安世半導體 文章 進入安世半導體技術社區(qū)
能效升級新引擎!拆解IGBT的三大技術優(yōu)勢
- 在消費電子市場高速發(fā)展的當下,IGBT(絕緣柵雙極晶體管)已成為現(xiàn)代家電設備中不可或缺的核心器件。憑借其優(yōu)異的開關特性、低導通損耗及出色的熱管理能力,IGBT技術正持續(xù)推動家電產(chǎn)品能效升級。安世半導體推出的650 V G3 IGBT平臺產(chǎn)品,通過性能優(yōu)化與可靠性提升,為家電設備的高效化、節(jié)能化發(fā)展提供了關鍵解決方案。本文將聚焦家電設備的三大核心應用場景——電機拖動、PFC(功率因數(shù)校正)電路及感應加熱,深入解析安世半導體650 V G3 IGBT平臺的技術優(yōu)勢及其在家電領域的實際應用價值。1. 電機拖動1
- 關鍵字: 安世半導體 IGBT
最大程度提高對汽車以太網(wǎng)應用的ESD保護
- 數(shù)十年來,以太網(wǎng)廣泛應用于工業(yè)和計算網(wǎng)絡,但如今,越來越多地部署到汽車應用,取代了控制器局域網(wǎng)絡(CAN)等傳統(tǒng)網(wǎng)絡。汽車以太網(wǎng)提供拓撲靈活性、高帶寬和穩(wěn)定的通信,能夠滿足原始設備制造商(OEM)從域向區(qū)域網(wǎng)絡架構過渡期間的車內(nèi)數(shù)據(jù)通信需求。本文首先討論各種汽車以太網(wǎng)標準,然后再考慮它們必須符合的嚴格靜電保護(ESD)和電磁兼容性(EMC)標準。最后介紹 Nexperia(安世半導體)的一系列元件,汽車 OEM 可利用這些元件確保車輛網(wǎng)絡在發(fā)生 ESD 事件時得到全面保護。汽車以太網(wǎng)標準2016 年,開放
- 關鍵字: 安世半導體 汽車以太網(wǎng) ESD
迎接汽車電動化時代的來臨,安世半導體引領MOSFET技術革命
- 近年來,汽車行業(yè)正迅速邁入智能化和電動化的新紀元。新能源汽車的銷量與市場滲透率持續(xù)攀升。據(jù)彭博社預測,2023年,全球新能源汽車的銷量將達到1,410萬輛,其中中國市場將占據(jù)大約60%的份額。在汽車向電動化的轉型過程中,盡管 SiC 和 GaN 等第三代半導體材料備受關注,但電動汽車制造商仍對成本持保守態(tài)度。目前,成本效益高且性能穩(wěn)定的硅基 MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)繼續(xù)在車載電子、電驅動以及電池管理系統(tǒng)中發(fā)揮核心作用。去年 MOSFET 的大量缺貨進一步突顯了這一點。然而,要滿足日益增
- 關鍵字: 安世半導體
美國芯片公司Vishay將收購安世半導體紐波特晶圓廠
- 11月8日,美國芯片公司Vishay Intertechnology和安世半導體(Nexperia)宣布,雙方已經(jīng)達成協(xié)議,Vishay將以1.77億美元現(xiàn)金收購Nexperia位于英國南威爾士紐波特的晶圓制造廠和相關業(yè)務。紐波特晶圓廠交易需接受英國政府審查,并符合第三方購買權和慣例成交條件,預計將于2024年第一季度完成。資料顯示,紐波特晶圓廠是一家200mm半導體晶圓廠,經(jīng)過汽車認證,主要供應汽車市場。占地28英畝,是英國規(guī)模最大的半導體制造廠。Vishay總裁兼首席執(zhí)行官Joel Smejkal表示
- 關鍵字: Vishay 安世半導體 晶圓廠
如何選擇符合應用散熱要求的半導體封裝
- 為了滿足應用的散熱要求,設計人員需要比較不同半導體封裝類型的熱特性。在本博客中, Nexperia(安世半導體)討論了其焊線封裝和夾片粘合封裝的散熱通道,以便設計人員選擇更合適的封裝。焊線器件中的熱傳導如何實現(xiàn)焊線封裝器件中的主要散熱通道是從結參考點到印刷電路板(PCB)上的焊點,如圖1所示。按照一階近似的簡單算法,次要功耗通道的影響(如圖所示)在熱阻計算中可以忽略不計。焊線器件中的散熱通道夾片粘合器件中的雙熱傳導通道夾片粘合封裝在散熱上與焊線封裝的區(qū)別在于,器件結的熱量可以沿兩條不同的通道耗散出去,即通
- 關鍵字: 安世半導體
AN90039用于汽車以太網(wǎng)應用的ESD保護器件(100Base-T1、1000Base-T1)(下)
- 本應用筆記介紹適用于 100BASE-T1 和 1000BASE-T1 的現(xiàn)代半導體 ESD 保護器件的特性。ESD 保護器件的作用是實現(xiàn)穩(wěn)健的系統(tǒng),使系統(tǒng)能夠承受破壞性的 ESD 事件并提供更高的EMC性能。本文提供了使用共模扼流圈(CMC)來增強這種耐受性的建議。04 ESD保護器件的SI和影響4.1. PCB 層疊汽車應用最常用的是四層或更多層的印刷電路板(PCB)。大規(guī)模生產(chǎn)中的大多數(shù)應用通?;跇藴实?FR4 PCB 技術。典型 PCB 層疊及尺寸如圖 11 所示。需要注意的是,這種層疊只是一個
- 關鍵字: 安世半導體 AN90039
用于汽車以太網(wǎng)應用的ESD保護器件(100Base-T1、1000Base-T1)(上)
- 本應用筆記介紹適用于 100BASE-T1 和 1000BASE-T1 的現(xiàn)代半導體 ESD 保護器件的特性。ESD 保護器件的作用是實現(xiàn)穩(wěn)健的系統(tǒng),使系統(tǒng)能夠承受破壞性的 ESD 事件并提供更高的EMC性能。本文提供了使用共模扼流圈(CMC)來增強這種耐受性的建議。本應用筆記分為(上)(下)兩部分,您現(xiàn)在看到的是(上)。01 引言目前有幾種以太網(wǎng)解決方案在工業(yè)和商業(yè)應用中非常流行,但幾十年來,并沒有在汽車領域得到廣泛采用。到 2016 年,汽車行業(yè)中共推出了 100BASE-T1 和 1000BASE-
- 關鍵字: 安世半導體 ESD保護器件
安世半導體致力于為中國汽車半導體保駕護航

