熟女俱乐部五十路二区av,又爽又黄禁片视频1000免费,国产卡一卡二卡三无线乱码新区,中文无码一区二区不卡αv,中文在线中文a

首頁　 資訊　 商機 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> gan+sic

英飛凌達成200mm碳化硅(SiC)新里程碑：開始交付首批產品

  • ●? ?英飛凌開始向客戶提供首批采用先進的200 mm碳化硅（SiC）晶圓制造技術的SiC產品●? ?這些產品在奧地利菲拉赫生產，為高壓應用領域提供一流的SiC功率技術●? ?200 mm SiC的生產將鞏固英飛凌在所有功率半導體材料領域的技術領先優(yōu)勢英飛凌200mm SiC晶圓英飛凌科技股份公司在200 mm SiC產品路線圖上取得重大進展。公司將于2025年第一季度向客戶提供首批基于先進的200 mm SiC技術的產品。這些產品在位于奧地利菲
  • 關鍵字： 英飛凌  碳化硅  SiC  200mm碳化硅  

三代進化，安森美 EliteSiC MOSFET 技術發(fā)展解析

  • SiC 器件性能表現(xiàn)突出，能實現(xiàn)高功率密度設計，有效應對關鍵環(huán)境和能源成本挑戰(zhàn)，也因此越來越受到電力電子領域的青睞。與硅 (Si) MOSFET 和 IGBT 相比，SiC 器件的運行頻率更高，有助于實現(xiàn)高功率密度設計、減少散熱、提高能效，并減輕電源轉換器的重量。其獨特的材料特性可以減少開關和導通損耗。與 Si MOSFET 相比，SiC 器件的電介質擊穿強度更高、能量帶隙更寬且熱導率更優(yōu)，有利于開發(fā)更緊湊、更高效的電源轉換器。安森美 (onsemi)的 1200V?分立器件和模塊中的 M3S
  • 關鍵字： SiC  電源轉換  

英飛凌達成200mm碳化硅（SiC）新里程碑：開始交付首批產品

  • 英飛凌在200mm SiC產品路線圖上取得重大進展。公司將于2025年第一季度向客戶提供首批基于先進的200mm SiC技術的產品。這些產品在位于奧地利菲拉赫的生產基地制造，將為高壓應用領域提供先進的SiC功率技術，包括可再生能源系統(tǒng)、鐵路運輸和電動汽車等。此外，英飛凌位于馬來西亞居林的生產基地正在從150mm晶圓向直徑更大、更高效的200mm晶圓過渡。新建的第三廠區(qū)將根據(jù)市場需求開始大批量生產。英飛凌200mm SiC晶圓Rutger Wijburg博士—英飛凌科技首席運營官我們正在按計劃實施SiC產品
  • 關鍵字： 英飛凌  200mm  SiC  

日本電裝開發(fā)出GaN 三電平汽車電驅方案

  • 據(jù)日媒報道，名古屋大學和日本電裝公司利用橫向 GaN HEMT，合作開發(fā)出了一種 800V 兼容逆變器（三相、三電平），主要用于驅動使用的電動汽車牽引電機（圖 1）。據(jù)了解，名古屋大學與松下控股、豐田合成、大阪大學和電裝合作，參與了日本環(huán)境省自 2022 年以來實施的項目“加速實現(xiàn)創(chuàng)新 CO? 減排材料的社會實施和傳播項目”。新開發(fā)的高壓三電平逆變器是該項目努力的結果。圖1 ：電裝橫向 GaN HEMT 電驅逆變器（左）、單相降壓 DC-DC 轉換器運行時的開關波形（右）。提高電動汽車和混合動力電動汽車（
  • 關鍵字： 日本電裝  GaN  三電平  汽車電驅  

復旦大學在Si CMOS+GaN單片異質集成的探索

  • 異質異構Chiplet正成為后摩爾時代AI海量數(shù)據(jù)處理的重要技術路線之一，正引起整個半導體行業(yè)的廣泛關注，但這種方法要真正實現(xiàn)商業(yè)化，仍有賴于通用標準協(xié)議、3D建模技術和方法等。然而，以拓展摩爾定律為標注的模擬類比芯片技術，在非尺寸依賴追求應用多樣性、多功能特點的現(xiàn)實需求，正在推動不同半導體材料的異質集成研究。為此，復旦大學微電子學院張衛(wèi)教授、江南大學集成電路學院黃偉教授合作開展了Si CMOS+GaN單片異質集成的創(chuàng)新研究，并在近期國內重要會議上進行報道。復旦大學微電子學院研究生杜文張、何漢釗、范文琪等
  • 關鍵字： 復旦大學  Si CMOS  GaN  單片異質集成  

