cmos finfet 文章進(jìn)入cmos finfet技術(shù)社區(qū)

CMOS反相器開(kāi)關(guān)功耗的仿真

當(dāng)CMOS反相器切換邏輯狀態(tài)時(shí)，由于其充電和放電電流而消耗功率。了解如何在LTspice中模擬這些電流。本系列的第一篇文章解釋了CMOS反相器中兩大類功耗：動(dòng)態(tài)，當(dāng)反相器從一種邏輯狀態(tài)變?yōu)榱硪环N時(shí)發(fā)生。靜態(tài)，由穩(wěn)態(tài)運(yùn)行期間流動(dòng)的泄漏電流引起。我們不再進(jìn)一步討論靜態(tài)功耗。相反，本文和下一篇文章將介紹SPICE仿真，以幫助您更徹底地了解逆變器的不同類型的動(dòng)態(tài)功耗。本文關(guān)注的是開(kāi)關(guān)功率——當(dāng)輸出電壓變化時(shí)，由于電容充電和放電而消耗的功率。LTspice逆變器的實(shí)現(xiàn)圖1顯示了我們將要使用的基本LTspice逆變器
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CMOS反相器的功耗

本文解釋了CMOS反相器電路中的動(dòng)態(tài)和靜態(tài)功耗。為集成電路提供基本功能的CMOS反相器的發(fā)展是技術(shù)史上的一個(gè)轉(zhuǎn)折點(diǎn)。這種邏輯電路突出了使CMOS特別適合高密度、高性能數(shù)字系統(tǒng)的電氣特性。CMOS的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是它的效率。CMOS邏輯只有在改變狀態(tài)時(shí)才需要電流——簡(jiǎn)單地保持邏輯高或邏輯低電壓的CMOS電路消耗的功率非常小。一般來(lái)說(shuō)，低功耗是一個(gè)理想的功能，當(dāng)你試圖將盡可能多的晶體管功能封裝在一個(gè)小空間中時(shí)，這尤其有益。正如計(jì)算機(jī)CPU愛(ài)好者提醒我們的那樣，充分去除集成電路中的熱量可能很困難。如果沒(méi)有CMOS反相
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Teledyne e2v宣布擴(kuò)展其Flash CMOS圖像傳感器系列

Teledyne Technologies[紐交所代碼：TDY]旗下公司、全球成像解決方案創(chuàng)新者Teledyne e2v宣布擴(kuò)展其Flash? CMOS圖像傳感器系列，推出Flash 2K LSA，該產(chǎn)品專門(mén)適用于需要使用大沙姆角（LSA）的激光輪廓應(yīng)用。Teledyne e2v的Flash系列CMOS圖像傳感器專為三維激光輪廓/位移應(yīng)用和高速/高分辨率檢測(cè)量身定制。Flash 2K LSA是Flash 2K傳感器的衍生產(chǎn)品，適用于需要大沙伊姆弗勒角度的應(yīng)用，其角度響應(yīng)在30°角度下為四倍以上，在
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TTL與CMOS，很基礎(chǔ)但很多人不知道

問(wèn)題引入在工作中，會(huì)遇到OC門(mén)與OD門(mén)的稱謂。而感性的認(rèn)識(shí)一般為：OD門(mén)是采用MOS管搭建的電路，壓（電壓）控元器件。OC門(mén)是采用晶體管搭建的電路，流（電流）控元器件。而OD門(mén)的功率損耗一般是小于OC門(mén)，為什么？電平TTL電平：輸出電平：高電平Uoh >=2.4v 低電平Uol <= 0.4v輸入電平：高電平Uih >= 2.0v 低電平 Uil <= 0.8vCMOS電平：輸出電平：高電平Uoh ≈ VCC Uol ≈ GND輸入電平：高電平Uih >= 0.7*VCC U
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CMOS傳感器+高級(jí)色彩算法，快準(zhǔn)穩(wěn)捕獲色彩

