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與傳統(tǒng)硅芯片相比，單片集成 GaN 功率 IC 具有顯著優(yōu)勢，包括卓越的效率、更小的尺寸、更高的速度和更低的成本。GaN 的特別之處在于其天然特性，例如更高的臨界電場、更低的導(dǎo)通電阻和更小的寄生電容。半導(dǎo)體工程師現(xiàn)在正在......
電池是一種方便、高密度的能量儲(chǔ)存。它們成為互聯(lián)無線和物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的中流砥柱并非偶然。然而，電池有很多不喜歡的地方：* 尺寸和形狀 – 圓柱形或紐扣電池具有笨重的外形，很難適應(yīng)消費(fèi)者喜歡的時(shí)尚和超薄設(shè)計(jì)。* 總擁有成本高——......
多種發(fā)電系統(tǒng)方法2可以應(yīng)用于天基電力子系統(tǒng)（EPS）為航天器提供動(dòng)力（圖1）。圖1. 太空中典型的電力子系統(tǒng) （EPS）。此類電源包括：太陽能電池陣列：光伏組件可以吸收太空中的陽光，從而為衛(wèi)星產(chǎn)生直流電鋰離子電池：這些電......
幾十年來，硅一直是電力電子領(lǐng)域無可爭議的領(lǐng)導(dǎo)者。但隨著硅達(dá)到其性能極限，氮化鎵 （GaN） 功率器件正在取得進(jìn)展。憑借更快的開關(guān)速度和更高的效率，氮化鎵已經(jīng)在消費(fèi)類快速充電器中發(fā)揮了重大作用，與硅相比，實(shí)現(xiàn)了系統(tǒng)級(jí)成本、......
充電器也能危害生命？專家分析手機(jī)充電器內(nèi)部變壓器漏電，220VAC的交流電漏電到直流端，并通過數(shù)據(jù)線傳導(dǎo)到了手機(jī)金屬殼上，最終導(dǎo)致觸電身亡，發(fā)生無可挽回的悲劇。那么手機(jī)充電器輸出端為什么會(huì)帶有220V的交流電呢？隔離電源......
非晶合金材料使空載損耗降低70%，平面變壓器厚度壓縮至2.65mm，集成變壓器IC將解決方案體積減少80%變壓器作為電能轉(zhuǎn)換的核心設(shè)備，自1885年閉路磁芯變壓器發(fā)明以來，其基礎(chǔ)工作原理始終基于電磁感應(yīng)定律——當(dāng)交流電通......
柵極驅(qū)動(dòng)器對(duì)于 SiC MOSFET 和 GaN HEMT 等寬帶隙半導(dǎo)體至關(guān)重要。這些器件在許多方面都優(yōu)于常規(guī)硅器件。這些先進(jìn)的器件具有更快的開關(guān)速度并在更高的頻率下運(yùn)行，因此需要優(yōu)化柵極驅(qū)動(dòng)電路。本常見問題解答將涵蓋......
當(dāng)工業(yè)機(jī)器人因電網(wǎng)浪涌停機(jī)1秒損失萬元時(shí)，傳統(tǒng)過壓保護(hù)電路的致命缺陷暴露無遺——僅監(jiān)測電流的粗放控制，迫使工程師選用超規(guī)格MOSFET，導(dǎo)致電源模塊體積膨脹60%。而LT4363的創(chuàng)新雙參數(shù)控制，通過電壓-電流協(xié)同算法精......
隨著全球?qū)δ茉纯沙掷m(xù)性與安全性的關(guān)注升溫，住宅太陽能儲(chǔ)能系統(tǒng)需求持續(xù)攀升。當(dāng)前市場上，2kW級(jí)微型逆變器已實(shí)現(xiàn)集成儲(chǔ)能功能，而更高功率場景則需依賴串式逆變器或混合串式逆變器。本文聚焦基于TI GaN FET的10kW單相......
從智能手機(jī)內(nèi)部毫米級(jí)的電荷泵芯片到數(shù)據(jù)中心機(jī)柜內(nèi)輸出1500安培的巨型轉(zhuǎn)換模塊，這些看不見的能量樞紐正決定著現(xiàn)代電子設(shè)備的性能極限與能效未來。電源轉(zhuǎn)換器作為現(xiàn)代電子系統(tǒng)的能量樞紐，承擔(dān)著電能形式轉(zhuǎn)換與功率調(diào)節(jié)的核心功能。......
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