碳化硅 mosfet 文章進(jìn)入碳化硅 mosfet技術(shù)社區(qū)

全SiC MOSFET模塊讓工業(yè)設(shè)備更小、更高效

SiC MOSFET模塊是采用新型材料碳化硅（SiC）的功率半導(dǎo)體器件，在高速開(kāi)關(guān)性能和高溫環(huán)境中，優(yōu)于目前主流應(yīng)用的硅（Si）IGBT和MOSFET器件。在需要更高額定電壓和更大電流容量的工業(yè)設(shè)備應(yīng)用中，SiC MOSFET模塊可以滿足包括軌道車用逆變器、轉(zhuǎn)換器和光伏逆變器在內(nèi)的應(yīng)用需求，實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)的低損耗和小型化。東芝推出并已量產(chǎn)的1200V和1700V碳化硅MOSFET模塊MG600Q2YMS3和MG400V2YMS3就是這樣的產(chǎn)品，其最大亮點(diǎn)是全SiC MOSFET模塊，不同于只用SiC SBD（肖
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AMP 創(chuàng)新型電動(dòng)汽車充電解決方案：采用 Wolfspeed E-系列碳化硅器件

2022年11月14日，美國(guó)北卡羅來(lái)納州達(dá)勒姆市、加利福尼亞州洛杉磯市與中國(guó)上海市訊 -- 全球碳化硅（SiC）技術(shù)引領(lǐng)者 Wolfspeed, Inc. (NYSE: WOLF) 于近日宣布，電動(dòng)交通電池管理和充電技術(shù)的全球引領(lǐng)者 AMP 公司將在其電動(dòng)交通能量管理單元中采用 Wolfspeed E-系列碳化硅 MOSFET。通過(guò)采用 Wolfspeed 創(chuàng)新型碳化硅技術(shù)，將助力 AMP 優(yōu)化電池性能、充電和成本。 AMP 公司硬件工程副總裁 Jia
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Qorvo? 與 SK Siltron CSS 宣布達(dá)成長(zhǎng)期碳化硅供應(yīng)協(xié)議

中國(guó)北京 – 2022 年 11 月 8 日–移動(dòng)應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國(guó)防應(yīng)用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商 Qorvo?, Inc.（納斯達(dá)克代碼：QRVO）與半導(dǎo)體晶圓制造商 SK Siltron CSS 今日宣布，雙方已簽署一份多年期的碳化硅 (SiC) 裸片和外延片供應(yīng)協(xié)議。此次合作將提高半導(dǎo)體供應(yīng)鏈的彈性，并更好地滿足汽車市場(chǎng)對(duì)先進(jìn)碳化硅解決方案迅速增長(zhǎng)的需求。隨著客戶采用 Qorvo 業(yè)界領(lǐng)先的第 4 代 SiC FET 解決方案，該協(xié)議還會(huì)為他們提供更好的保護(hù)并增強(qiáng)其信心。SiC 器件
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SEMICON China | 探討熱點(diǎn)與前沿技術(shù) ，功率及化合物半導(dǎo)體論壇2022圓滿舉辦

11月1-2日，SEMICON China “功率及化合物半導(dǎo)體國(guó)際論壇2022”在上海國(guó)際會(huì)議中心成功舉辦。共有19位來(lái)自功率及化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈領(lǐng)先企業(yè)的講師親臨現(xiàn)場(chǎng)做報(bào)告分享。此次論壇重點(diǎn)討論的主題包括：開(kāi)幕演講，化合物半導(dǎo)體與光電及通訊，寬禁帶半導(dǎo)體及新型功率器件。SEMI全球副總裁、中國(guó)區(qū)總裁居龍先生為此次論壇致歡迎詞。居龍表示：“在大家的支持下，功率及化合物半導(dǎo)體國(guó)際論壇從2016年開(kāi)始首辦，今年已經(jīng)是第七屆。在嚴(yán)格遵守防疫規(guī)定的前提下，希望大家能在SEMI的平臺(tái)上充分交流。不經(jīng)歷風(fēng)雨，怎么能
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捷豹路虎與 Wolfspeed 合作，為下一代電動(dòng)汽車引入碳化硅半導(dǎo)體技術(shù)