用機(jī)器視覺(jué)代替人眼來(lái)判別顏色之間的差異，實(shí)現(xiàn)在線檢測(cè)，大大提高了檢測(cè)效率，同時(shí)對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行全檢，檢測(cè)結(jié)果更為客觀、更準(zhǔn)確。無(wú)論是分撿水果和蔬菜還是檢查運(yùn)動(dòng)鞋，在保證可靠性的前提下高速捕獲準(zhǔn)確的色彩和豐富的細(xì)節(jié)都要求相機(jī)具備某些特征。那么，相機(jī)廠商該如何應(yīng)對(duì)這些需求提出的挑戰(zhàn)呢？Blackfly S和Oryx將新的CMOS傳感器及高級(jí)色彩算法完美結(jié)合，并具備：色彩校正矩陣，用于實(shí)現(xiàn)在任一照明條件下的精確色彩再現(xiàn)；高質(zhì)量圖像，卓越的靈敏度和動(dòng)態(tài)范圍，能夠較大限度提升圖像對(duì)比度；靈活多變的自定義觸發(fā)設(shè)置，準(zhǔn)確觸發(fā)
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CMOS傳感器+高級(jí)色彩算法，快準(zhǔn)穩(wěn)捕獲一致色彩

用機(jī)器視覺(jué)代替人眼來(lái)判別顏色之間的差異，實(shí)現(xiàn)在線檢測(cè)，大大提高了檢測(cè)效率，同時(shí)對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行全檢，檢測(cè)結(jié)果更為客觀、更準(zhǔn)確。問(wèn)：無(wú)論是分撿水果和蔬菜還是檢查運(yùn)動(dòng)鞋，在保證可靠性的前提下高速捕獲準(zhǔn)確的色彩和豐富的細(xì)節(jié)都要求相機(jī)具備某些特征。那么，相機(jī)廠商該如何應(yīng)對(duì)這些需求提出的挑戰(zhàn)呢？答：Blackfly S和Oryx將新的CMOS傳感器及高級(jí)色彩算法完美結(jié)合，并具備：? 色彩校正矩陣，用于實(shí)現(xiàn)在任一照明條件下的精確色彩再現(xiàn)? 高質(zhì)量圖像，卓越的靈敏度和動(dòng)態(tài)范圍，能夠較大限度提升圖像對(duì)比度?
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Dolphin Design宣布首款支持12納米FinFet技術(shù)的硅片成功流片

這款測(cè)試芯片是業(yè)界首款采用12納米FinFet（FF）技術(shù)為音頻IP提供完整解決方案的產(chǎn)品。該芯片完美結(jié)合了高性能、低功耗和優(yōu)化的占板面積，為電池供電應(yīng)用提供卓越的音質(zhì)與功能。這款專用測(cè)試芯片通過(guò)加快產(chǎn)品上市進(jìn)程、提供同類最佳性能、及確保穩(wěn)健的產(chǎn)品設(shè)計(jì)，堅(jiān)定客戶對(duì)Dolphin Design產(chǎn)品的信心，再度證實(shí)了Dolphin Design在混合信號(hào)IP領(lǐng)域的行業(yè)領(lǐng)先地位。2024年2月22日，法國(guó)格勒諾布爾——高性能模擬、混合信號(hào)、處理知識(shí)產(chǎn)權(quán)（IP）以及ASIC設(shè)計(jì)的行業(yè)領(lǐng)先供應(yīng)商Dolphin De
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CMOS 2.0 革命

受到威脅的不是摩爾定律本身，而是它所代表的促進(jìn)經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng)、科學(xué)進(jìn)步和可持續(xù)創(chuàng)新的能力。
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晶體管進(jìn)入納米片時(shí)代

3D 芯片堆疊對(duì)于補(bǔ)充晶體管的發(fā)展路線圖至關(guān)重要。
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臺(tái)積電熊本新廠建筑工程上個(gè)月末已完成

1月8日消息，據(jù)報(bào)道，日本熊本放送消息，臺(tái)積電日本熊本新廠建筑工程在上個(gè)月末已完成，預(yù)定年內(nèi)投產(chǎn)，目前處于設(shè)備移入進(jìn)機(jī)階段。另外，該廠開(kāi)幕式預(yù)計(jì)在2月24日舉行。公開(kāi)資料顯示，臺(tái)積電日本子公司主要股東包括持股71%的臺(tái)積電、持股近20%的索尼，以及持股約10%的日本電裝（DENSO），熊本第一工廠計(jì)劃生產(chǎn)12/16nm和22/28nm這類成熟制程的半導(dǎo)體，初期多數(shù)產(chǎn)能為索尼代工 CMOS 圖像傳感器中采用的數(shù)字圖像處理器（ISP），其余則為電裝代工車用電子微控制器 MCU，電裝可取得約每月1萬(wàn)片產(chǎn)能。臺(tái)積
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CIS 產(chǎn)能誘惑再起

