碳化硅 mosfet 文章進(jìn)入碳化硅 mosfet技術(shù)社區(qū)

功率半導(dǎo)體“放量年”，IGBT、MOSFET與SIC的思考

4月24日，東芝電子元器件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社宣布，在石川縣能美市的加賀東芝電子公司舉行了一座可處理300毫米晶圓的新功率半導(dǎo)體制造工廠的奠基儀式。該工廠是其主要的分立半導(dǎo)體生產(chǎn)基地。施工將分兩個(gè)階段進(jìn)行，第一階段的生產(chǎn)計(jì)劃在2024財(cái)年內(nèi)開(kāi)始。東芝還將在新工廠附近建造一座辦公樓，以應(yīng)對(duì)人員的增加。此外，今年2月下旬，日經(jīng)亞洲報(bào)道，東芝計(jì)劃到2024年將碳化硅功率半導(dǎo)體的產(chǎn)量增加3倍以上，到2026年增加10倍。而據(jù)日媒3月16日最新消息，東芝又宣布要增加SiC外延片生產(chǎn)環(huán)節(jié)，布局完成后將形成：外延設(shè)備+外
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優(yōu)化SiC MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)

在高壓開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用中，相較傳統(tǒng)的硅MOSFET和IGBT，碳化硅（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“SiC”）MOSFET 有明顯的優(yōu)勢(shì)。使用硅MOSFET可以實(shí)現(xiàn)高頻（數(shù)百千赫茲）開(kāi)關(guān)，但它們不能用于非常高的電壓（>1 000 V）。而IGBT 雖然可以在高壓下使用，但其 “拖尾電流 “和緩慢的關(guān)斷使其僅限于低頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用。SiC MOSFET則兩全其美，可實(shí)現(xiàn)在高壓下的高頻開(kāi)關(guān)。然而，SiC MOSFET 的獨(dú)特器件特性意味著它們對(duì)柵極驅(qū)動(dòng)電路有特殊的要求。了解這些特性后，設(shè)計(jì)人員就可以選擇能夠提高器件可靠性和整體開(kāi)關(guān)性
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三次油電平價(jià) 促成中國(guó)電動(dòng)市場(chǎng)的大爆發(fā)

大家應(yīng)該還記得，當(dāng)遭受?chē)?guó)補(bǔ)退坡重創(chuàng)的電動(dòng)汽車(chē)于2019-2020年間慢慢恢復(fù)元?dú)?，開(kāi)始走出國(guó)補(bǔ)退坡的陰影時(shí)，市面上開(kāi)始出現(xiàn)了一些在性能上追平甚至超越傳統(tǒng)燃油車(chē)的電動(dòng)汽車(chē)，當(dāng)時(shí)的電動(dòng)車(chē)市場(chǎng)呈現(xiàn)出來(lái)的是典型的啞鈴型結(jié)構(gòu)：便宜的A00級(jí)車(chē)型和30萬(wàn)以上的高端車(chē)型（包括部分B級(jí)車(chē)和C級(jí)車(chē)）賣(mài)得很好，但在10-30萬(wàn)的主流區(qū)間，電動(dòng)車(chē)企的表現(xiàn)一直比較慘淡。這種市場(chǎng)格局在2016-2021國(guó)內(nèi)乘用車(chē)分級(jí)別電動(dòng)化率走勢(shì)圖上一展無(wú)遺，歷時(shí)五年的時(shí)間，A00車(chē)已經(jīng)達(dá)到了90%以上的滲透率。這兩年來(lái)，市場(chǎng)格局風(fēng)云變幻，正如歐
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特斯拉虛晃一槍?zhuān)蓟韪咚龠~進(jìn)

