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東芝推出采用TOLL封裝的第3代650V SiC MOSFET

中國(guó)上海，2025年8月28日——東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，推出三款650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW027U65C”、“TW048U65C”和“TW083U65C”。這三款產(chǎn)品配備其最新[1]第3代SiC MOSFET芯片，并采用表面貼裝TOLL封裝，適用于開(kāi)關(guān)電源、光伏發(fā)電機(jī)功率調(diào)節(jié)器等工業(yè)設(shè)備。三款器件于今日開(kāi)始支持批量出貨。三款新產(chǎn)品是東芝第3代SiC MOSFET，采用通用表面貼裝TOLL封裝，與TO-247和TO-247-4L(X)
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東芝與天岳先進(jìn)達(dá)成SiC功率半導(dǎo)體襯底合作協(xié)議

據(jù)“天岳先進(jìn)”官方微信公眾號(hào)消息，8月22日，東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（以下簡(jiǎn)稱“東芝電子元件”）與山東天岳先進(jìn)科技股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“天岳先進(jìn)”）就SiC功率半導(dǎo)體用襯底達(dá)成基本合作協(xié)議。雙方將在技術(shù)協(xié)作與商業(yè)合作兩方面展開(kāi)深入合作，具體包括提升SiC功率半導(dǎo)體特性和品質(zhì)，以及擴(kuò)大高品質(zhì)穩(wěn)定襯底供應(yīng)。未來(lái)，雙方將圍繞合作細(xì)節(jié)展開(kāi)進(jìn)一步磋商。東芝電子元件憑借在鐵路用SiC功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的開(kāi)發(fā)與制造經(jīng)驗(yàn)，正加速推進(jìn)服務(wù)器電源用和車載用SiC器件的研發(fā)。未來(lái)，東芝電子元件計(jì)劃進(jìn)一步降低SiC功率半導(dǎo)
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SiC MOSFET 界面陷阱檢測(cè)升級(jí)：Force-I QSCV 方法詳解

電容-電壓 (C-V) 測(cè)量廣泛用于半導(dǎo)體材料和器件表征，可提取氧化物電荷、界面陷阱、摻雜分布、平帶電壓等關(guān)鍵參數(shù)。傳統(tǒng)基于 SMU 施加電壓并測(cè)量電流的準(zhǔn)靜態(tài)方法適用于硅 MOS，但在 SiC MOS 器件上因電容更大易導(dǎo)致結(jié)果不穩(wěn)定。為解決這一問(wèn)題，Keithley 4200A-SCS 引入 Force-I QSCV 技術(shù)，通過(guò)施加電流并測(cè)量電壓與時(shí)間來(lái)推導(dǎo)電容，獲得更穩(wěn)定可靠的數(shù)據(jù)。Force-I QSCV 技術(shù)在 SiC 功率 MOS 器件上體現(xiàn)出多項(xiàng)優(yōu)勢(shì)。比如僅需 1 臺(tái)帶前
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采用GaN的Cyclo轉(zhuǎn)換器如何幫助優(yōu)化微型逆變器和便攜式電源設(shè)計(jì)

1.簡(jiǎn)介微型逆變器中的功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)通常采用兩級(jí)式設(shè)計(jì)，如圖 1-1 所示。圖1-1 微型逆變器兩級(jí)拓?fù)湓谶@種方案中，首先是一個(gè)直流/直流級(jí)（反激式或推挽式升壓級(jí)），然后是另一個(gè)交流/直流級(jí)（自換向交流/直流或圖騰柱 PFC），將光伏電池板提供的直流電轉(zhuǎn)換為通常在 400VDC 左右的臨時(shí)直流總線。然后，根據(jù)國(guó)家或地區(qū)的電網(wǎng)情況，將直流總線轉(zhuǎn)換為交流電壓 (110VAC..230VAC)。功率級(jí)別過(guò)去通常在 300-400W 之間，但最近也出現(xiàn)了每個(gè)輸入功率高達(dá) 600W 以及多輸入系統(tǒng)的實(shí)施。微型逆變器傳
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單片集成 GaN 功率 IC 如何提高功率密度并減少元件數(shù)量？