- 基礎半導體器件領域的專家,安世半導體今日宣布將再次亮相于2021年11月5日至10日在上海舉辦的第四屆中國國際進口博覽會,介紹安世半導體如何運用邏輯電路、分立器件和MOSFET方面的最新進步推動全世界電子設計的發(fā)展。 安世半導體首席執(zhí)行官張學政表示:“我們非常高興繼2020年首次成功參加第三屆中國國際進口博覽會之后,連續(xù)第二年參加此屆盛會。我們將為與會領導和來賓展示安世半導體是如何通過增加產(chǎn)能、創(chuàng)新和運用氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)和IGBT等新技術,推動中國汽車產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,讓世界變得更美
- 關鍵字: 安世半導體 汽車半導體 進博會
助力新基建,安世半導體升級GaN產(chǎn)品線

- 近日,安世半導體宣布推出新一代H2技術的全新650V GaN(氮化鎵) FET。重點應用場合包括電動汽車的車載充電器、高壓DC-DC直流轉換器和發(fā)動機牽引逆變器; 1.5~5kW鈦金級工業(yè)電源,用于機架裝配的電信設備、5G設備和數(shù)據(jù)中心相關設備。 日前,安世半導體MOS業(yè)務集團大中華區(qū)總監(jiān)李東岳詳細解析了安世半導體的GaN FET藍圖以及新一代GaN FET的特性。 新一代GaN產(chǎn)品升級 2019年,安世半導體正式推出650V GaN MOSFET,采用級聯(lián)技術,利用高壓GaN配合低壓
- 關鍵字: 安世半導體 GaN
安世半導體推出采用LFPAK56封裝的0.57m?產(chǎn)品

- 奈梅亨,2020年2月19日:安世半導體,分立器件和MOSFET器件及模擬和邏輯集成電路器件領域的生產(chǎn)專家,今日宣布推出有史以來最低RDS(on)的功率MOSFET。今日推出的PSMNR51-25YLH已經(jīng)是業(yè)內(nèi)公認的低壓、低RDS(on)的領先器件,它樹立了25 V、0.57 m?的新標準。該市場領先的性能利用安世半導體獨特的NextPowerS3技術實現(xiàn),并不影響最大漏極電流(ID(max))、安全工作區(qū)(SOA)或柵極電荷QG等其他重要參數(shù)。?很多應用均需要超低RDS(on)器件,例如OR
- 關鍵字: 安世半導體 MOSFET RDS(on)
安世半導體介紹
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