fèi)性應(yīng)用市場(chǎng)上的儲(chǔ)存級(jí)記憶體。　　Nantero已經(jīng)向新、舊投資人募得3,150萬(wàn)美元資金，可用以加速NRAM的研發(fā);該公司執(zhí)行長(zhǎng)Greg Schmergel在接受EE Times 美國(guó)版編輯電話訪問(wèn)時(shí)表示，NRAM是以碳奈
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GLOBALFOUNDRIES為下一代芯片設(shè)計(jì)而強(qiáng)化了14nm FinFET的設(shè)計(jì)架構(gòu)

　　GLOBALFOUNDRIES，世界先進(jìn)半導(dǎo)體制造技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者，今天宣布了其為14 nm FinFET工藝技術(shù)而開(kāi)發(fā)的強(qiáng)化過(guò)的設(shè)計(jì)架構(gòu)，在幫助那些采用先進(jìn)工藝技術(shù)設(shè)計(jì)的客戶(hù)的進(jìn)程上達(dá)到了一個(gè)關(guān)鍵里程碑。　　GLOBALFOUNDRIES與重要合作伙伴Cadence，Mentor Graphics，以及Synopsys合作開(kāi)發(fā)出的新型設(shè)計(jì)流程，實(shí)現(xiàn)了從RTL到GDS的轉(zhuǎn)換。該流程包括了基于工藝技術(shù)的PDK和早期試用標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)，形成一個(gè)數(shù)字設(shè)計(jì)“入門(mén)套件”，為設(shè)計(jì)人員進(jìn)行物理實(shí)
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CMOS電容式微麥克風(fēng)設(shè)計(jì)

　　隨著智能手機(jī)的興起，對(duì)于聲音品質(zhì)和輕薄短小的需求越來(lái)越受到大家的重視，近年來(lái)廣泛應(yīng)用的噪聲抑制及回聲消除技術(shù)均是為了提高聲音的品質(zhì)。相比于傳統(tǒng)的駐極體式麥克風(fēng)(ECM)，電容式微機(jī)電麥克風(fēng)采用硅半導(dǎo)體材料制作，這便于集成模擬放大電路及ADC(∑-ΔADC)電路，實(shí)現(xiàn)模擬或數(shù)字微機(jī)電麥克風(fēng)元件，以及制造微型化元件，非常適合應(yīng)用于輕薄短小的便攜式裝置。本文將針對(duì)CMOS微機(jī)電麥克風(fēng)的設(shè)計(jì)與制造進(jìn)行介紹，并比較純MEMS與CMOS工藝微導(dǎo)入麥克風(fēng)的差異。　　電容式微麥克風(fēng)原理　　
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基于電荷泵改進(jìn)型CMOS模擬開(kāi)關(guān)電路

　　當(dāng)前VLSI技術(shù)不斷向深亞微米及納米級(jí)發(fā)展，模擬開(kāi)關(guān)是模擬電路中的一個(gè)十分重要的原件，由于其較低的導(dǎo)通電阻，極佳的開(kāi)關(guān)特性以及微小封裝的特性，受到人們的廣泛關(guān)注。模擬開(kāi)關(guān)導(dǎo)通電阻的大小直接影響開(kāi)關(guān)的性能，低導(dǎo)通電阻不僅可以降低信號(hào)損耗而且可以提高開(kāi)關(guān)速度。要減小開(kāi)關(guān)導(dǎo)通電阻，可以通過(guò)采用大寬長(zhǎng)比的器件和提高柵源電壓的方法，可是調(diào)節(jié)器件的物理尺寸不可避免地會(huì)帶來(lái)一些不必要的寄生效應(yīng)，比如增大器件的寬度會(huì)增加器件面積進(jìn)而增加?xùn)烹娙?，脈沖控制信號(hào)會(huì)通過(guò)電容耦合到模擬開(kāi)關(guān)的輸入和輸出，在每個(gè)開(kāi)關(guān)周期其充放電過(guò)
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14納米FinFET制程略勝一籌全球晶圓代工競(jìng)爭(zhēng)暗潮洶涌