移動(dòng)互聯(lián)時(shí)代，在電子半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)周期由谷底向上走階段，有 3~4 類芯片會(huì)沖在前面，呈現(xiàn)出明顯的增長(zhǎng)勢(shì)頭，存儲(chǔ)器是典型代表，還有一種芯片也很搶眼，那就是 CIS（CMOS 圖像傳感器），它在 2019~2020 年那一波產(chǎn)業(yè)高速增長(zhǎng)過(guò)程中就扮演了重要角色。如今，2024 年半導(dǎo)體業(yè)即將復(fù)蘇，CIS 再一次沖在了前面。CIS 有三大應(yīng)用領(lǐng)域：手機(jī)、安防和汽車。當(dāng)然，CIS 在工業(yè)和其它消費(fèi)類電子產(chǎn)品上也有應(yīng)用。近日，全球 CIS 市場(chǎng)排名第二的三星電子發(fā)出通知，將大幅調(diào)升 2024 年第一季度 CIS 產(chǎn)品的
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英特爾展示 3D 堆疊 CMOS 晶體管技術(shù)：在 60nm 柵距下實(shí)現(xiàn) CFET

IT之家 12 月 10 日消息，由于當(dāng)下摩爾定律放緩，堆疊晶體管概念重獲關(guān)注，IMEC （比利時(shí)微電子研究中心）于 2018 年提出了堆疊互補(bǔ)晶體管的微縮版 CFET 技術(shù)（IT之家注：即垂直堆疊互補(bǔ)場(chǎng)效應(yīng)晶體管技術(shù)，業(yè)界認(rèn)為 CFET 將取代全柵極 GAA 晶體管技術(shù)），英特爾和臺(tái)積電也都進(jìn)行了跟進(jìn)。在今年的 IEEE 國(guó)際電子器件會(huì)議（IEDM 2023）上，英特爾展示了多項(xiàng)技術(shù)突破，并強(qiáng)調(diào)了摩爾定律的延續(xù)和演變。首先，英特爾展示了其中 3D 堆疊 CMOS（互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體）晶體管方面取得的突
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下一代CMOS邏輯，邁入1nm時(shí)代

3D 亞納米時(shí)代，CMOS 邏輯電路如何發(fā)展？
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Teledyne e2v 發(fā)布新一代高性能全局快門(mén) CMOS 圖像傳感器

Teledyne Technologies [NYSE: TDY] 子公司、全球成像解決方案革新者 Teledyne e2v 發(fā)布全新高水準(zhǔn) CMOS 圖像傳感器系列 Emerald? Gen 2。新系列在 Teledyne e2v 先進(jìn)成像技術(shù)的基礎(chǔ)上又增強(qiáng)了性能，使之成為各種機(jī)器視覺(jué)應(yīng)用、室外監(jiān)控以及交通檢測(cè)與監(jiān)控相機(jī)的理想選擇。 Emerald? Gen2Emerald Gen2 的型號(hào)分為 8.9M像素（4,096 x 2,160）和 12M 像素（4,096 x 3,072）
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新思科技攜手是德科技、Ansys面向臺(tái)積公司4 納米射頻FinFET工藝推出全新參考流程

摘要：●? ?全新參考流程針對(duì)臺(tái)積公司 N4PRF 工藝打造，提供開(kāi)放、高效的射頻設(shè)計(jì)解決方案?！? ?業(yè)界領(lǐng)先的電磁仿真工具將提升WiFi-7系統(tǒng)的性能和功耗效率?！? ?集成的設(shè)計(jì)流程提升了開(kāi)發(fā)者的生產(chǎn)率，提高了仿真精度，并加快產(chǎn)品的上市時(shí)間。近日宣布，攜手是德科技（Keysight）、Ansys共同推出面向臺(tái)積公司業(yè)界領(lǐng)先N4PRF工藝（4納米射頻FinFET工藝）的全新參考流程。該參考流程基于新思科技的定制設(shè)計(jì)系列產(chǎn)品，為追求更高預(yù)測(cè)精度
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