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碳化硅 mosfet 文章 最新資訊

特斯拉虛晃一槍，碳化硅高速邁進

  • 被稱為“未來十年黃金賽道”的碳化硅行業(yè)近日又隨著華為發(fā)布SiC電驅平臺再被關注，在近期特斯拉大幅減少碳化硅使用風暴下，業(yè)界在一次次的探討中，逐步廓清了碳化硅未來使用的信心與前景。華為的碳化硅產業(yè)鏈布局近日華為舉辦了智能電動新品發(fā)布會，并發(fā)布了聚焦動力域的“DriveONE新一代超融合黃金動力平臺”以及“新一代全液冷超充架構”的充電網絡解決方案。其中，DriveONE新一代超融合黃金動力平臺主要包括面向B/B+級純電、B/B+級增程混動，以及A級純電車型動力總成解決方案，目標是不斷提升整車度電里程和升油里程
  • 關鍵字： 特斯拉  碳化硅  

ROHM開發(fā)出超低導通電阻的Nch MOSFET

  • 新推出40V～150V耐壓的共13款產品，非常適用于工業(yè)設備電源和各種電機驅動全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）新推出“RS6xxxxBx / RH6xxxxBx系列”共13款Nch MOSFET*1產品（40V/60V/80V/100V/150V），這些產品非常適合驅動以24V、36V、48V級電源供電的應用，例如基站和服務器用的電源、工業(yè)和消費電子設備用的電機等。近年來，全球電力需求量持續(xù)增長，如何有效利用電力已成為迫在眉睫的課題，這就要求不斷提高各種電機和基站、服務器等工業(yè)設備的工作
  • 關鍵字： ROHM  超低導通電阻  Nch MOSFET  

特斯拉降低造車成本，國內新能源車企如何實現(xiàn)“價格戰(zhàn)”突圍？

  • 在國內新能源車市場，特斯拉稱得上是最大的“鯰魚”，一舉一動總能攪動起不小的“水花”。近日，“鯰魚”特斯拉在其投資者活動日上公開了備受期待的“秘密宏圖第三篇章（Master Plan Part 3）”，其中一句“下一代平臺將減少75%的碳化硅使用”一度帶崩相關板塊，引發(fā)A股碳化硅中的個股集體跳水。近兩年，碳化硅在新能源汽車中占據(jù)著重要位置，相關概念在資本市場上也一度受到熱捧，更具戲劇性的是，特斯拉正是推動碳化硅上車的“先驅”。如今，特斯拉對碳化硅的態(tài)度出現(xiàn)180度大反轉，背后的真實意圖是什么？將會對國內新能
  • 關鍵字： 特斯拉  碳化硅  新能源車企  

采埃孚、意法半導體簽下碳化硅模塊供應長約

  • 據(jù)外媒報道，知名汽車電子廠商采埃孚（ZF）近日宣布將從意法半導體(ST)采購碳化硅模塊。雙方簽署的多年期合同據(jù)報道涉及供應數(shù)量達數(shù)百萬的SiC模塊。報道稱，到2030年，采埃孚在電動汽車領域的訂單總額預計將超過300億歐元，公司高管Stephan von Schuckmann表示，為了應對蓬勃增長的需求，采埃孚需要多家可靠的SiC供應商。“在 意法半導體，我們現(xiàn)在找到了這樣一家供應商，其在復雜系統(tǒng)方面的經驗符合我們的要求，最重要的是，該供應商能夠以極高質量和所需數(shù)量生產模塊?！币夥ò雽w汽車和分立
  • 關鍵字： 采埃孚  意法半導體  碳化硅  

頭部企業(yè)再簽供貨長約，全球碳化硅市場高速成長

  • 據(jù)外媒報道，近日，德國汽車Tier-1廠商采埃孚（ZF）和功率半導體廠商意法半導體（ST）共同發(fā)布新聞稿稱，雙方簽訂了車用碳化硅多年采購合同。根據(jù)合同條款，采埃孚將自2025年起向ST采購數(shù)千萬顆第三代SiC MOSFET器件，滿足汽車逆變器對車規(guī)級SiC器件在量和質上的需求。采埃孚將于2025年量產新型模塊化逆變器架構，這些SiC器件將集成到該平臺中。截至目前，采埃孚的在手訂單（到2023年）金額總計超過300億歐元（約合人民幣2274億元），其中一個汽車逆變器訂單來自歐洲一家車企，該車企計劃2025年
  • 關鍵字： 碳化硅  意法半導體  

