?三星 文章 進入?三星技術社區(qū)
三星考慮進行大規(guī)模內(nèi)部重組

- 據(jù)韓媒SEDaily報道,三星半導體部門(即DS設備解決方案部)正對系統(tǒng)LSI業(yè)務的組織運作方式的調(diào)整計劃進行最終審議,相關決定將在不久后公布。預計在由副董事長鄭鉉鎬和DS部門負責人全永鉉做出最終決定之前,還將進行更多高層討論,并聽取董事長李在镕的意見。系統(tǒng)LSI業(yè)務主要負責芯片設計,在三星半導體體系中承擔著為移動業(yè)務(MX)部門開發(fā)Exynos手機SoC的核心任務。然而,近年來Exynos 2x00系列應用處理器在三星Galaxy S/Z系列高端智能手機中的采用率明顯下降,不僅削弱了MX部門的利潤空間,
- 關鍵字: 三星 HBM LSI DRAM 半導體 晶圓代工
三星恐以拆分搶臺積電訂單 想讓蘋果、英偉達變心
- 三星要向臺積電發(fā)出真正的挑戰(zhàn)? 根據(jù)韓媒《BusinessKorea》報導,三星為解決代工業(yè)務長期虧損及利益沖突問題,可能拆分代工業(yè)務,以擺脫長期虧損的泥沼。報導指出,在三星生物制藥(Samsung Biologics)5月22日宣布,將其合約開發(fā)和制造業(yè)務(CDMO)與生物相似藥(biosimilars)業(yè)務拆分后,三星可能將半導體事業(yè)代工業(yè)務拆分的議題再度浮上臺面。根據(jù)了解,三星想拆分代工業(yè)務,主因是三星半導體部門兼顧設計和生產(chǎn),客戶擔心利益沖突。 三星作為全球第二大晶圓代工廠商,目前采用3納米制程制
- 關鍵字: 三星 臺積電 蘋果 英偉達
三星CIS跌出前3,格科微躍升至第2
- 據(jù)市場調(diào)查機構最新數(shù)據(jù)顯示,三星電子在CMOS影像傳感器(CIS)市場的排名出現(xiàn)顯著下滑。以出貨量為基準,2023年三星還位居市場第二,到2024年已跌至第四,跌出行業(yè)前三陣營。同一時期,格科微電子出貨量增長迅猛,從2023年的第四名躍升至2024年的第二名;豪威科技(OmniVision)則保持住了第三名的位置;而日本的索尼依然穩(wěn)坐行業(yè)龍頭寶座。當前,行業(yè)呈現(xiàn)出兩極分化態(tài)勢:CIS龍頭索尼憑借高端產(chǎn)品持續(xù)保持領先;中國企業(yè)則依靠中低價策略迅速搶占市場份額。夾在中間的三星,市占率不斷下滑。據(jù)韓媒ET Ne
- 關鍵字: 三星 CIS 格科微
三星OSAT合作伙伴韓亞美光將越南的產(chǎn)能削減至三分之一
- 據(jù)報道,隨著關稅風險迫在眉睫和市場不確定性上升,總部位于韓國的 OSAT 巨頭韓亞美光已縮減其在越南的擴張計劃。據(jù)《財經(jīng)新聞》和越南 CAFEF 報道,其北寧工廠正在尋求批準將產(chǎn)能削減三分之二。報道援引韓美光越南向越南當局提交的修改其環(huán)境許可證的提案,將這一舉措歸因于需求疲軟,并指出該公司尚未收到包括三星在內(nèi)的主要國內(nèi)和國際合作伙伴的大訂單。報告表明,韓亞美光已提議將半導體芯片的年產(chǎn)量從 3 億顆降低到 1 億顆,此舉是在 2024 年 10 月獲得的早期許可之后采取的。韓亞美光是三星
- 關鍵字: 三星 OSAT 韓亞美光
三星將停產(chǎn)MLC NAND,未來聚焦TLC和QLC技術
- 據(jù)消息人士透露,三星計劃在下個月停止接收MLC NAND芯片的訂單,標志著其將逐步退出MLC NAND(多層單元NAND)業(yè)務。同時,三星還提高了MLC NAND的價格,促使部分客戶開始尋找替代供應商。LG顯示(LG Display)正是受影響的客戶之一。該公司此前在其用于大型OLED面板的4GB eMMC(嵌入式多媒體卡)中使用三星的MLC NAND。目前,LG顯示正在尋求其他供應商,以填補這一空缺。據(jù)悉,LG顯示此前的eMMC產(chǎn)品還使用了ESMT和鎧俠的產(chǎn)品。其中,ESMT的eMMC采用了三星的MLC
- 關鍵字: 三星 MLC NAND TLC QLC
愛爾蘭公布了數(shù)十億歐元的項目,吸引臺積電和三星投資
- 據(jù)《自由時報》援引《商業(yè)郵報》報道,愛爾蘭公布了一項新計劃,概述了一系列旨在推動其半導體行業(yè)發(fā)展的支持措施。據(jù)報道,政府正在提供價值數(shù)十億歐元的補貼,以吸引臺積電和三星等科技巨頭在該國投資。根據(jù)該部的新聞稿,愛爾蘭企業(yè)部長彼得·伯克 (Peter Burke) 周一啟動了該戰(zhàn)略。正如《愛爾蘭時報》所指出的,這些激勵措施針對一些世界上最大的半導體公司,旨在到 2040 年創(chuàng)造 35,000 個工作崗位,并吸引多達三家半導體晶圓廠到愛爾蘭。《自由時報》援引《商業(yè)郵報》的話稱,計劃中的設施之一將是一個尖端的生產(chǎn)
- 關鍵字: 愛爾蘭 臺積電 三星
三星戰(zhàn)勝臺積電贏得Nintendo Switch 2 芯片訂單
- Samsung Foundry 的另一個強勁推動力可能即將到來。據(jù)彭博社報道,消息人士稱,任天堂已聘請三星為其即將推出的 Switch 2 生產(chǎn)主芯片。這標志著這家韓國科技巨頭的重大勝利,因為最初的 2017 年 Switch 芯片是由臺積電制造的。據(jù)報道,三星現(xiàn)在正在使用其 8nm 工藝生產(chǎn)由 NVIDIA 設計的芯片。消息人士表示,任天堂轉向三星可能是由于新的 NVIDIA 芯片針對三星的制造系統(tǒng)進行了優(yōu)化,正如報告所示。該報告還提到,三星長期以來一直是任天堂的關鍵供應商,為最初的 Switch 提供
- 關鍵字: 三星 臺積電 Nintendo Switch 2 芯片訂單
三星搶下Switch 2芯片大單 轉單原因曝光
- 三星試圖追趕產(chǎn)業(yè)龍頭臺積電,根據(jù)美國財經(jīng)媒體報導,任天堂「棄臺積電轉向三星」,讓其協(xié)助制造新一代游戲主機Switch 2主要芯片,知情人士認為,任天堂最新決定是三星的一大進展。 消息人士稱,轉單三星有利任天堂,任天堂將不需和其他公司爭奪臺積電的產(chǎn)能。知情人士表示,三星在8納米制程良率佳,獲得任天堂的青睞,三星將生產(chǎn)英偉達(Nvidia)為Switch 2特別設計的客制化芯片或處理器,如此一來,將有助任天堂提高游戲主機的產(chǎn)量,銷量可望在2026年3月前超過2000萬臺,高于原本預估目標。韓媒Chosun B
- 關鍵字: 三星 Switch 2
英偉達降級版H20或用GDDR取代HBM

