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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 固態(tài)配電

英飛凌重返SiC JFET，實(shí)現(xiàn)更智能、更快速的固態(tài)配電

  • Infineon Technologies 開發(fā)了用于固態(tài)保護(hù)和配電設(shè)計(jì)的新型碳化硅 JFET 系列。這是繼 2012 年推出的 1200V 4mΩ SiC JFET 系列之后的又一產(chǎn)品。JFET 通過反向偏置 PN 結(jié)上的電場來控制電導(dǎo)率，而不是 MOSFET 中使用的絕緣層上的橫向電場。G1“第一代”CoolSiC JFET 具有 1.5 mΩ （750 V BDss） 和 2.3 mΩ （1200 V BDss） 的超低 R DS（ON），可顯著降低導(dǎo)通損耗。大體通道優(yōu)化的 SiC JFET 在短路
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英飛凌推出新型CoolSiC? JFET技術(shù)，實(shí)現(xiàn)更加智能、快速的固態(tài)配電

  • 近日，為推動(dòng)下一代固態(tài)配電系統(tǒng)的發(fā)展，英飛凌科技股份公司正在擴(kuò)展其碳化硅（SiC）產(chǎn)品組合，推出了新型CoolSiC? JFET產(chǎn)品系列。新系列產(chǎn)品擁有極低的導(dǎo)通損耗、出色的關(guān)斷能力和高可靠性，使其成為先進(jìn)固態(tài)保護(hù)與配電系統(tǒng)的理想之選。憑借強(qiáng)大的短路能力、線性模式下的熱穩(wěn)定性以及精確的過壓控制，CoolSiC? JFET可在各種工業(yè)和汽車應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)可靠且高效的系統(tǒng)性能，包括固態(tài)斷路器（SSCB）、AI數(shù)據(jù)中心熱插拔模塊、電子熔斷器、電機(jī)軟啟動(dòng)器、工業(yè)安全繼電器以及汽車電池隔離開關(guān)等。英飛凌科技零碳工業(yè)功率
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固態(tài)配電介紹

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