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高效率和高功率密度是為當(dāng)今產(chǎn)品設(shè)計(jì)電源時(shí)的關(guān)鍵特性。為了實(shí)現(xiàn)這些目標(biāo)，開(kāi)發(fā)人員正在轉(zhuǎn)向氮化鎵 （GaN），這是一種可實(shí)現(xiàn)高開(kāi)關(guān)頻率的寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)。與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的功率半導(dǎo)體技術(shù)相比，GaN 最大限度地減少了所需無(wú)源元件的......
前沿動(dòng)態(tài)德州儀器 (TI) 于 5 月 6 日至 8 日在德國(guó)紐倫堡舉辦的電力轉(zhuǎn)換與智能運(yùn)動(dòng)（Power Conversion, Intelligent Motion，PCIM）展覽會(huì)上展示新的功率管理產(chǎn)品和設(shè)計(jì)。德州儀......
英飛凌憑借其高性能功率開(kāi)關(guān)器件和EiceDRIVER?列的隔離柵極驅(qū)動(dòng)器而聞名，每個(gè)功率開(kāi)關(guān)都需要驅(qū)動(dòng)器，對(duì)于驅(qū)動(dòng)器的選擇，英飛凌共有441個(gè)不同的型號(hào)（截止2025年1月16日），分別屬于非隔離型、電平位移型和采用無(wú)磁......
一、厚膜電阻技術(shù)特性與市場(chǎng)定位厚膜電阻作為電子電路基礎(chǔ)元件，采用絲網(wǎng)印刷工藝在氧化鋁基板上沉積電阻漿料（主要成分為RuO?或Ag-Pd合金），經(jīng)高溫?zé)Y(jié)形成功能性電阻層。其技術(shù)特性與市場(chǎng)定位可通過(guò)以下關(guān)鍵參數(shù)體現(xiàn)：（注：......
在消費(fèi)電子市場(chǎng)高速發(fā)展的當(dāng)下，IGBT（絕緣柵雙極晶體管）已成為現(xiàn)代家電設(shè)備中不可或缺的核心器件。憑借其優(yōu)異的開(kāi)關(guān)特性、低導(dǎo)通損耗及出色的熱管理能力，IGBT技術(shù)正持續(xù)推動(dòng)家電產(chǎn)品能效升級(jí)。安世半導(dǎo)體推出的650 V G......
Menlo Microsystems 今天在紐倫堡的 PICM 上展示了一種將其 MEMS 繼電器（微型機(jī)電繼電器）擴(kuò)展到“10MW 及以上配電和控制系統(tǒng)”的方法。該演示基于該公司的 MM9200 300V 10A 單刀......
近日，為推動(dòng)下一代固態(tài)配電系統(tǒng)的發(fā)展，英飛凌科技股份公司正在擴(kuò)展其碳化硅（SiC）產(chǎn)品組合，推出了新型CoolSiC? JFET產(chǎn)品系列。新系列產(chǎn)品擁有極低的導(dǎo)通損耗、出色的關(guān)斷能力和高可靠性，使其成為先進(jìn)固態(tài)保護(hù)與配電......
數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)（DAQ）是現(xiàn)代電子設(shè)備中不可或缺的一部分，主要用于高精度地捕獲電子設(shè)備和傳感器產(chǎn)生的信號(hào)，以便進(jìn)行實(shí)時(shí)處理、硬件在環(huán)仿真、自動(dòng)測(cè)試以及數(shù)據(jù)記錄等應(yīng)用。對(duì)于需要達(dá)到七位半甚至更高精度的數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)，業(yè)界傳統(tǒng)上......
在許多應(yīng)用中，電壓需要向上和向下轉(zhuǎn)換。例如，如果輸入電壓范圍為 6 至 24 V，則會(huì)產(chǎn)生 12 V。經(jīng)典的寬范圍電源必須能夠進(jìn)行此類電壓轉(zhuǎn)換。不同的電壓轉(zhuǎn)換架構(gòu)能夠向上和向下進(jìn)行電壓轉(zhuǎn)換。這些是基于變壓器的拓?fù)?，例如?.....
本文將借助ADP5600深入探討交錯(cuò)式反相電荷泵(IICP)的實(shí)際例子。我們將ADP5600的電壓紋波和電磁輻射干擾與標(biāo)準(zhǔn)反相電荷泵進(jìn)行比較，以揭示交錯(cuò)如何改善低噪聲性能。01 商用交錯(cuò)式反相電荷泵集成電路中......
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