- 在英偉達H20受到最新出口限制之后,其正在開發(fā)該芯片的降級版本,以尋求在有限政策空間內(nèi)繼續(xù)開拓中國市場,最早可能在7月發(fā)布。降級版H20性能預計會有較為明顯的下調(diào),尤其是在內(nèi)存容量方面,據(jù)TrendForce報道英偉達可能會用GDDR取代HBM。英偉達HBM3的供應商是SK海力士和三星,其中SK海力士是主要供應商,如果降級版H20選擇換用GDDR,那么可能會對現(xiàn)有的供應鏈產(chǎn)生一定的干擾。同樣,三星和SK海力士也都有與英偉達在GDDR7上合作的經(jīng)驗,值得注意的是,現(xiàn)階段GDDR7的供應主要由三星提供支持,S
- 關鍵字: 英偉達 H20 GDDR HBM 三星 SK海力士
Apple Watch出貨量連續(xù)第二年同比下滑

- 根據(jù)Counterpoint公布的《2024年Q4全球智能手表出貨追蹤報告》,2024年Apple Watch出貨量同比下滑19%。報告稱,Apple Watch出貨量除印度外所有區(qū)域市場均出現(xiàn)下滑,但北美市場的大幅下跌是主因。這已是Apple Watch出貨量連續(xù)第二年同比下滑。在售價超300美元的高端智能手表領域,2024年Apple市場份額同比縮減8%。2024年Q4是蘋果智能手表出貨量連續(xù)第五個季度下滑,而同期所有其他提供高端智能手表的主要競爭對手三星、華為、谷歌等均實現(xiàn)了增長?;仡橝pple W
- 關鍵字: Apple Watch 華為 三星 蘋果 智能手表
三星被曝將首次外包芯片“光掩模”生產(chǎn),聚焦ArF和EUV等先進技術
- 5 月 14 日消息,光掩模(版)系生產(chǎn)集成電路所需之模具,是用于光致抗蝕劑涂層選擇性曝光的一種結構,其原理類似于沖洗相片時利用底片將影像復制到相片上。韓國科技媒體 TheElec 今日報道稱,三星電子正計劃將內(nèi)存芯片制造所需的光掩模生產(chǎn)業(yè)務進行外包。據(jù)稱,目前三星已啟動供應商評估流程,候選企業(yè)包括日本 Toppan 控股子公司 Tekscend Photomask 和美國 Photronics 旗下 PKL(注:廠址位于京畿道),評估結果預計第三季度公布。TheElec 報道稱,三星準備將低端產(chǎn)品(i-
- 關鍵字: 三星 外包芯片 光掩模 ArF EUV 半導體
三星將采用HBM4內(nèi)存的混合鍵合
- 三星計劃在其 HBM4 中采用混合鍵合技術,以減少熱量并實現(xiàn)超寬內(nèi)存接口,該公司在韓國首爾舉行的 AI 半導體論壇上透露。相比之下,該公司的競爭對手 SK 海力士可能會推遲采用混合鍵合技術,EBN 報道。高帶寬內(nèi)存 (HBM) 將多個存儲器件堆疊在基礎芯片上。目前,HBM 堆棧中的內(nèi)存芯片通常使用微凸塊(在堆疊芯片之間傳輸數(shù)據(jù)、電源和控制信號)連接在一起,并使用模塑底部填充質(zhì)量回流 (MR-MUF) 或使用非導電膜 (TC-NCF) 的熱壓縮等技術進行鍵合。這些晶粒還使用嵌入在每個晶粒內(nèi)的硅通孔
- 關鍵字: 三星 HBM4 內(nèi)存 混合鍵合
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