半導體工藝的微細化是摩爾定律發(fā)展的標志，它從1970年的10mm(微米)邁進到1980年的3mm，1990年的0.5mm，2000年的0.13mm，2005年開始跨入nm(納米)時代，達到90nm，2010年躍進到32nm～45nm。世界純代工企業(yè)走在微細化工藝的最前頭，據(jù)IC Insights公司的最新報告，世界首位代工公司臺積電2014年的銷售中，釆用了≤45nm工藝的占60%，第二大代工公司GlobalFoundries也占到了57%，比重相近，2014年，≤28nm工藝將成為主流，代工業(yè)中使用這類技術的器件銷售額比2013年可大幅上揚72%，達到51億美元，占代工銷售總值的29%，而采用 >28nm工藝的器件所占比重雖仍占71%，但其銷售額僅略增4%(表2)。據(jù)報道，我國中芯國際公司于2012年初開始采用45nm工藝，比臺積電晚了3年，2014年采用≤45nm工藝生產(chǎn)的器件僅占公司銷售額的15%。另據(jù)中芯國際CEO邱慈云透露，目前公司正在做北京12英寸新廠的設備移入工作，預計明年第4季度將有1萬片28nm的晶圓產(chǎn)能，上海也有部分28nm的試驗線產(chǎn)能。同時，中芯國際還在進行14nm工藝的研發(fā)，預計在2016年到2017年間可實現(xiàn)工藝的開發(fā)。

　　《日經(jīng)電子》曾預測，半導體微細化在2015～2020年間將從22nm發(fā)展到16nm。從現(xiàn)有信息看，微細化將繼續(xù)前進，有報道說，F(xiàn)inFET(鰭式場效晶體管)的生產(chǎn)工藝可以邁進到7nm，甚至5nm，當然要采用新的材料。再看各公司的實際情況，2013年Intel公司投入130億美元，堅持按摩爾定律前進，已開發(fā)出14nm 技術，領先其他公司3年，還正著手轉向450 mm晶圓生產(chǎn)，2014年推出全球首款14nm處理器Core M，并宣布不采用EUV(遠紫外)光刻技術走向7nm芯片之道。IBM半導體部門已出售給了GlobalFoundries公司，但也有報道曾說該公司今后5年內對半導體將投資30億美元，研發(fā)7nm以下的新工藝和取代硅的新材料。臺積電2015年投資將擴大到100億美元以上，準備量產(chǎn)16nm FinFET，并計劃2016年使10nm工藝實用化。聯(lián)華電子將在2014年底試產(chǎn)14nm工藝產(chǎn)品。

　　三星公司投資103億美元，重點將放在DRAM尤其是NAND閃存的開發(fā)上，2014年已展示了14nm的FinFET處理器。一般說，NAND閃存的微細化快于DRAM，今天前者已跨入10nm時代(10～12nm)而后者還停留在20nm工藝上，兩者今后還都將向3D發(fā)展，三星已于去年發(fā)表了3D結構的NAND閃存――3位/單元的128G產(chǎn)品“V-NAND”。IC Insights公司給出了一個大致的發(fā)展藍圖(表3)，更值的一提的是，美國斯坦福大學生物系的技術人員已試制出模擬人腦的芯片――“Neurogrid”，據(jù)介紹，其運行速度比普通PC高出9000倍，而耗電量卻遠低于PC，可用于人型機器人及假肢控制等。