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SiC MOSFET 界面陷阱檢測升級：Force-I QSCV 方法詳解
- 電容-電壓 (C-V) 測量廣泛用于半導體材料和器件表征，可提取氧化物電荷、界面陷阱、摻雜分布、平帶電壓等關鍵參數。傳統(tǒng)基于 SMU 施加電壓并測量電流的準靜態(tài)方法適用于硅 MOS，但在 SiC MOS 器件上因電容更大易導致結果不穩(wěn)定。為解決這一問題，Keithley 4200A-SCS 引入 Force-I QSCV 技術，通過施加電流并測量電壓與時間來推導電容，獲得更穩(wěn)定可靠的數據。Force-I QSCV 技術在 SiC 功率 MOS 器件上體現(xiàn)出多項優(yōu)勢。比如僅需 1 臺帶前
- 關鍵字： SiC MOSFET 界面陷阱檢測 QSCV 泰克
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