被稱(chēng)為“未來(lái)十年黃金賽道”的碳化硅行業(yè)近日又隨著華為發(fā)布SiC電驅(qū)平臺(tái)再被關(guān)注，在近期特斯拉大幅減少碳化硅使用風(fēng)暴下，業(yè)界在一次次的探討中，逐步廓清了碳化硅未來(lái)使用的信心與前景。華為的碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈布局近日華為舉辦了智能電動(dòng)新品發(fā)布會(huì)，并發(fā)布了聚焦動(dòng)力域的“DriveONE新一代超融合黃金動(dòng)力平臺(tái)”以及“新一代全液冷超充架構(gòu)”的充電網(wǎng)絡(luò)解決方案。其中，DriveONE新一代超融合黃金動(dòng)力平臺(tái)主要包括面向B/B+級(jí)純電、B/B+級(jí)增程混動(dòng)，以及A級(jí)純電車(chē)型動(dòng)力總成解決方案，目標(biāo)是不斷提升整車(chē)度電里程和升油里程
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ROHM開(kāi)發(fā)出超低導(dǎo)通電阻的Nch MOSFET

新推出40V～150V耐壓的共13款產(chǎn)品，非常適用于工業(yè)設(shè)備電源和各種電機(jī)驅(qū)動(dòng)全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）新推出“RS6xxxxBx / RH6xxxxBx系列”共13款Nch MOSFET*1產(chǎn)品（40V/60V/80V/100V/150V），這些產(chǎn)品非常適合驅(qū)動(dòng)以24V、36V、48V級(jí)電源供電的應(yīng)用，例如基站和服務(wù)器用的電源、工業(yè)和消費(fèi)電子設(shè)備用的電機(jī)等。近年來(lái)，全球電力需求量持續(xù)增長(zhǎng)，如何有效利用電力已成為迫在眉睫的課題，這就要求不斷提高各種電機(jī)和基站、服務(wù)器等工業(yè)設(shè)備的工作
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特斯拉降低造車(chē)成本，國(guó)內(nèi)新能源車(chē)企如何實(shí)現(xiàn)“價(jià)格戰(zhàn)”突圍？

在國(guó)內(nèi)新能源車(chē)市場(chǎng)，特斯拉稱(chēng)得上是最大的“鯰魚(yú)”，一舉一動(dòng)總能攪動(dòng)起不小的“水花”。近日，“鯰魚(yú)”特斯拉在其投資者活動(dòng)日上公開(kāi)了備受期待的“秘密宏圖第三篇章（Master Plan Part 3）”，其中一句“下一代平臺(tái)將減少75%的碳化硅使用”一度帶崩相關(guān)板塊，引發(fā)A股碳化硅中的個(gè)股集體跳水。近兩年，碳化硅在新能源汽車(chē)中占據(jù)著重要位置，相關(guān)概念在資本市場(chǎng)上也一度受到熱捧，更具戲劇性的是，特斯拉正是推動(dòng)碳化硅上車(chē)的“先驅(qū)”。如今，特斯拉對(duì)碳化硅的態(tài)度出現(xiàn)180度大反轉(zhuǎn)，背后的真實(shí)意圖是什么？將會(huì)對(duì)國(guó)內(nèi)新能
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采埃孚、意法半導(dǎo)體簽下碳化硅模塊供應(yīng)長(zhǎng)約

據(jù)外媒報(bào)道，知名汽車(chē)電子廠商采埃孚（ZF）近日宣布將從意法半導(dǎo)體(ST)采購(gòu)碳化硅模塊。雙方簽署的多年期合同據(jù)報(bào)道涉及供應(yīng)數(shù)量達(dá)數(shù)百萬(wàn)的SiC模塊。報(bào)道稱(chēng)，到2030年，采埃孚在電動(dòng)汽車(chē)領(lǐng)域的訂單總額預(yù)計(jì)將超過(guò)300億歐元，公司高管Stephan von Schuckmann表示，為了應(yīng)對(duì)蓬勃增長(zhǎng)的需求，采埃孚需要多家可靠的SiC供應(yīng)商。“在意法半導(dǎo)體，我們現(xiàn)在找到了這樣一家供應(yīng)商，其在復(fù)雜系統(tǒng)方面的經(jīng)驗(yàn)符合我們的要求，最重要的是，該供應(yīng)商能夠以極高質(zhì)量和所需數(shù)量生產(chǎn)模塊。”意法半導(dǎo)體汽車(chē)和分立
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頭部企業(yè)再簽供貨長(zhǎng)約，全球碳化硅市場(chǎng)高速成長(zhǎng)

