碳化硅 mosfet 文章最新資訊

SEMICON China | 探討熱點(diǎn)與前沿技術(shù) ，功率及化合物半導(dǎo)體論壇2022圓滿舉辦

11月1-2日，SEMICON China “功率及化合物半導(dǎo)體國際論壇2022”在上海國際會(huì)議中心成功舉辦。共有19位來自功率及化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈領(lǐng)先企業(yè)的講師親臨現(xiàn)場做報(bào)告分享。此次論壇重點(diǎn)討論的主題包括：開幕演講，化合物半導(dǎo)體與光電及通訊，寬禁帶半導(dǎo)體及新型功率器件。SEMI全球副總裁、中國區(qū)總裁居龍先生為此次論壇致歡迎詞。居龍表示：“在大家的支持下，功率及化合物半導(dǎo)體國際論壇從2016年開始首辦，今年已經(jīng)是第七屆。在嚴(yán)格遵守防疫規(guī)定的前提下，希望大家能在SEMI的平臺(tái)上充分交流。不經(jīng)歷風(fēng)雨，怎么能
關(guān)鍵字：碳化硅氮化鎵 InP

捷豹路虎與 Wolfspeed 合作，為下一代電動(dòng)汽車引入碳化硅半導(dǎo)體技術(shù)

· 在“重塑未來”戰(zhàn)略指引下，捷豹路虎正在向電動(dòng)化優(yōu)先轉(zhuǎn)型，全力開啟未來出行之路，在 2039 年實(shí)現(xiàn)凈零碳排放· 與 Wolfspeed 的戰(zhàn)略合作將確保碳化硅（SiC）半導(dǎo)體技術(shù)的供應(yīng)，并成為下一代路虎?攬勝、路虎?發(fā)現(xiàn)、路虎?衛(wèi)士、捷豹汽車電動(dòng)化的重要組成部分· &
關(guān)鍵字：捷豹路虎 Wolfspeed 電動(dòng)汽車碳化硅

碳化硅（SiC）電源管理解決方案搭配可配置數(shù)字柵極驅(qū)動(dòng)技術(shù)助力實(shí)現(xiàn)“萬物電氣化”

綠色倡議持續(xù)推動(dòng)工業(yè)、航空航天和國防應(yīng)用，尤其是運(yùn)輸行業(yè)的電力電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)轉(zhuǎn)型。碳化硅（SiC）是引領(lǐng)這一趨勢的核心技術(shù)，可提供多種新功能不斷推動(dòng)各種車輛和飛機(jī)實(shí)現(xiàn)電氣化，從而減少溫室氣體（GHG）排放。碳化硅解決方案支持以更小、更輕和更高效的電氣方案取代飛機(jī)的氣動(dòng)和液壓系統(tǒng)，為機(jī)載交流發(fā)電機(jī)、執(zhí)行機(jī)構(gòu)和輔助動(dòng)力裝置（APU）供電。這類解決方案還可以減少這些系統(tǒng)的維護(hù)需求。但是，SiC技術(shù)最顯著的貢獻(xiàn)體現(xiàn)在其所肩負(fù)實(shí)現(xiàn)商用運(yùn)輸車輛電氣化的使命上，這些車輛是世界上最大的GHG排放源之一。隨著1700V金屬
關(guān)鍵字：碳化硅 SiC 電源管理可配置數(shù)字柵極驅(qū)動(dòng) 萬物電氣化

認(rèn)識(shí)線性功率MOSFET

本文針對(duì)MOSFET的運(yùn)作模式，組件方案，以及其應(yīng)用范例進(jìn)行說明，剖析標(biāo)準(zhǔn)MOSFET的基本原理、應(yīng)用優(yōu)勢，與方案選擇的應(yīng)用思考。線性MOSFET是線性模式應(yīng)用時(shí)最合適的選擇，能夠確?？煽康倪\(yùn)作。然而，用于線性模式應(yīng)用時(shí)，標(biāo)準(zhǔn)MOSFET容易產(chǎn)生電熱不穩(wěn)定性，從而可能導(dǎo)致組件損壞。A類音訊放大器、主動(dòng)式DC-link放電、電池充放電、浪涌電流限制器、低電壓直流馬達(dá)控制或電子負(fù)載等線性模式應(yīng)用，都要求功率 MOSFET組件在電流飽和區(qū)內(nèi)運(yùn)行。了解線性模式運(yùn)作在功率 MOSFET 的線性工作模式下，高電壓和高
關(guān)鍵字： Littelfuse 線性功率 MOSFET

