臺積電 文章 最新資訊
聯(lián)發(fā)科與臺積電成功合作開發(fā)業(yè)界首款采用N6RF+制程
- 聯(lián)發(fā)科與臺積電共同宣布,雙方成功合作開發(fā)業(yè)界首款通過臺積電N6RF+硅驗證(Silicon-Proven)的電源管理單元(PMU)及整合功率放大器(iPA)。 此次合作成功的利用先進射頻 ( RF ) 制程,將電源管理單元與整合功率放大器這兩種無線通訊產(chǎn)品必備的元件整合到單一系統(tǒng)單芯片 (SoC),能以更小的面積提供媲美獨立模塊的效能。臺積電先進N6RF+技術(shù)可縮小無線通訊產(chǎn)品模組面積尺寸,此外,與既有解決方案相比,此次雙方合作在電源管理單元上有顯著能效提升,而在整合功率放大器上亦與標桿產(chǎn)品擁有同
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美媒:廢除《芯片法案》恐讓美芯片制造市占僅個位數(shù)
- 特朗普上任后想廢除拜登政府推動的527億美元《芯片法案》補助,他抱怨該項計劃浪費納稅人的錢,建議把資金轉(zhuǎn)用在減輕美國債務壓力,但美國財經(jīng)媒體撰文指出,如果《芯片法案》補助被撤銷,美國芯片市占率恐縮減至8%??偛课挥谌A府的半導體行業(yè)協(xié)會2024年估計,美國預計在2032年,將其所有類型芯片的制造能力都提高至2倍,在全球芯片市占率可望從10%升至14%,但如果沒有芯片法案,美國的芯片市占率可能會縮減至8%。分析《芯片法案》對美國半導體業(yè)的影響,若從納稅人角度來看,該法案代表一筆很大的支出,但對半導體產(chǎn)業(yè)來說,
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三星已于去年底量產(chǎn)第四代 4 納米芯片,全力追趕臺積電
- 3 月 11 日消息,據(jù) ZDNet Korea 今日報道,三星電子 11 日的業(yè)務報告稱,三星電子第四代 4 納米工藝(SF4X)已于去年 11 月開始量產(chǎn)。由于該工藝專注于人工智能等高性能計算(HPC)領域,預計將在三星代工業(yè)務的復蘇中發(fā)揮關(guān)鍵作用。三星第一代 4 納米于 2021 年量產(chǎn)。圖源:三星電子據(jù)了解,與前幾代相比,三星的第四代 4 納米芯片采用了先進的后端連線(BEOL)技術(shù),能夠顯著提升芯片的整體性能,同時降低制造成本。此外,該芯片還配備了高速晶體管,還支持 2.5D 和 3D 等下一代
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全球前十大晶圓代工廠4Q24營收排名:臺積電穩(wěn)居龍頭 中芯國際躋身第三
- 3月10日消息,TrendForce集邦咨詢發(fā)布的最新研報顯示,2024年第四季度,前十大晶圓代工廠合計營收季增近10%,達384.8億美元,再創(chuàng)新高。報告稱,2024年第四季全球晶圓代工產(chǎn)業(yè)呈兩極化發(fā)展,先進制程受惠于AI Server等新興應用增長,以及新款旗艦級智能手機AP和PC新平臺備貨周期延續(xù),帶動高價晶圓出貨增長,抵銷成熟制程需求趨緩帶來的沖擊。其中,受惠于智能手機、HPC新品出貨動能延續(xù),臺積電營收成長至268.5億美元,增幅14.1%,以市占率67%穩(wěn)居龍頭。三星排名第二,2024年第四季
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消息稱美版 2025 款 iPad(A16)所用芯片產(chǎn)自臺積電美國工廠