據(jù)外媒報(bào)道，近日，德國(guó)汽車(chē)Tier-1廠商采埃孚（ZF）和功率半導(dǎo)體廠商意法半導(dǎo)體（ST）共同發(fā)布新聞稿稱(chēng)，雙方簽訂了車(chē)用碳化硅多年采購(gòu)合同。根據(jù)合同條款，采埃孚將自2025年起向ST采購(gòu)數(shù)千萬(wàn)顆第三代SiC MOSFET器件，滿(mǎn)足汽車(chē)逆變器對(duì)車(chē)規(guī)級(jí)SiC器件在量和質(zhì)上的需求。采埃孚將于2025年量產(chǎn)新型模塊化逆變器架構(gòu)，這些SiC器件將集成到該平臺(tái)中。截至目前，采埃孚的在手訂單（到2023年）金額總計(jì)超過(guò)300億歐元（約合人民幣2274億元），其中一個(gè)汽車(chē)逆變器訂單來(lái)自歐洲一家車(chē)企，該車(chē)企計(jì)劃2025年
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碳化硅風(fēng)頭正勁，小心！氧化鎵蓄勢(shì)待發(fā)

近期，媒體報(bào)道進(jìn)化半導(dǎo)體完成近億元人民幣融資。據(jù)悉，進(jìn)化半導(dǎo)體是以國(guó)際首創(chuàng)無(wú)銥工藝制備超寬禁帶材料氧化鎵為特色的化合物半導(dǎo)體襯底企業(yè)，創(chuàng)立于2021年5月，專(zhuān)注于以創(chuàng)新技術(shù)制備氧化鎵為代表的新一代半導(dǎo)體材料。稍早之前，鎵仁半導(dǎo)體宣布完成數(shù)千萬(wàn)天使輪融資。該公司是一家專(zhuān)注于氧化鎵等超寬禁帶半導(dǎo)體單晶襯底及外延材料研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售的科技型企業(yè)。為滿(mǎn)足日益增長(zhǎng)的多元需求，半導(dǎo)體從以硅、鍺為代表的第一代材料，以砷化鎵、磷化銦為代表的第二代材料，以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代材料，發(fā)展至以氧化鎵為代表的第四代半導(dǎo)體
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汽車(chē)結(jié)構(gòu)性缺芯國(guó)產(chǎn)碳化硅功率半導(dǎo)體有望四季度“上車(chē)”

4月7日，中國(guó)汽車(chē)芯片產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟功率半導(dǎo)體分會(huì)在長(zhǎng)沙成立，將加快汽車(chē)功率芯片的國(guó)產(chǎn)化。在成立大會(huì)暨汽車(chē)功率芯片發(fā)展研討會(huì)期間，第一財(cái)經(jīng)記者獲悉，汽車(chē)結(jié)構(gòu)性缺芯給國(guó)產(chǎn)芯片帶來(lái)機(jī)會(huì)，降本提質(zhì)是國(guó)產(chǎn)功率芯片尤其是碳化硅功率半導(dǎo)體“上車(chē)”的關(guān)鍵；三安光電用于電動(dòng)車(chē)主驅(qū)的碳化硅功率半導(dǎo)體有望今年四季度正式“上車(chē)”?！　∑?chē)結(jié)構(gòu)性缺芯給國(guó)產(chǎn)芯片帶來(lái)機(jī)會(huì)　　有行業(yè)專(zhuān)家向第一財(cái)經(jīng)記者表示，一輛電動(dòng)車(chē)如果前驅(qū)與后驅(qū)都用功率半導(dǎo)體，功率半導(dǎo)體約占電機(jī)控制器的成本50%。奇瑞汽車(chē)研發(fā)總院芯片規(guī)劃總監(jiān)郭宇輝告訴第一財(cái)經(jīng)記者
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Diodes 公司推出功率密度更高的工業(yè)級(jí)碳化硅 MOSFET

