通過集成驅動器和高級保護功能簡化GaN電源設計

• 高效率和高功率密度是為當今產品設計電源時的關鍵特性。為了實現(xiàn)這些目標，開發(fā)人員正在轉向氮化鎵 （GaN），這是一種可實現(xiàn)高開關頻率的寬帶隙半導體技術。與競爭對手的功率半導體技術相比，GaN 最大限度地減少了所需無源元件的尺寸，同時降低了柵極驅動和反向恢復損耗。此外，半導體制造商正在將其 GaN 器件封裝在高度集成的行業(yè)標準封裝中，從而縮小印刷電路板 （PCB） 的占地面積要求，同時簡化供應鏈。GaN 應用在 650 V AC-DC 轉換領域，變壓器外形無鉛 （TOLL） 封裝是電源設計的有效選擇。采用此封
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