· 在“重塑未來(lái)”戰(zhàn)略指引下，捷豹路虎正在向電動(dòng)化優(yōu)先轉(zhuǎn)型，全力開(kāi)啟未來(lái)出行之路，在 2039 年實(shí)現(xiàn)凈零碳排放· 與 Wolfspeed 的戰(zhàn)略合作將確保碳化硅（SiC）半導(dǎo)體技術(shù)的供應(yīng)，并成為下一代路虎?攬勝、路虎?發(fā)現(xiàn)、路虎?衛(wèi)士、捷豹汽車電動(dòng)化的重要組成部分· &
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碳化硅（SiC）電源管理解決方案搭配可配置數(shù)字柵極驅(qū)動(dòng)技術(shù)助力實(shí)現(xiàn)“萬(wàn)物電氣化”

綠色倡議持續(xù)推動(dòng)工業(yè)、航空航天和國(guó)防應(yīng)用，尤其是運(yùn)輸行業(yè)的電力電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)轉(zhuǎn)型。碳化硅（SiC）是引領(lǐng)這一趨勢(shì)的核心技術(shù)，可提供多種新功能不斷推動(dòng)各種車輛和飛機(jī)實(shí)現(xiàn)電氣化，從而減少溫室氣體（GHG）排放。碳化硅解決方案支持以更小、更輕和更高效的電氣方案取代飛機(jī)的氣動(dòng)和液壓系統(tǒng)，為機(jī)載交流發(fā)電機(jī)、執(zhí)行機(jī)構(gòu)和輔助動(dòng)力裝置（APU）供電。這類解決方案還可以減少這些系統(tǒng)的維護(hù)需求。但是，SiC技術(shù)最顯著的貢獻(xiàn)體現(xiàn)在其所肩負(fù)實(shí)現(xiàn)商用運(yùn)輸車輛電氣化的使命上，這些車輛是世界上最大的GHG排放源之一。隨著1700V金屬
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認(rèn)識(shí)線性功率MOSFET

本文針對(duì)MOSFET的運(yùn)作模式，組件方案，以及其應(yīng)用范例進(jìn)行說(shuō)明，剖析標(biāo)準(zhǔn)MOSFET的基本原理、應(yīng)用優(yōu)勢(shì)，與方案選擇的應(yīng)用思考。線性MOSFET是線性模式應(yīng)用時(shí)最合適的選擇，能夠確?？煽康倪\(yùn)作。然而，用于線性模式應(yīng)用時(shí)，標(biāo)準(zhǔn)MOSFET容易產(chǎn)生電熱不穩(wěn)定性，從而可能導(dǎo)致組件損壞。A類音訊放大器、主動(dòng)式DC-link放電、電池充放電、浪涌電流限制器、低電壓直流馬達(dá)控制或電子負(fù)載等線性模式應(yīng)用，都要求功率 MOSFET組件在電流飽和區(qū)內(nèi)運(yùn)行。了解線性模式運(yùn)作在功率 MOSFET 的線性工作模式下，高電壓和高
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電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)優(yōu)化秘技:單片驅(qū)動(dòng)器+MOSFET(DrMOS)

現(xiàn)階段，多核架構(gòu)使微處理器在水平尺度上變得更密集、更快速，令這些器件所需功率急劇增加，直接導(dǎo)致向微處理器供電的穩(wěn)壓器模塊(VRM)的升級(jí)需求：一是穩(wěn)壓器的功率密度（單位體積的功率）升級(jí)，為了在有限空間中滿足系統(tǒng)的高功率要求，必須大幅提高功率密度；另一是功率轉(zhuǎn)換效率提升，高效率可降低功率損耗并改善熱管理。目前電源行業(yè)一種公認(rèn)的解決方案，是將先進(jìn)的開(kāi)關(guān)MOSFET（穩(wěn)壓器的主要組成部分）及其相應(yīng)的驅(qū)動(dòng)器集成到單個(gè)芯片中并采用高級(jí)封裝，從而實(shí)現(xiàn)緊湊高效的功率轉(zhuǎn)換。這種DrMOS功率級(jí)優(yōu)化了高速功率轉(zhuǎn)換。隨著對(duì)這
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科普：MOSFET結(jié)構(gòu)及其工作原理

