隨著對(duì) GaN 半導(dǎo)體的需求持續(xù)增長，Infineon Technologies AG 已準(zhǔn)備好利用這一趨勢，鞏固其作為 GaN 市場領(lǐng)先集成器件制造商 （IDM） 的地位。今天，該公司宣布其在 300 毫米晶圓上的可擴(kuò)展 GaN 制造正在按計(jì)劃進(jìn)行。隨著 2025 年第四季度向客戶提供第一批樣品，該公司已做好充分準(zhǔn)備來擴(kuò)大其客戶群并鞏固其作為領(lǐng)先 GaN 巨頭的地位。

作為電力系統(tǒng)的領(lǐng)導(dǎo)者，該公司掌握了所有三種相關(guān)材料：Si、SiC 和 GaN。GaN 半導(dǎo)體具有更高的功率密度、更快的開關(guān)速度和更低的功率損耗，可實(shí)現(xiàn)更小的設(shè)計(jì)，從而減少智能手機(jī)充電器、工業(yè)和人形機(jī)器人或太陽能逆變器等電子設(shè)備的能耗和熱量產(chǎn)生。

英飛凌氮化鎵業(yè)務(wù)線負(fù)責(zé)人Johannes Schoiswohl表示：“我們?nèi)鏀U(kuò)大的300毫米氮化鎵制造將使我們能夠更快地為客戶提供最高價(jià)值，同時(shí)朝著同類硅和氮化鎵產(chǎn)品的成本平價(jià)邁進(jìn)。在英飛凌宣布在300毫米氮化鎵晶圓技術(shù)方面取得突破近一年后，我們很高興我們的過渡過程進(jìn)展順利，并且業(yè)界已經(jīng)認(rèn)識(shí)到英飛凌氮化鎵技術(shù)的重要性，這得益于我們的IDM戰(zhàn)略。

該公司的制造戰(zhàn)略主要依賴于 IDM 模型，該模型涉及擁有從設(shè)計(jì)到制造和銷售最終產(chǎn)品的整個(gè)半導(dǎo)體生產(chǎn)過程。其內(nèi)部制造戰(zhàn)略是市場的關(guān)鍵差異化因素，具有多項(xiàng)優(yōu)勢，例如高質(zhì)量、更快的上市時(shí)間以及卓越的設(shè)計(jì)和開發(fā)靈活性。它致力于支持其 GaN 客戶，并可以擴(kuò)展產(chǎn)能以滿足他們對(duì)可靠 GaN 電源解決方案的需求。

憑借其技術(shù)領(lǐng)先地位，該公司已成為第一家在其現(xiàn)有的大批量制造基礎(chǔ)設(shè)施中成功開發(fā) 300 毫米 GaN 功率晶圓技術(shù)的半導(dǎo)體制造商。與現(xiàn)有的 200 毫米晶圓相比，在 300 毫米晶圓上生產(chǎn)芯片在技術(shù)上更先進(jìn)，效率更高，因?yàn)楦蟮木A直徑允許每個(gè)晶圓生產(chǎn) 2.3 倍的芯片。隨著 GaN 功率半導(dǎo)體迅速應(yīng)用于工業(yè)、汽車、消費(fèi)以及計(jì)算和通信應(yīng)用，例如 AI 系統(tǒng)的電源、太陽能逆變器、充電器和適配器或電機(jī)控制系統(tǒng)，需要這些增強(qiáng)的功能，再加上公司龐大的 GaN 專家團(tuán)隊(duì)和業(yè)界最全面的 IP 組合。