電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)優(yōu)化秘技:單片驅(qū)動(dòng)器+MOSFET(DrMOS)

現(xiàn)階段，多核架構(gòu)使微處理器在水平尺度上變得更密集、更快速，令這些器件所需功率急劇增加，直接導(dǎo)致向微處理器供電的穩(wěn)壓器模塊(VRM)的升級(jí)需求：一是穩(wěn)壓器的功率密度（單位體積的功率）升級(jí)，為了在有限空間中滿足系統(tǒng)的高功率要求，必須大幅提高功率密度；另一是功率轉(zhuǎn)換效率提升，高效率可降低功率損耗并改善熱管理。目前電源行業(yè)一種公認(rèn)的解決方案，是將先進(jìn)的開關(guān)MOSFET（穩(wěn)壓器的主要組成部分）及其相應(yīng)的驅(qū)動(dòng)器集成到單個(gè)芯片中并采用高級(jí)封裝，從而實(shí)現(xiàn)緊湊高效的功率轉(zhuǎn)換。這種DrMOS功率級(jí)優(yōu)化了高速功率轉(zhuǎn)換。隨著對(duì)這
關(guān)鍵字：電源系統(tǒng)設(shè)計(jì) 單片驅(qū)動(dòng)器 MOSFET DrMOS

科普：MOSFET結(jié)構(gòu)及其工作原理

MOSFET由MOS(Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體)+FET(Field Effect Transistor場效應(yīng)晶體管)這個(gè)兩個(gè)縮寫組成。即通過給金屬層(M-金屬鋁)的柵極和隔著氧化層(O-絕緣層SiO2)的源極施加電壓，產(chǎn)生電場的效應(yīng)來控制半導(dǎo)體(S)導(dǎo)電溝道開關(guān)的場效應(yīng)晶體管。由于柵極與源極、柵極與漏極之間均采用SiO2絕緣層隔離，MOSFET因此又被稱為絕緣柵型場效應(yīng)管。市面上大家所說的功率場效應(yīng)晶體管通常指絕緣柵MOS型(Metal Oxide Semico
關(guān)鍵字： MOSFET

世平安森美推出新一代GaN氮化鎵/SiC碳化硅MOSFET高壓隔離驅(qū)動(dòng)器NCP51561 應(yīng)用于高頻小型化工業(yè)電源

現(xiàn)階段硅元件的切換頻率極限約為65~95kHz，工作頻率再往上升，將會(huì)導(dǎo)致硅MOSFET耗損、切換損失變大；再者Qg的大小也會(huì)影響關(guān)斷速度，而硅元件也無法再提升。因此開發(fā)了由兩種或三種材料制成的化合物半導(dǎo)體GaN氮化鎵和SiC碳化硅功率電晶體，雖然它們比硅更難制造及更昂貴，但也具有獨(dú)特的優(yōu)勢和優(yōu)越的特性，使得這些器件可與壽命長的硅功率LDMOS MOSFET和超結(jié)MOSFET競爭。GaN和SiC器件在某些方面相似，可以幫助下一個(gè)產(chǎn)品設(shè)計(jì)做出更適合的決定。?GaN氮化鎵是最接近理想的半導(dǎo)體開關(guān)的器
關(guān)鍵字： GaN 氮化鎵 SiC 碳化硅 NCP51561 onsemi