MOSFET由MOS(Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體)+FET(Field Effect Transistor場(chǎng)效應(yīng)晶體管)這個(gè)兩個(gè)縮寫組成。即通過(guò)給金屬層(M-金屬鋁)的柵極和隔著氧化層(O-絕緣層SiO2)的源極施加電壓，產(chǎn)生電場(chǎng)的效應(yīng)來(lái)控制半導(dǎo)體(S)導(dǎo)電溝道開(kāi)關(guān)的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。由于柵極與源極、柵極與漏極之間均采用SiO2絕緣層隔離，MOSFET因此又被稱為絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管。市面上大家所說(shuō)的功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管通常指絕緣柵MOS型(Metal Oxide Semico
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世平安森美推出新一代GaN氮化鎵/SiC碳化硅MOSFET高壓隔離驅(qū)動(dòng)器NCP51561 應(yīng)用于高頻小型化工業(yè)電源

現(xiàn)階段硅元件的切換頻率極限約為65~95kHz，工作頻率再往上升，將會(huì)導(dǎo)致硅MOSFET耗損、切換損失變大；再者Qg的大小也會(huì)影響關(guān)斷速度，而硅元件也無(wú)法再提升。因此開(kāi)發(fā)了由兩種或三種材料制成的化合物半導(dǎo)體GaN氮化鎵和SiC碳化硅功率電晶體，雖然它們比硅更難制造及更昂貴，但也具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)和優(yōu)越的特性，使得這些器件可與壽命長(zhǎng)的硅功率LDMOS MOSFET和超結(jié)MOSFET競(jìng)爭(zhēng)。GaN和SiC器件在某些方面相似，可以幫助下一個(gè)產(chǎn)品設(shè)計(jì)做出更適合的決定。?GaN氮化鎵是最接近理想的半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)的器
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基于英飛凌SIC MOSFET 和驅(qū)動(dòng)器的11kW DC-DC變換器方案

REF-DAB11KIZSICSYS是一個(gè)CLLC諧振DC/DC轉(zhuǎn)換器板，能夠提供高達(dá)11kW的800 V輸出電壓，IMZ120R030M1H（30mΩ/1200V SiC MOSFET）加上1EDC20I12AH，使其性價(jià)比和功率密度更高。憑借其高效的雙向功率變換能力和軟開(kāi)關(guān)特性，是電動(dòng)汽車和能量存儲(chǔ)系統(tǒng)（ESS）等DCDC項(xiàng)目的理想選擇。終端應(yīng)用產(chǎn)品30 kW 至 150 kW 的充電機(jī)，50 kW 至 350 kW 的充電機(jī)，儲(chǔ)能系統(tǒng)，電動(dòng)汽車快速充電，功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng) （PCS）?場(chǎng)景應(yīng)用
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上海貝嶺為USB-PD應(yīng)用提供高性能驅(qū)動(dòng)IC和MOSFET解決方案

智能化便攜式電子設(shè)備諸如智能手機(jī)、筆記本電腦、平板電腦等的不斷更新?lián)Q代，功能越來(lái)越豐富，隨之帶來(lái)了耗電量急劇上升的挑戰(zhàn)。然而，在現(xiàn)有電池能量密度還未取得突破性進(jìn)展的背景下，人們開(kāi)始探索更快的電量補(bǔ)給，以高效充電來(lái)壓縮充電時(shí)間，降低充電的時(shí)間成本，從而換取設(shè)備的便攜性，提升用戶體驗(yàn)。目前，USB-PD是最為主流的快充技術(shù)。該技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)具有18W、20W、35W、65W和140W等多種功率規(guī)格，以及5V、9V、12V和20V等多種電壓輸出。靈活的電壓電流輸出配置讓各種電子設(shè)備都能通過(guò)一條USB-TYPE C線纜
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電動(dòng)汽車東風(fēng)起，Wolfspeed、安森美等頭部大廠碳化硅投資加速