【2023 年 4 月 13 日美國(guó)德州普拉諾訊】Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 推出碳化硅 (SiC) 系列最新產(chǎn)品：DMWS120H100SM4 N 通道碳化硅 MOSFET。這款裝置可以滿(mǎn)足工業(yè)馬達(dá)驅(qū)動(dòng)、太陽(yáng)能逆變器、數(shù)據(jù)中心及電信電源供應(yīng)、直流對(duì)直流 (DC-DC) 轉(zhuǎn)換器和電動(dòng)車(chē) (EV) 電池充電器等應(yīng)用，對(duì)更高效率與更高功率密度的需求。?DMWS120H100SM4 在高電壓 (1200V) 和汲極電流 (可達(dá) 37A) 的條件下運(yùn)作，同時(shí)維持低導(dǎo)
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貿(mào)澤即日起備貨安森美EliteSiC碳化硅解決方案

2023年4月12日 – 專(zhuān)注于引入新品的全球半導(dǎo)體和電子元器件授權(quán)代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨安森美 (onsemi) EliteSiC碳化硅 (SiC) 系列解決方案。EliteSiC產(chǎn)品系列包括二極管、MOSFET、IGBT和SiC二極管功率集成模塊 (PIM)，以及符合AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)的器件。這些器件經(jīng)過(guò)優(yōu)化，可為能源基礎(chǔ)設(shè)施和工業(yè)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用提供高可靠性和高性能?？稍偕茉春痛蠊β使I(yè)應(yīng)用需要高擊穿電壓 (BV)，1700V NTH4L028N170M1
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基于Infineon S7 MOSFET 主動(dòng)式電源整流方案

因應(yīng)日趨嚴(yán)苛的能源效率規(guī)范，特別是像server power的應(yīng)用，從白金效率甚至是鈦金效率。Infineon推出全新S7系列MOSFET，提供在靜態(tài)切換的應(yīng)用場(chǎng)合，減少功率損耗以提升效率，特別是針對(duì)高輸出功率的產(chǎn)品設(shè)計(jì)。S7系列MOSFET應(yīng)用在active bridge目的在取代原有bridge diode以提升系統(tǒng)效率，與傳統(tǒng)bridge diode相比，在230Vac輸入時(shí)在50% load約可提高0.5%，而115Vac輸入時(shí)在50% load約可提高1%。利用JRC NJ393C OP比較器搭
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同時(shí)實(shí)現(xiàn)業(yè)內(nèi)出色低噪聲特性和超快反向恢復(fù)時(shí)間的600V耐壓Super Junction MOSFET“R60xxRNx系列”

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）在其600V耐壓Super Junction MOSFET*1 “PrestoMOS?”產(chǎn)品陣容中，又新增“R60xxRNx系列”3款新產(chǎn)品，非常適用于冰箱和換氣扇等對(duì)低噪聲特性要求很高的小型電機(jī)驅(qū)動(dòng)。近年來(lái)，全球電力供應(yīng)日趨緊張，這就要求設(shè)備要更加節(jié)能。據(jù)了解，電機(jī)所需的電力占全球電力總需求的50%左右。因此，在電機(jī)驅(qū)動(dòng)中擔(dān)負(fù)功率轉(zhuǎn)換工作的逆變電路，越來(lái)越多地開(kāi)始采用高效率MOSFET。另一方面，針對(duì)使用MOSFET時(shí)所產(chǎn)生的噪聲，主要通過(guò)添加部件和改變
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SiC MOSFET的短溝道效應(yīng)

Si IGBT和SiC溝槽MOSFET之間有許多電氣及物理方面的差異，Practical Aspects and Body Diode Robustness of a 1200V SiC Trench MOSFET 這篇文章主要分析了在SiC MOSFET中比較明顯的短溝道效應(yīng)、Vth滯回效應(yīng)、短路特性以及體二極管的魯棒性。直接翻譯不免晦澀難懂，不如加入自己的理解，重新梳理一遍，希望能給大家?guī)?lái)更多有價(jià)值的信息。今天我們著重看下第一部分——短溝道效應(yīng)。Si IGBT/MOSFET與SiC MOSFET，盡
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