- 3 月 10 日消息,科技媒體 9to5Mac 昨日(3 月 9 日)發(fā)布博文,報道認為蘋果最新推出的 2025 款 11 英寸 iPad(A16)平板不僅提升了產(chǎn)品性能,還通過使用美國制造的芯片獲得戰(zhàn)略優(yōu)勢。位于美國亞利桑那州的臺積電工廠美國于 2024 年開始試產(chǎn) 4 納米芯片,臺積電已在亞利桑那州 Fab 21 工廠第一期工程小規(guī)模生產(chǎn) A16 芯片,雖然數(shù)量有限,但意義重大。消息稱伴隨著一期工程第二階段完成,該工廠將大幅提升產(chǎn)能,預計 2025 年上半年達到目標產(chǎn)量。蘋果沒有計劃讓 2025 款
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即使18A得到提升,英特爾也會繼續(xù)使用臺積電的服務
- 盡管英特爾希望減少對臺積電制造服務的使用,但該公司將在可預見的未來繼續(xù)從這家總部位于中國臺灣的代工廠訂購芯片,一位高級管理人員昨天在一次技術(shù)會議上表示。英特爾的宏偉計劃是在英特爾代工內(nèi)部生產(chǎn)盡可能多的產(chǎn)品,但由于這可能不是最佳策略,它目前正在評估其產(chǎn)品的百分比應該在臺積電生產(chǎn)?!拔艺J為一年前我們在談論盡快將[TSMC的使用量]降至零,但這已經(jīng)不是策略了,”英特爾企業(yè)規(guī)劃和投資者關(guān)系副總裁John Pitzer在摩根士丹利技術(shù)、媒體和電信會議上說?!拔覀冋J為,至少與臺積電合作的一些晶圓總是好的。他們是一個很
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臺積電擴大美國投資竟是“最不糟的結(jié)果”
- 臺積電4日宣布對美國加碼投資1千億美元(約臺幣3.29元),成為美國史上規(guī)模最大的外企投資案。 分析師表示,此交易對臺積電而言,是「最不糟糕」的結(jié)果,既避免了投資英特爾股權(quán)或技術(shù)移轉(zhuǎn)的風險,又能維持自身先進制程技術(shù)的領先地位。美國總統(tǒng)特朗普與臺積電董事長魏哲家于4日(北京時間)在白宮共同宣布,臺積電將斥資1千億美元擴大美國投資,包括興建3座晶圓廠、2座先進封裝廠和1座研發(fā)中心,加上原先規(guī)劃的3座晶圓廠(投資金額650億美元),合計臺積電在美國的總投資額將達到1650億美元。Investing.com&nb
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1650億美元!臺積電宣布美國史上規(guī)模最大的單項海外直接投資案

- 3月4日,臺積電董事長魏哲家與美國總統(tǒng)特朗普在白宮共同宣布,臺積電未來4年有意增加1000億美元投資于美國先進半導體制造,這筆資金將用于新建三座新晶圓廠、兩座先進封裝設施和一個大型研發(fā)中心,這也是美國史上規(guī)模最大的單項海外直接投資案。美國總統(tǒng)特朗普(左)與臺積電董事長魏哲家(右)召開共同記者會此前,臺積電正在進行650億美元于亞利桑那州鳳凰城的先進半導體制造的投資項目,在美國的總投資金額預計將達到1650億美元。臺積電表示,此舉突顯了臺積電致力于支持客戶,包括蘋果(Apple)、英偉達(NVIDIA)、A
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臺積電在美豪擲千億也難逃關(guān)稅?特朗普再舉大棒
- 3月5日消息,全球最大先進計算機芯片生產(chǎn)商臺積電宣布,將在美國投資1000億美元建設五座新工廠。但特朗普政府仍在考慮對臺灣地區(qū)生產(chǎn)的芯片加征關(guān)稅,甚至可能高達100%。專家指出,實施此類關(guān)稅將面臨巨大的執(zhí)行難度,且未必能顯著提升美國的半導體制造能力。臺積電于周一宣布,計劃在美國投資1000億美元,在亞利桑那州建設五座芯片制造工廠。臺積電首席執(zhí)行官魏哲家與美國總統(tǒng)唐納德·特朗普(Donald Trump)一同在白宮宣布了這一消息。特朗普將芯片生產(chǎn)視為“經(jīng)濟安全問題”,并表示:“通過在這里建廠,他(魏哲家