與傳統(tǒng)硅芯片相比，單片集成 GaN 功率 IC 具有顯著優(yōu)勢(shì)，包括卓越的效率、更小的尺寸、更高的速度和更低的成本。GaN 的特別之處在于其天然特性，例如更高的臨界電場(chǎng)、更低的導(dǎo)通電阻和更小的寄生電容。半導(dǎo)體工程師現(xiàn)在正在采用一種稱為單片集成的智能方法，該方法涉及將所有電路組件構(gòu)建在單個(gè)芯片上，而不是連接單獨(dú)的部件。工程師通常在稱為硅基氮化鎵或 SOI 基氮化鎵晶圓的專用平臺(tái)上構(gòu)建這些系統(tǒng)，這些平臺(tái)是構(gòu)建在其之上的其他一切的基礎(chǔ)。圖 1.GaN功率IC的單片集成方法：（a）從供體晶圓到最終金屬柵極形成的完整
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瑞薩電子通過(guò)下一代功率FET將GaN推向千瓦級(jí)

幾十年來(lái)，硅一直是電力電子領(lǐng)域無(wú)可爭(zhēng)議的領(lǐng)導(dǎo)者。但隨著硅達(dá)到其性能極限，氮化鎵（GaN）功率器件正在取得進(jìn)展。憑借更快的開(kāi)關(guān)速度和更高的效率，氮化鎵已經(jīng)在消費(fèi)類快速充電器中發(fā)揮了重大作用，與硅相比，實(shí)現(xiàn)了系統(tǒng)級(jí)成本、空間和功耗節(jié)省。然而，盡管具有所有功率處理特性，但基于氮化鎵的橫向高電子遷移率晶體管（HEMT）一直在努力進(jìn)入千瓦級(jí)功率設(shè)計(jì)。瑞薩電子正試圖通過(guò)其最新的高壓氮化鎵功率 FET 來(lái)改變這一現(xiàn)狀，該 FET 專為要求苛刻的系統(tǒng)而設(shè)計(jì)，從數(shù)據(jù)中心的 AI 服務(wù)器電源和不間斷電源（
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從IGBT到GaN：10kW串式逆變器設(shè)計(jì)的關(guān)鍵要點(diǎn)與性能優(yōu)勢(shì)解析

隨著全球?qū)δ茉纯沙掷m(xù)性與安全性的關(guān)注升溫，住宅太陽(yáng)能儲(chǔ)能系統(tǒng)需求持續(xù)攀升。當(dāng)前市場(chǎng)上，2kW級(jí)微型逆變器已實(shí)現(xiàn)集成儲(chǔ)能功能，而更高功率場(chǎng)景則需依賴串式逆變器或混合串式逆變器。本文聚焦基于TI GaN FET的10kW單相串式逆變器設(shè)計(jì)，探討其技術(shù)優(yōu)勢(shì)與核心設(shè)計(jì)要點(diǎn)，為住宅太陽(yáng)能應(yīng)用提供高能效、高密度的解決方案參考?；旌洗侥孀兤骷軜?gòu)：從模塊到系統(tǒng)典型的混合串式逆變器通過(guò)穩(wěn)壓直流母線互聯(lián)各功能模塊（圖1），核心子系統(tǒng)包括：●單向DC/DC轉(zhuǎn)換器：執(zhí)行光伏最大功率點(diǎn)跟蹤（MPPT），優(yōu)化能量捕獲；●雙向DC/
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GaN如何讓光伏充電控制器更高效更小巧？TI給出答案