碳化硅風頭正勁，小心！氧化鎵蓄勢待發(fā)

  • 近期，媒體報道進化半導體完成近億元人民幣融資。據(jù)悉，進化半導體是以國際首創(chuàng)無銥工藝制備超寬禁帶材料氧化鎵為特色的化合物半導體襯底企業(yè)，創(chuàng)立于2021年5月，專注于以創(chuàng)新技術制備氧化鎵為代表的新一代半導體材料。稍早之前，鎵仁半導體宣布完成數(shù)千萬天使輪融資。該公司是一家專注于氧化鎵等超寬禁帶半導體單晶襯底及外延材料研發(fā)、生產和銷售的科技型企業(yè)。為滿足日益增長的多元需求，半導體從以硅、鍺為代表的第一代材料，以砷化鎵、磷化銦為代表的第二代材料，以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代材料，發(fā)展至以氧化鎵為代表的第四代半導體
  • 關鍵字： 碳化硅  氧化鎵  

汽車結構性缺芯 國產碳化硅功率半導體有望四季度“上車”

  • 4月7日，中國汽車芯片產業(yè)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟功率半導體分會在長沙成立，將加快汽車功率芯片的國產化。在成立大會暨汽車功率芯片發(fā)展研討會期間，第一財經記者獲悉，汽車結構性缺芯給國產芯片帶來機會，降本提質是國產功率芯片尤其是碳化硅功率半導體“上車”的關鍵；三安光電用于電動車主驅的碳化硅功率半導體有望今年四季度正式“上車”?！　∑嚱Y構性缺芯給國產芯片帶來機會　　有行業(yè)專家向第一財經記者表示，一輛電動車如果前驅與后驅都用功率半導體，功率半導體約占電機控制器的成本50%。奇瑞汽車研發(fā)總院芯片規(guī)劃總監(jiān)郭宇輝告訴第一財經記者
  • 關鍵字： 汽車電子  功率半導體  碳化硅  

Diodes 公司推出功率密度更高的工業(yè)級碳化硅 MOSFET

  • 【2023 年 4 月 13 日美國德州普拉諾訊】Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 推出碳化硅 (SiC) 系列最新產品：DMWS120H100SM4 N 通道碳化硅 MOSFET。這款裝置可以滿足工業(yè)馬達驅動、太陽能逆變器、數(shù)據(jù)中心及電信電源供應、直流對直流 (DC-DC) 轉換器和電動車 (EV) 電池充電器等應用，對更高效率與更高功率密度的需求。?DMWS120H100SM4 在高電壓 (1200V) 和汲極電流 (可達 37A) 的條件下運作，同時維持低導
  • 關鍵字： Diodes  碳化硅 MOSFET  

貿澤即日起備貨安森美EliteSiC碳化硅解決方案

  • 2023年4月12日 – 專注于引入新品的全球半導體和電子元器件授權代理商貿澤電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨安森美 (onsemi) EliteSiC碳化硅 (SiC) 系列解決方案。EliteSiC產品系列包括二極管、MOSFET、IGBT和SiC二極管功率集成模塊 (PIM)，以及符合AEC-Q100標準的器件。這些器件經過優(yōu)化，可為能源基礎設施和工業(yè)驅動應用提供高可靠性和高性能?？稍偕茉春痛蠊β使I(yè)應用需要高擊穿電壓 (BV)，1700V NTH4L028N170M1
  • 關鍵字： 貿澤  安森美  EliteSiC  碳化硅  

基于Infineon S7 MOSFET 主動式電源整流方案

  • 因應日趨嚴苛的能源效率規(guī)范，特別是像server power的應用，從白金效率甚至是鈦金效率。Infineon推出全新S7系列MOSFET，提供在靜態(tài)切換的應用場合，減少功率損耗以提升效率，特別是針對高輸出功率的產品設計。S7系列MOSFET應用在active bridge目的在取代原有bridge diode以提升系統(tǒng)效率，與傳統(tǒng)bridge diode相比，在230Vac輸入時在50% load約可提高0.5%，而115Vac輸入時在50% load約可提高1%。利用JRC NJ393C OP比較器搭
  • 關鍵字： Infineon  S7 MOSFET  電源整流  