基于英飛凌SIC MOSFET 和驅(qū)動(dòng)器的11kW DC-DC變換器方案

REF-DAB11KIZSICSYS是一個(gè)CLLC諧振DC/DC轉(zhuǎn)換器板，能夠提供高達(dá)11kW的800 V輸出電壓，IMZ120R030M1H（30mΩ/1200V SiC MOSFET）加上1EDC20I12AH，使其性價(jià)比和功率密度更高。憑借其高效的雙向功率變換能力和軟開關(guān)特性，是電動(dòng)汽車和能量存儲(chǔ)系統(tǒng)（ESS）等DCDC項(xiàng)目的理想選擇。終端應(yīng)用產(chǎn)品30 kW 至 150 kW 的充電機(jī)，50 kW 至 350 kW 的充電機(jī)，儲(chǔ)能系統(tǒng)，電動(dòng)汽車快速充電，功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng) （PCS）?場景應(yīng)用
關(guān)鍵字： mosfet dc-dc 英飛凌 ipcdcdc infineon 終端功率 dc 充電器

上海貝嶺為USB-PD應(yīng)用提供高性能驅(qū)動(dòng)IC和MOSFET解決方案

智能化便攜式電子設(shè)備諸如智能手機(jī)、筆記本電腦、平板電腦等的不斷更新?lián)Q代，功能越來越豐富，隨之帶來了耗電量急劇上升的挑戰(zhàn)。然而，在現(xiàn)有電池能量密度還未取得突破性進(jìn)展的背景下，人們開始探索更快的電量補(bǔ)給，以高效充電來壓縮充電時(shí)間，降低充電的時(shí)間成本，從而換取設(shè)備的便攜性，提升用戶體驗(yàn)。目前，USB-PD是最為主流的快充技術(shù)。該技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)具有18W、20W、35W、65W和140W等多種功率規(guī)格，以及5V、9V、12V和20V等多種電壓輸出。靈活的電壓電流輸出配置讓各種電子設(shè)備都能通過一條USB-TYPE C線纜
關(guān)鍵字：上海貝嶺驅(qū)動(dòng)IC MOSFET

電動(dòng)汽車東風(fēng)起，Wolfspeed、安森美等頭部大廠碳化硅投資加速

碳化硅的發(fā)展與電動(dòng)汽車的快速發(fā)展緊密相連，隨著新能源汽車的加速滲透，以及自動(dòng)駕駛技術(shù)的升級(jí)演變，車用芯片需求不斷上升，第三代半導(dǎo)體碳化硅技術(shù)重要性愈發(fā)凸顯。Wolfspeed、安森美、意法半導(dǎo)體作為碳化硅領(lǐng)域的頭部企業(yè)，其動(dòng)態(tài)是行業(yè)的重要風(fēng)向標(biāo)，近期三家企業(yè)均發(fā)表了對(duì)碳化硅行業(yè)的積極展望，反映車規(guī)級(jí)碳化硅產(chǎn)品的滲透率情況好于預(yù)期。Wolfspeed將建造全球最大碳化硅材料工廠近日，碳化硅廠商Wolfspeed公司表示，隨著需求的激增，其將在北卡羅來納州查塔姆縣建造一座價(jià)值數(shù)十億美元的新工廠，以生產(chǎn)為電動(dòng)汽
關(guān)鍵字：碳化硅電源管理芯片

第三代半導(dǎo)體頭部企業(yè)基本半導(dǎo)體完成C4輪融資,全力加速產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程

2022年9月20日，國內(nèi)第三代半導(dǎo)體碳化硅頭部企業(yè)——基本半導(dǎo)體完成C4輪融資，由新股東德載厚資本、國華投資、新高地等機(jī)構(gòu)聯(lián)合投資，現(xiàn)有股東屹唐長厚、中美綠色基金等機(jī)構(gòu)繼續(xù)追加投資。本輪融資將用于進(jìn)一步加強(qiáng)碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈關(guān)鍵環(huán)節(jié)的研發(fā)制造能力，提升產(chǎn)能規(guī)模，支撐碳化硅產(chǎn)品在新能源汽車、光伏儲(chǔ)能等市場的大規(guī)模應(yīng)用，全方位提升基本半導(dǎo)體在碳化硅功率半導(dǎo)體行業(yè)的核心競爭力。這是基本半導(dǎo)體在今年完成的又一輪融資。6月和7月，該公司分別完成了C2和C3輪兩輪融資。連續(xù)多輪資本的加持，充分印證了基本半導(dǎo)體在業(yè)務(wù)加速拓
關(guān)鍵字：基本半導(dǎo)體代半導(dǎo)體碳化硅