在光伏系統(tǒng)中，充電控制器的效率與體積直接影響太陽(yáng)能利用率和安裝成本。傳統(tǒng)設(shè)計(jì)多采用MOSFET方案，而德州儀器（TI）推出的中壓GaN器件LMG2100，通過(guò)集成驅(qū)動(dòng)與電源環(huán)路優(yōu)化，為光伏充電控制器帶來(lái)了效率、尺寸與成本的全面突破。電子電氣設(shè)備快速發(fā)展，需要提供的功率比以往任何時(shí)候都大得多。對(duì)于許多家庭來(lái)說(shuō)，要縮減電費(fèi)支出或助力實(shí)現(xiàn)綠色可持續(xù)的未來(lái)，太陽(yáng)能都是不錯(cuò)的選擇，而半導(dǎo)體在其中發(fā)揮著重要作用。適用于光伏應(yīng)用的緊湊型高效電源轉(zhuǎn)換器既能幫助用戶減少室內(nèi)占用面積，又能節(jié)省成本。氮化鎵 (GaN
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第三代半導(dǎo)體洗牌GaN躍居主角

拓墣產(chǎn)業(yè)研究院最新報(bào)告指出，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)日益激烈，氮化鎵（GaN）功率元件憑借其高頻、高功率特性，在5G/6G基地臺(tái)、航空航天、AI運(yùn)算等應(yīng)用領(lǐng)域快速崛起。拓墣預(yù)估，2025年全球GaN功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)7.5億美元，年增率高達(dá)62.7%，至2030年將擴(kuò)大至43.8億美元，年復(fù)合成長(zhǎng)率（CAGR）達(dá)42.3%。GaN組件具備優(yōu)異電性能與高可靠性，除了主流通訊以及工業(yè)應(yīng)用外，也加速滲透至智慧城市、無(wú)線充電與醫(yī)療設(shè)備等新興場(chǎng)景。隨中國(guó)大陸等地積極推動(dòng)產(chǎn)業(yè)自主，全球GaN供應(yīng)鏈本土化進(jìn)程加速，各國(guó)
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GaN如何改進(jìn)光伏充電控制器

本應(yīng)用簡(jiǎn)報(bào)介紹TI GaN器件如何改進(jìn)光伏充電控制器。與MOSFET相比，使用TI GaN器件可提高效率并減小PCB尺寸，而且不會(huì)增加BOM成本。
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Microchip與臺(tái)達(dá)電子簽署碳化硅解決方案合作協(xié)議，共創(chuàng)電源管理未來(lái)

隨著人工智能（AI）快速發(fā)展與萬(wàn)物電氣化進(jìn)程加速，市場(chǎng)對(duì)更高的電源效率與可靠性的需求持續(xù)增長(zhǎng)。Microchip Technology Inc.（微芯科技公司）近日宣布與全球電源管理與智能綠色解決方案領(lǐng)導(dǎo)者臺(tái)達(dá)電子工業(yè)股份有限公司（Delta Electronics, Inc.）（以下簡(jiǎn)稱“臺(tái)達(dá)電子”）簽署全新合作協(xié)議。雙方將攜手在臺(tái)達(dá)設(shè)計(jì)中應(yīng)用Microchip的mSiC?產(chǎn)品與技術(shù)，通過(guò)雙方合作加速創(chuàng)新型碳化硅（SiC）解決方案、節(jié)能產(chǎn)品及系統(tǒng)的開(kāi)發(fā)，助力構(gòu)建更可持續(xù)的未來(lái)。Microchip負(fù)責(zé)高功
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基于TI GaN FET的10kW單相串式逆變器的設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)