設計高壓SIC的電池斷開開關

  • DC總線電壓為400 V或更大的電氣系統(tǒng)，由單相或三相電網(wǎng)功率或儲能系統(tǒng)（ESS）提供動力，可以通過固態(tài)電路保護提高其可靠性和彈性。在設計高壓固態(tài)電池斷開連接開關時，需要考慮一些基本的設計決策。關鍵因素包括半導體技術，設備類型，熱包裝，設備堅固性以及在電路中斷期間管理電感能量。本文討論了選擇功率半導體技術的設計注意事項，并為高壓，高電流電池斷開開關定義了半導體包裝，以及表征系統(tǒng)寄生電感和過度流動保護限制的重要性?！　拵О雽w技術的優(yōu)勢需要仔細考慮以選擇的半導體材料以實現(xiàn)具有的狀態(tài)阻力，的離狀態(tài)泄漏電流，
  • 關鍵字： SIC  電池斷開開關  

650V耐壓GaN HEMT新增小型與高散熱TOLL封裝

  • 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）已將TOLL（TO-LeadLess）封裝的650V耐壓GaN HEMT*1“GNP2070TD-Z”投入量產。TOLL封裝不僅體積小，散熱性能出色，還具有優(yōu)異的電流容量和開關特性，因此在工業(yè)設備、車載設備以及需要支持大功率的應用領域被越來越多地采用。此次，ROHM將封裝工序外包給了作為半導體后道工序供應商（OSAT）擁有豐富業(yè)績的日月新半導體（威海）有限公司（ATX SEMICONDUCTOR (WEIHAI) CO., LTD.，以下簡稱“ATX”）。
  • 關鍵字： GaN HEMT  TOLL封裝  ROHM  

技術洞察 | 邁向更綠色的未來：GaN技術的變革性影響

  • 作者Nihit Bajaj 英飛凌科技 GaN產品高級總監(jiān)校對宋清亮 英飛凌科技大中華區(qū)消費、計算與通訊業(yè)務高級首席工程師過去幾十年間，人口和經(jīng)濟活動的快速增長推動了全球能源消耗的穩(wěn)步增長，并且預計這一趨勢還將持續(xù)。這種增長是線下與線上活動共同作用的結果。因此，數(shù)據(jù)中心的快速擴張顯著增加了全球電力需求。據(jù)估計，2022年全球數(shù)據(jù)中心耗電量約為240-340太瓦時（TWh）。近年來，全球數(shù)據(jù)中心的能源消耗以每年20-40%的速度持續(xù)增長 [1] 。圖1：1910年以來
  • 關鍵字： 英飛凌  GaN  

春晚科技 「秧」 光：人形機器人未來已來

  • 在科技浪潮的推動下，人形機器人正逐漸從幕后走向臺前。在 2025 央視春晚中，著名電影導演張藝謀攜手杭州宇樹科技、新疆藝術學院帶來了一個名為《秧 BOT》的節(jié)目。舞臺上，宇樹科技的人形機器人與新疆藝術學院的舞蹈演員們默契共舞，人機互動的奇妙場景，不僅帶來了一場別開生面的視覺盛宴，展現(xiàn)出一種前所未有的科技美感，更讓觀眾真切感受到人形機器人時代的腳步正越來越近。這群 BOT 什么來頭？春晚舞臺上的《秧 BOT》節(jié)目，由 16 個靈動的 BOT（機器人 robot 的簡稱）與 16 名技藝精湛的新疆藝術學院舞蹈
  • 關鍵字： 人形機器人  GaN  CIS  傳感器  

日常生活中的工業(yè)技術：助力智能生活的幕后力量

  • 大多數(shù)人在想象工業(yè)應用中的技術時，想到的是大型的機械和復雜的制造流程，這似乎與日常生活毫無關聯(lián)。然而通過實時控制，系統(tǒng)可以在規(guī)定的時間范圍內收集、處理數(shù)據(jù)并自行更新。智能感應可以檢測人員和機械，而邊緣人工智能 (AI) 可以快速、高效地做出決策。這些技術涵蓋從制造到物流的方方面面。它們就像超人一樣，從我們早上起床到晚上睡覺休息的這段時間里，在幕后悄悄地執(zhí)行著各種各樣的任務，讓我們的世界正常運轉。對我們的日常生活來說，在工業(yè)應用中使用的技術與智能手機一樣重要且有益。它們?yōu)槲覀児?jié)省了時間，增加了便利性；保護我
  • 關鍵字： 工業(yè)技術  智能生活  德州儀器  C2000  GaN  