第三代半導(dǎo)體擴(kuò)產(chǎn)，硅的時(shí)代要結(jié)束了嗎

半導(dǎo)體寒氣襲人知誰暖？芯片行業(yè)的砍單潮已經(jīng)將寒氣傳遞給了眾多企業(yè)，三星半導(dǎo)體部門負(fù)責(zé)人Kyung Kye-hyun就預(yù)計(jì)芯片銷售大幅下滑態(tài)勢將延續(xù)至明年；野村證券最近也將今年全球芯片出貨成長率由原先預(yù)估的9.9%大砍至5.7%、2023年由衰退0.5%擴(kuò)大至衰退6%；費(fèi)城半導(dǎo)體指數(shù) (SOX)近6個(gè)月（截至9月21日）更是跌了26.53%。但此時(shí)，以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體材料卻在迎來市場倍增與產(chǎn)能擴(kuò)張。安森美二季度財(cái)報(bào)發(fā)布后，就將其2022年碳化硅營收預(yù)期上調(diào)為“同比增長3倍”，而
關(guān)鍵字：碳化硅氮化鎵

測量SiC MOSFET柵-源電壓時(shí)的注意事項(xiàng)：一般測量方法

SiC MOSFET具有出色的開關(guān)特性，但由于其開關(guān)過程中電壓和電流變化非常大，因此如Tech Web基礎(chǔ)知識(shí) SiC功率元器件“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動(dòng)作-前言”中介紹的需要準(zhǔn)確測量柵極和源極之間產(chǎn)生的浪涌。在這里，將為大家介紹在測量柵極和源極之間的電壓時(shí)需要注意的事項(xiàng)。我們將以SiC MOSFET為例進(jìn)行講解，其實(shí)所講解的內(nèi)容也適用于一般的MOSFET和IGBT等各種功率元器件，盡情參考。本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?如果將延長電纜與DUT引腳焊接并連接電壓探頭進(jìn)行測量，在開關(guān)速度較快時(shí)
關(guān)鍵字：羅姆半導(dǎo)體，MOSFET

東芝推出面向更高效工業(yè)設(shè)備的第三代SiC MOSFET

東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，推出新款功率器件---第三代碳化硅（SiC）MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。該系列具有低導(dǎo)通電阻，可顯著降低開關(guān)損耗。該系列10款產(chǎn)品包括5款1200V產(chǎn)品和5款650V產(chǎn)品，已于今日開始出貨。新產(chǎn)品的單位面積導(dǎo)通電阻（RDS(ON)A）下降了大約43%[3]，從而使“漏源導(dǎo)通電阻×柵漏電荷（RDS(ON)×Qgd）”降低了大約80%[4]，這是體現(xiàn)導(dǎo)通損耗與開關(guān)損耗間關(guān)系的重要指標(biāo)。這樣可以將開關(guān)損耗減少大約
關(guān)鍵字：東芝 SiC MOSFET

Nexperia發(fā)布具備市場領(lǐng)先效率的晶圓級(jí)12和30V MOSFET

基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今天宣布推出PMCB60XN和PMCB60XNE 30V N溝道小信號(hào)Trench MOSFET，該產(chǎn)品采用超緊湊晶圓級(jí)DSN1006封裝，具有市場領(lǐng)先的RDS(on)特性，在空間受限和電池續(xù)航運(yùn)行至關(guān)重要的情況下，可使電力更為持久。新型MOSFET非常適合智能手機(jī)、智能手表、助聽器和耳機(jī)等高度小型化電子產(chǎn)品，迎合了更智能、功能更豐富的趨勢，滿足了增加系統(tǒng)功耗的需求。 RDS(on)與競爭器件相比性能提升了25%，可最大限度降低能耗，提高負(fù)載開關(guān)
關(guān)鍵字： Nexperia 晶圓級(jí) MOSFET