鑒于對(duì)能源可持續(xù)性和能源安全的擔(dān)憂，當(dāng)前對(duì)儲(chǔ)能系統(tǒng)的需求不斷加速增長(zhǎng)，尤其是在住宅太陽(yáng)能裝置領(lǐng)域。市面上有一些功率高達(dá) 2kW 且?guī)в屑墒絻?chǔ)能系統(tǒng)的微型逆變器。當(dāng)系統(tǒng)需要更高功率時(shí)，也可以選用連接了儲(chǔ)能系統(tǒng)的串式逆變器或混合串式逆變器。圖1是混合串式逆變器的方框圖。常見(jiàn)的穩(wěn)壓直流母線可將各個(gè)基本模塊互聯(lián)起來(lái)。混合串式逆變器包含以下子塊：●? ?用于執(zhí)行最大功率點(diǎn)跟蹤的單向 DC/DC 轉(zhuǎn)換器?！? ?用于電池充電和放電的雙向 DC/DC 轉(zhuǎn)換器。電池可在夜間或停電
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英飛凌300毫米GaN制造路線圖的進(jìn)展

隨著對(duì) GaN 半導(dǎo)體的需求持續(xù)增長(zhǎng)，Infineon Technologies AG 已準(zhǔn)備好利用這一趨勢(shì)，鞏固其作為 GaN 市場(chǎng)領(lǐng)先集成器件制造商（IDM）的地位。今天，該公司宣布其在 300 毫米晶圓上的可擴(kuò)展 GaN 制造正在按計(jì)劃進(jìn)行。隨著 2025 年第四季度向客戶提供第一批樣品，該公司已做好充分準(zhǔn)備來(lái)擴(kuò)大其客戶群并鞏固其作為領(lǐng)先 GaN 巨頭的地位。作為電力系統(tǒng)的領(lǐng)導(dǎo)者，該公司掌握了所有三種相關(guān)材料：Si、SiC 和 GaN。GaN 半導(dǎo)體具有更高的功率密度、更快的開(kāi)關(guān)速度和更低的功率
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GaN代工模型是否面臨問(wèn)題？Innoscience參與臺(tái)積電2027退出

雖然臺(tái)積電計(jì)劃到 2027 年退出氮化鎵（GaN）晶圓代工業(yè)務(wù)，但行業(yè)巨頭英飛凌正在加大努力，這標(biāo)志著 GaN 領(lǐng)域的重大轉(zhuǎn)變。哪些因素可能推動(dòng)了這些不同的策略？根據(jù)《科創(chuàng)板日?qǐng)?bào)》的報(bào)道，中國(guó)英諾賽科董事會(huì)主席羅偉偉解釋說(shuō)，氮化鎵晶圓生產(chǎn)可能不太適合傳統(tǒng)的代工模式。為什么 GaN 不適合代工模型正如報(bào)告中所引用的，Luo 解釋說(shuō)，傳統(tǒng)的功率半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)相對(duì)簡(jiǎn)單，不會(huì)對(duì)代工服務(wù)產(chǎn)生強(qiáng)勁的需求。特別是對(duì)于 GaN 功率器件，這種模型沒(méi)有提供足夠的投資回報(bào) （ROI），并且缺乏代工廠與其客戶之間通?？吹降?/li>
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基于onsemi NCP51752隔離式SiC MOSFET閘極驅(qū)動(dòng)器評(píng)估板

NCP51752是隔離單通道柵極驅(qū)動(dòng)器系列,源極和吸收峰電流分別為+4.5 A/-9A。它們?cè)O(shè)計(jì)用于快速切換以驅(qū)動(dòng)功率MOSFET和SiC MOSFET功率開(kāi)關(guān)。 NCP51752提供短而匹配的傳播延遲。為了提高可靠性、dV/dt免疫力，甚至更快地關(guān)閉，NCP51752具有嵌入式負(fù)偏置軌機(jī)制在GND2和VEE引腳之間。本用戶指南支持NCP51752的評(píng)估板。它應(yīng)該與NCP51752數(shù)據(jù)表以及onsemi的應(yīng)用說(shuō)明和技術(shù)支持團(tuán)隊(duì)一起使用。本文檔描述了孤立單體的擬
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