碳化硅的發(fā)展與電動(dòng)汽車的快速發(fā)展緊密相連，隨著新能源汽車的加速滲透，以及自動(dòng)駕駛技術(shù)的升級(jí)演變，車用芯片需求不斷上升，第三代半導(dǎo)體碳化硅技術(shù)重要性愈發(fā)凸顯。Wolfspeed、安森美、意法半導(dǎo)體作為碳化硅領(lǐng)域的頭部企業(yè)，其動(dòng)態(tài)是行業(yè)的重要風(fēng)向標(biāo)，近期三家企業(yè)均發(fā)表了對(duì)碳化硅行業(yè)的積極展望，反映車規(guī)級(jí)碳化硅產(chǎn)品的滲透率情況好于預(yù)期。Wolfspeed將建造全球最大碳化硅材料工廠近日，碳化硅廠商Wolfspeed公司表示，隨著需求的激增，其將在北卡羅來(lái)納州查塔姆縣建造一座價(jià)值數(shù)十億美元的新工廠，以生產(chǎn)為電動(dòng)汽
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第三代半導(dǎo)體頭部企業(yè)基本半導(dǎo)體完成C4輪融資,全力加速產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程

2022年9月20日，國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體碳化硅頭部企業(yè)——基本半導(dǎo)體完成C4輪融資，由新股東德載厚資本、國(guó)華投資、新高地等機(jī)構(gòu)聯(lián)合投資，現(xiàn)有股東屹唐長(zhǎng)厚、中美綠色基金等機(jī)構(gòu)繼續(xù)追加投資。本輪融資將用于進(jìn)一步加強(qiáng)碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈關(guān)鍵環(huán)節(jié)的研發(fā)制造能力，提升產(chǎn)能規(guī)模，支撐碳化硅產(chǎn)品在新能源汽車、光伏儲(chǔ)能等市場(chǎng)的大規(guī)模應(yīng)用，全方位提升基本半導(dǎo)體在碳化硅功率半導(dǎo)體行業(yè)的核心競(jìng)爭(zhēng)力。這是基本半導(dǎo)體在今年完成的又一輪融資。6月和7月，該公司分別完成了C2和C3輪兩輪融資。連續(xù)多輪資本的加持，充分印證了基本半導(dǎo)體在業(yè)務(wù)加速拓
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第三代半導(dǎo)體擴(kuò)產(chǎn)，硅的時(shí)代要結(jié)束了嗎

半導(dǎo)體寒氣襲人知誰(shuí)暖？芯片行業(yè)的砍單潮已經(jīng)將寒氣傳遞給了眾多企業(yè)，三星半導(dǎo)體部門負(fù)責(zé)人Kyung Kye-hyun就預(yù)計(jì)芯片銷售大幅下滑態(tài)勢(shì)將延續(xù)至明年；野村證券最近也將今年全球芯片出貨成長(zhǎng)率由原先預(yù)估的9.9%大砍至5.7%、2023年由衰退0.5%擴(kuò)大至衰退6%；費(fèi)城半導(dǎo)體指數(shù) (SOX)近6個(gè)月（截至9月21日）更是跌了26.53%。但此時(shí)，以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體材料卻在迎來(lái)市場(chǎng)倍增與產(chǎn)能擴(kuò)張。安森美二季度財(cái)報(bào)發(fā)布后，就將其2022年碳化硅營(yíng)收預(yù)期上調(diào)為“同比增長(zhǎng)3倍”，而
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