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單片集成 GaN 功率 IC 如何提高功率密度并減少元件數(shù)量?
- 與傳統(tǒng)硅芯片相比,單片集成 GaN 功率 IC 具有顯著優(yōu)勢(shì),包括卓越的效率、更小的尺寸、更高的速度和更低的成本。GaN 的特別之處在于其天然特性,例如更高的臨界電場(chǎng)、更低的導(dǎo)通電阻和更小的寄生電容。半導(dǎo)體工程師現(xiàn)在正在采用一種稱(chēng)為單片集成的智能方法,該方法涉及將所有電路組件構(gòu)建在單個(gè)芯片上,而不是連接單獨(dú)的部件。工程師通常在稱(chēng)為硅基氮化鎵或 SOI 基氮化鎵晶圓的專(zhuān)用平臺(tái)上構(gòu)建這些系統(tǒng),這些平臺(tái)是構(gòu)建在其之上的其他一切的基礎(chǔ)。圖 1.GaN功率IC的單片集成方法:(a)從供體晶圓到最終金屬柵極形成的完整
- 關(guān)鍵字: GaN 功率IC 功率密度
CGD為數(shù)據(jù)中心、逆變器等更多應(yīng)用推出新款低熱阻GaN功率IC封裝
- 無(wú)晶圓廠(chǎng)環(huán)??萍及雽?dǎo)體公司 Cambridge GaN Devices (CGD) 開(kāi)發(fā)了一系列高能效 GaN 功率器件,致力于打造更環(huán)保的電子器件。CGD 今日推出兩款新型 ICeGaN? 產(chǎn)品系列 GaN 功率 IC 封裝,它們具有低熱阻并便于光學(xué)檢查。這兩種封裝均采用經(jīng)過(guò)充分驗(yàn)證的 DFN 封裝,堅(jiān)固可靠。DHDFN-9-1(雙散熱器DFN)是一種薄的雙面冷卻封裝,外形尺寸僅為10x10 mm,并采用側(cè)邊可濕焊盤(pán)技術(shù),便于光學(xué)檢查。它具有低熱阻(Rth(JC)),可采用底部、頂部和雙側(cè)冷卻方式運(yùn)行,
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汽車(chē)功率IC中的開(kāi)關(guān)分類(lèi)及優(yōu)缺點(diǎn)
- 汽車(chē)功率IC涵蓋的范圍很寬,它包含汽車(chē)電子的IC應(yīng)用系統(tǒng)和功能元件。它們都有一個(gè)主要的功能,既實(shí)現(xiàn)從幾毫瓦到幾千瓦的電能的供應(yīng)、變換或驅(qū)動(dòng)。這些IC的工作范圍和12V、24V和48V的汽車(chē)電氣系統(tǒng)電壓相適應(yīng)。范圍從簡(jiǎn)
- 關(guān)鍵字: 汽車(chē) 功率IC 分類(lèi) 開(kāi)關(guān)
汽車(chē)功率IC中的高邊開(kāi)關(guān)和低邊開(kāi)關(guān)哪個(gè)更好?
- 汽車(chē)功率IC涵蓋的范圍很寬,它包含汽車(chē)電子的IC應(yīng)用系統(tǒng)和功能元件。它們都有一個(gè)主要的功能,既實(shí)現(xiàn)從幾毫...
- 關(guān)鍵字: 功率IC 高邊開(kāi)關(guān) 低邊開(kāi)關(guān)
意法半導(dǎo)體提升手機(jī)內(nèi)部保護(hù)功能,為環(huán)保充電器開(kāi)路
- 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
- 關(guān)鍵字: GPS接收機(jī) 功率IC 意法半導(dǎo)體
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