　　雖然臺(tái)積電仍是全球晶圓代工市場(chǎng)的龍頭大廠，但為牽就蘋(píng)果(Apple)這個(gè)大客戶(hù)，內(nèi)部壓寶16納米、20納米設(shè)備可以大部互通的產(chǎn)能擴(kuò)充彈性?xún)?yōu)勢(shì)，硬是將16納米FinFET制程技術(shù)訂為20納米下一棒的規(guī)劃藍(lán)圖。　　反而在Altera、高通(Qualcomm)先后投入英特爾(Intel)及三星電子(Samsung Electronics)14納米FinFET制程技術(shù)的懷抱后，即便蘋(píng)果仍可喂飽臺(tái)積電先進(jìn)制程產(chǎn)能，但臺(tái)積電客戶(hù)結(jié)構(gòu)從以IC設(shè)計(jì)公司為主，變成以系統(tǒng)廠獨(dú)霸半遍天，加上主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手也開(kāi)始爭(zhēng)取到重要
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如何挑選一個(gè)高速ADC

　　高速ADC的性能特性對(duì)整個(gè)信號(hào)處理鏈路的設(shè)計(jì)影響巨大。系統(tǒng)設(shè)計(jì)師在考慮ADC對(duì)基帶影響的同時(shí)，還必須考慮對(duì)射頻(RF)和數(shù)字電路系統(tǒng)的影響。由于ADC位于模擬和數(shù)字區(qū)域之間，評(píng)價(jià)和選擇的責(zé)任常常落在系統(tǒng)設(shè)計(jì)師身上，而系統(tǒng)設(shè)計(jì)師并不都是ADC專(zhuān)家。　　還有一些重要因素用戶(hù)在最初選擇高性能ADC時(shí)常常忽視。他們可能要等到最初設(shè)計(jì)樣機(jī)將要完成時(shí)才能知道所有系統(tǒng)級(jí)結(jié)果，而此時(shí)已不太可能再選擇另外的ADC。　　影響很多無(wú)線通信系統(tǒng)的重要因素之一就是低輸入信號(hào)電平時(shí)的失真度。大多數(shù)無(wú)線傳輸?shù)竭_(dá)ADC的信號(hào)
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10納米碳納米管CMOS器件面世

　　近日，在北京市科委先導(dǎo)與優(yōu)勢(shì)材料創(chuàng)新發(fā)展專(zhuān)項(xiàng)支持下，北京大學(xué)彭練矛教授團(tuán)隊(duì)在世界上首次研制出10納米碳納米管互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)器件。與同尺寸硅基器件相比，該器件速度是其5倍，而功耗僅為1/5。該團(tuán)隊(duì)還在世界上首次成功制備出含有100個(gè)晶體管的碳納米管集成電路。　　下一步，該團(tuán)隊(duì)將繼續(xù)優(yōu)化碳納米管CMOS器件制備工藝，建立標(biāo)準(zhǔn)的碳基CMOS器件技術(shù)加工平臺(tái)，并基于該平臺(tái)開(kāi)發(fā)碳納米管CPU，最終推動(dòng)碳基集成電路在下一代通用芯片和消費(fèi)電子等領(lǐng)域的應(yīng)用。
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分析：傳感器的危與機(jī)

人有五官，用來(lái)辨別和感受外界環(huán)境的變化，而傳感器是電子行業(yè)的五官，什么是傳感器？傳感器關(guān)鍵廠商專(zhuān)利布局重點(diǎn)有那些？技術(shù)要項(xiàng)又有那些？　
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詳解TTL和CMOS電平

　　“TTL電平”最常用于有關(guān)電專(zhuān)業(yè)，如：電路、數(shù)字電路、微機(jī)原理與接口技術(shù)、單片機(jī)等課程中都有所涉及。在數(shù)字電路中只有兩種電平(高和低)高電平+5V、低電平0V.同樣運(yùn)用比較廣泛的還有CMOS電平、232電平、485電平等。　　TTL電路　　TTL集成電路的主要型式為晶體管-晶體管邏輯門(mén)(transistor-transistor logic gate)，TTL大部分都采用5V電源。　　1.輸出高電平Uoh和輸出低電平Uol 　　Uoh≥2.4V，Uol&le
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AT89S52的機(jī)載電氣盒測(cè)試儀的設(shè)計(jì)

　　1 引言　　AT89S52是一種低功耗、高性能CMOS8位微控制器，具有8K 在系統(tǒng)可編程Flash 存儲(chǔ)器。AT89S52使用Atmel 公司高密度非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)制造，與工業(yè)80C51 產(chǎn)品指令和引腳完全兼容。片上flash允許程序存儲(chǔ)器在系統(tǒng)可編程，亦適于常規(guī)編程器。在單芯片上，AT89S52擁有靈巧的8 位CPU 和在系統(tǒng)可編程Flash，使得AT89S52為眾多嵌入式控制應(yīng)用系統(tǒng)提供高靈活、超有效的解決方案。AT89S52具有以下標(biāo)準(zhǔn)功能： 8k字節(jié)Flash，256字節(jié)RAM，32
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基于AT89C51單片機(jī)技術(shù)詳解、設(shè)計(jì)技巧、應(yīng)用案例大全