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臺積電計劃在美國追加1000億美元投資,新建五家芯片工廠
- 集成電路代工巨頭臺積電計劃在美國追加1000億美元投資。3月4日,據(jù)環(huán)球網(wǎng)援引臺媒報道,臺積電將對美國再投資“至少”1000億美元,建造“最先進的”芯片生產(chǎn)設施。臺積電董事長兼總裁魏哲家表示,未來數(shù)年將在美國再建造5座晶圓廠。據(jù)介紹,臺積電在美建造的包括三座新的晶圓廠和兩座先進封裝設施,此外還有一家大型研發(fā)中心。建設完成后,臺積電將在亞利桑那州擁有總計六家晶圓廠。魏哲家表示:“AI正在重塑我們的日常生活,半導體技術(shù)是新功能和應用的基石。隨著公司在亞利桑那州的第一座晶圓廠取得了成功,加上必要的政府支持和強大
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Marvell 展示其首款 2nm IP 驗證芯片,支持 AI XPU、交換機開發(fā)
- 3 月 4 日消息,Marvell 美滿電子當?shù)貢r間昨日公布了其首款 2nm IP 驗證芯片。該芯片采用臺積電 N2 制程,是 Mavell 基于該節(jié)點開發(fā)定制 AI XPU、交換機和其它芯片的基石?!鳰arvell 的 2nm IP 芯片Marvell 表示其 2nm 平臺可為超大型企業(yè)顯著提升算力基礎設施的性能與效率,從而滿足 AI 時代對這兩項參數(shù)的需求。Marvell 還面向芯粒(IT之家注:即 Chiplet、小芯片)垂直 3D 堆疊場景推出了運行速度可達 6.4Gbit/s 的 3D 同步雙向
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2納米制程競爭 臺積電穩(wěn)步向前或芒刺在背?
- 在半導體制程技術(shù)的競賽中,2納米制程成為各大廠商爭奪的下一個重要里程碑。 臺積電(TSMC)正在積極研發(fā)2納米制程,于2024年開始試產(chǎn),并計劃于2025年實現(xiàn)量產(chǎn)。 臺積電將在2納米節(jié)點引入GAA(環(huán)繞柵極)納米片晶體管技術(shù),這是從傳統(tǒng)的FinFET轉(zhuǎn)向新一代晶體管架構(gòu)的重大轉(zhuǎn)變。 臺積電也計劃興建2納米晶圓廠,以滿足未來的生產(chǎn)需求。臺積電在制程技術(shù)上一直保持領先,擁有穩(wěn)定的制造流程和廣泛的客戶基礎。 與蘋果、AMD、高通等大客戶的緊密合作,使其在市場上具有強大的影響力。 且需面對來自三星和英特爾在GA
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英特爾再度推遲280億美元芯片廠建設,恐動搖市場信心
- 【環(huán)球時報綜合報道】美國半導體巨頭英特爾近日宣布,其斥資280億美元在俄亥俄州建設的尖端芯片制造基地將延期5年投產(chǎn)。據(jù)路透社2月28日報道,英特爾表示,在該州的首座晶圓工廠投產(chǎn)時間將從原計劃的2025年推遲至2030年,第二座工廠預計延至2032年投產(chǎn)。英特爾是獲得美國《芯片與科學法》最多資金支持的本土芯片企業(yè),美國科技媒體WinBuzzer網(wǎng)站3月1日稱,英特爾此前已將該工廠的建設計劃由2025年延期至2027年,兩次投產(chǎn)延期引發(fā)人們對僅靠政府資金能否振興美國芯片業(yè)的擔憂。英特爾全球運營執(zhí)行副總裁錢德拉
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