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中國電科55所高性能高可靠碳化硅MOSFET成功通過技術鑒定

作者: 時間:2023-05-23 來源:中國電科 收藏

近日,牽頭研發(fā)的“高性能高可靠技術及應用”成功通過技術鑒定。鑒定委員會認為,該項目技術難度大,創(chuàng)新性顯著,總體技術達到國際先進水平。

本文引用地址:http://www.bjwjmy.cn/article/202305/446854.htm

該項目聚焦新能源汽車、光伏儲能、智能電網等領域對高性能高可靠器件自主創(chuàng)新的迫切需求,突破多項關鍵工藝技術,貫通襯底、外延、芯片、模塊全產業(yè)鏈量產平臺,國內率先研制出750V/150A和6500V/25A的大電流碳化硅器件,實現新能源汽車、光伏、智能電網等領域碳化硅MOSFET批量供貨,有力保障碳化硅功率器件供應鏈安全,支撐產業(yè)鏈向高端躍升。

下一步,國基南方、將面向國家重大戰(zhàn)略需求,聚焦汽車芯片等領域,繼續(xù)完善產品譜系、拓展產品類型,全力提升碳化硅產能,進一步推進新能源汽車用碳化硅MOSFET芯片和功率模塊關鍵核心技術攻關及產業(yè)化應用。



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