　　AT89C51是一種帶4K字節(jié)FLASH存儲(chǔ)器(FPEROM—Flash Programmable and Erasable Read Only Memory)的低電壓、高性能CMOS 8位微處理器，俗稱(chēng)單片機(jī)。本文為您介紹基于AT89C51單片機(jī)技術(shù)詳解、設(shè)計(jì)技巧、應(yīng)用案例大全，僅供參考。　　基于AT89C51的操控鍵盤(pán)的設(shè)計(jì) 　　本文以PC機(jī)通用鍵盤(pán)為例，闡述研制小型一體化專(zhuān)用鍵盤(pán)的方法。采用小型一體化專(zhuān)用鍵盤(pán)不但可完成按鍵的功能，而且要求根據(jù)儀器外形進(jìn)行一體化優(yōu)化設(shè)計(jì)，使產(chǎn)品
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elmos慕尼黑電子展：秀我不同

　　說(shuō)起Elmos，也許我們更了解它的競(jìng)爭(zhēng)者英飛凌(Infineon)、美信半導(dǎo)體(Maxim)，因?yàn)橄啾戎?，Elmos進(jìn)入中國(guó)的時(shí)間并不長(zhǎng)。但是，我們卻早已開(kāi)始使用Elmos的產(chǎn)品了：Elmos的超聲波、被動(dòng)紅外以及馬達(dá)控制器芯片在全球的出貨量很大，僅超聲波倒車(chē)?yán)走_(dá)芯片全球出貨量就高達(dá)5000萬(wàn)片。此次慕尼黑展商，Elmos展示的主要產(chǎn)品是停泊車(chē)系統(tǒng)傳感器和馬達(dá)控制器。Elmos亞洲區(qū)副總裁Ludger Kruecke　　Elmos亞洲區(qū)副總裁Ludger Kruecke介紹了此次展示的重點(diǎn)產(chǎn)品與應(yīng)用
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索尼重組看到曙光：股價(jià)昨日創(chuàng)六年新高

　　社長(zhǎng)平井一夫?qū)τ谌毡舅髂岬摹耙粋€(gè)索尼”改造，以失敗告終。不過(guò)，在一個(gè)強(qiáng)勢(shì)人物吉田憲一郎(現(xiàn)任CFO)的加盟之下，索尼的重組，正在取得進(jìn)展，并看到曙光。周三，索尼股價(jià)在盤(pán)中，創(chuàng)出了六年新高。　　根據(jù)日經(jīng)新聞的報(bào)道，周三索尼在盤(pán)中的股價(jià)一度達(dá)到3787.5日元(相當(dāng)于31.4美元)，這是過(guò)去六年零七個(gè)月中的最高紀(jì)錄。　　索尼最大的兩個(gè)業(yè)務(wù)包袱是電視機(jī)和智能手機(jī)。這兩個(gè)“困難戶(hù)”的重振，尚未傳出重大捷報(bào)。據(jù)媒體分析，索尼股價(jià)的利好，主要來(lái)自索尼目前在全
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三星14納米FinFET處理器揭密

　　Exynos 7420已經(jīng)將與英特爾在2014年10月發(fā)表第一款14奈米Broadwell 處理器5Y70的差距縮小。
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應(yīng)對(duì)5G 全雙工RF加倍無(wú)線通信傳輸速度

　　在大學(xué)的電子工程系課程中，我們?cè)?jīng)學(xué)過(guò)“全雙工”(發(fā)送與接收)必須在不同的頻率或在不同的時(shí)間(技術(shù)上來(lái)說(shuō)是半雙工)中進(jìn)行。也就是說(shuō)，如果不是在不同的頻率下同時(shí)進(jìn)行發(fā)射與接收，就是在不同的時(shí)間下以相同頻率發(fā)射與接收。然而，根據(jù)美國(guó)紐約哥倫比亞大學(xué)(Columbia University)的研究人員指出，這種單向的“全雙工”其實(shí)是騙人的。　　哥倫比亞大學(xué)研究人員們最近展示一種稱(chēng)為“哥倫比亞高速與毫米波IC”(CoSMIC)的互補(bǔ)金
關(guān)鍵字： 5G CMOS