同時實現(xiàn)業(yè)內出色低噪聲特性和超快反向恢復時間的600V耐壓Super Junction MOSFET“R60xxRNx系列”

  • 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）在其600V耐壓Super Junction MOSFET*1 “PrestoMOS?”產品陣容中，又新增“R60xxRNx系列”3款新產品，非常適用于冰箱和換氣扇等對低噪聲特性要求很高的小型電機驅動。近年來，全球電力供應日趨緊張，這就要求設備要更加節(jié)能。據(jù)了解，電機所需的電力占全球電力總需求的50%左右。因此，在電機驅動中擔負功率轉換工作的逆變電路，越來越多地開始采用高效率MOSFET。另一方面，針對使用MOSFET時所產生的噪聲，主要通過添加部件和改變
  • 關鍵字： 超快反向恢復時間  Super Junction MOSFET  MOSFET  

SiC MOSFET的短溝道效應

  • Si IGBT和SiC溝槽MOSFET之間有許多電氣及物理方面的差異，Practical Aspects and Body Diode Robustness of a 1200V SiC Trench MOSFET 這篇文章主要分析了在SiC MOSFET中比較明顯的短溝道效應、Vth滯回效應、短路特性以及體二極管的魯棒性。直接翻譯不免晦澀難懂，不如加入自己的理解，重新梳理一遍，希望能給大家?guī)砀嘤袃r值的信息。今天我們著重看下第一部分——短溝道效應。Si IGBT/MOSFET與SiC MOSFET，盡
  • 關鍵字： 英飛凌  MOSFET  

正確選擇MOSFET以優(yōu)化電源效率

  • 優(yōu)化電源設計以提高效率十分重要。提高效率不僅可以節(jié)省能源，減少熱量產生，還可以縮小電源尺寸。本文將討論如何平衡上管 MOSFET (HS-FET) 和下管MOSFET (LS-FET) 的數(shù)量比，以提高電源設計的效率。圖 1 顯示了一個具有 HS-FET 和 LS-FET 的簡化電路。圖 1：具有 HS-FET 和 LS-FET 的電路選擇 MOSFET 時，如何恰當分配 HS-FET 和 LS-FET 的內阻以獲得最佳效率，這對電源工程師來說是一項挑戰(zhàn)。 MOSFET的結構和損耗組成MOSFE
  • 關鍵字： MPS  MOSFET  

ROHM的SiC MOSFET和SiC SBD成功應用于Apex Microtechnology的工業(yè)設備功率模塊系列

  • 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）的SiC MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SiC SBD”）已被成功應用于大功率模擬模塊制造商Apex Microtechnology的功率模塊系列產品。該電源模塊系列包括驅動器模塊“SA310”（非常適用于高耐壓三相直流電機驅動）和半橋模塊“SA110”“SA111”（非常適用于眾多高電壓應用）兩種產品。ROHM的1,200V SiC MOSFET“S4101”和650V SiC SBD“S6203”是以裸芯片的形式提供的，采用ROHM的
  • 關鍵字： ROHM  SiC MOSFET  SiC SBD  Apex  工業(yè)設備功率模塊   

TechInsights：2029 年碳化硅市場規(guī)模將增長至 94 億美元，中國占一半

  • IT之家?3 月 22 日消息，TechInsights（前 Strategy Analytics）今日發(fā)布報告稱，隨著電池電動汽車的發(fā)展，汽車半導體的需求激增，寬帶隙技術的使用也有所增加。SiC MOSFET 為動力系統(tǒng)提供了 Si IGBT 和 SiC MOSFET 的替代方案。TechInsights 表示，碳化硅市場收益在 2022 年至 2027 年期間將以 35% 的復合年增長率從 12 億美元（IT之家注：當前約 82.44 億元人民幣）增長到 53 億美元（當前約 364.11
  • 關鍵字： 碳化硅  
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碳化硅 mosfet介紹

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