國產1700V GaN器件進一步打開應用端市場

  • 遠山半導體在連續(xù)推出幾款高壓GaN器件后，最終將他們最新款產品的額定電壓推向1700V，相較于之前的1200V器件又有了顯著的提升。為了解決GaN器件常見的電流崩塌問題，他們采用特有的極化超級結（PSJ: Polarization Super Junction）技術，并對工藝進行進一步優(yōu)化，使器件的額定工作電壓和工作電流得到更大的提升（1700V/30A）。本次測試采用遠山半導體提供的1700V/100mΩ規(guī)格GaN樣品,其可以輕松應對1000V輸入電壓下的開關測試需求，在靜態(tài)測試條件下，1700V時測得
  • 關鍵字： GaN  電流崩塌  功率器件  

基于SiC的高電壓電池斷開開關的設計注意事項

  • 得益于固態(tài)電路保護，直流母線電壓為400V或以上的電氣系統(tǒng)（由單相或三相電網(wǎng)電源或儲能系統(tǒng)（ESS）供電）可提升自身的可靠性和彈性。在設計高電壓固態(tài)電池斷開開關時，需要考慮幾項基本的設計決策。其中關鍵因素包括半導體技術、器件類型、熱封裝、器件耐用性以及電路中斷期間的感應能量管理。在本文中，我們將討論在選擇功率半導體技術和定義高電壓、高電流電池斷開開關的半導體封裝時的一些設計注意事項，以及表征系統(tǒng)的寄生電感和過流保護限值的重要性。寬帶隙半導體技術的優(yōu)勢在選擇最佳半導體材料時，應考慮多項特性。目標是打造兼具最
  • 關鍵字： SiC  高電壓電池  斷開開關  

邁向更綠色的未來：GaN技術的變革性影響

  • 過去幾十年間，人口和經(jīng)濟活動的快速增長推動了全球能源消耗的穩(wěn)步增長，并且預計這一趨勢還將持續(xù)。這種增長是線下與線上活動共同作用的結果。因此，數(shù)據(jù)中心的快速擴張顯著增加了全球電力需求。據(jù)估計，2022 年全球數(shù)據(jù)中心耗電量約為240-340 太瓦時（TWh）。近年來，全球數(shù)據(jù)中心的能源消耗以每年20-40% 的速度持續(xù)增長[1]。圖1 1910年以來全球二氧化碳排放量（單位：千兆噸）：總量（上）；按行業(yè)劃分（下）隨著能源消耗的增加，相關的二氧化碳排放量也在2022年達到創(chuàng)紀錄的37 千兆噸。為應對這一問題，
  • 關鍵字： 202412  GaN  CoolGaN  

深度 | GaN還是SiC，電氣工程師該如何選擇？

  • /  編輯推薦 /氮化鎵晶體管和碳化硅MOSFET是近年來新興的功率半導體，相比于傳統(tǒng)的硅材料功率半導體，他們都具有許多非常優(yōu)異的特性：耐壓高，導通電阻小，寄生參數(shù)小等。他們也有各自與眾不同的特性：氮化鎵晶體管的極小寄生參數(shù)，極快開關速度使其特別適合高頻應用。碳化硅MOSFET的易驅動，高可靠等特性使其適合于高性能開關電源中。本文基于英飛凌科技有限公司的氮化鎵晶體管和碳化硅MOSFET產品，對他們的結構、特性、兩者的應用差異等方面進行了詳細的介紹。引 言作為第三代功率半導體的絕代雙驕，氮化鎵晶體
  • 關鍵字： 英飛凌  GaN  SiC  電氣工程師  

安森美將收購碳化硅JFET技術，以增強其針對AI數(shù)據(jù)中心的電源產品組合

  • 安森美（onsemi）宣布已與Qorvo達成協(xié)議，以1.15億美元現(xiàn)金收購其碳化硅結型場效應晶體管(SiC JFET) 技術業(yè)務及其子公司United Silicon Carbide。該收購將補足安森美廣泛的EliteSiC電源產品組合，使其能應對人工智能（AI）數(shù)據(jù)中心電源AC-DC段對高能效和高功率密度的需求，還將加速安森美在電動汽車斷路器和固態(tài)斷路器(SSCB) 等新興市場的部署。SiC JFET的單位面積導通電阻超低，低于任何其他技術的一半。它們還支持使用硅基晶體管幾十年來常用的現(xiàn)成驅動器。綜合這
  • 關鍵字： 安森美  碳化硅JFET  SiC JFET  數(shù)據(jù)中心電源   
共741條 4/50 |‹ « 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 » ›|

gan+sic介紹

您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條gan+sic!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對gan+sic的理解，并與今后在此搜索gan+sic的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關于我們 - 廣告服務 - 企業(yè)會員服務 - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473