根據(jù) TrendForce 最新公布的每周內(nèi)存現(xiàn)貨價格，DDR5 芯片的現(xiàn)貨價格已經(jīng)重回下跌趨勢，導致整體現(xiàn)貨價格沒有回暖跡象。

DRAM 現(xiàn)貨市場：

DDR5 芯片現(xiàn)貨價格再次震蕩下行，DDR4、DDR3 產(chǎn)品現(xiàn)貨價格繼續(xù)呈逐日遞增跌勢?，F(xiàn)貨市場整體還未出現(xiàn)價格反彈的跡象。近期，部分買家尋求小批量訂單的報價，但這種需求并沒有產(chǎn)生足夠的動力來擴大整體成交量。目前，多數(shù)貿(mào)易商普遍認為現(xiàn)貨價格已接近底部，但由于需求前景不樂觀，仍處于被動備貨狀態(tài)。主流芯片（即 DDR4 1Gx8 2666MT/s）現(xiàn)貨均價由上周的 1.543 美元下跌 0.97% 至本周的 1.528 美元。

NAND Flash 現(xiàn)貨市場：

供應商供應減少，效能顯現(xiàn)，目前市場已達成共識，價格無法再進一步下跌。盡管交易量尚未相應放大，但現(xiàn)貨價格整體開始企穩(wěn)。512Gb TLC 晶圓本周下跌 0.49%，至 1.420 美元。

盡管市場沒有回暖，但大廠的步伐沒有停止。SK 海力士宣布，已完成現(xiàn)有 DRAM 中最為微細化的第五代 10 納米級（1b）技術(shù)研發(fā)，并將適用其技術(shù)的 DDR5 服務(wù)器 DRAM 提供于英特爾公司（Intel?）開始了「英特爾數(shù)據(jù)中心存儲器認證程序（The Intel Data CenterCertified memory program）」。此程序是英特爾的服務(wù)器用第四代至強?可擴展平臺（Intel? Xeon? Scalable platform）所采用的存儲器產(chǎn)品兼容性的正式認證流程。

SK 海力士向英特爾提供的 DDR5 DRAM 產(chǎn)品運行速度高達 6.4Gbps（每秒 6.4 千兆比特），公司技術(shù)團隊實現(xiàn)了目前市面上 DDR5 DRAM 的最高速度。與 DDR5 DRAM 初期階段的試制品相比，數(shù)據(jù)處理速度提升了 33%。

另外，公司在此次 1b DDR5 DRAM 上采用了「HKMG（High-K Metal Gate）」工藝，與 1a DDR5 DRAM 相比功耗減少了 20% 以上。

SK 海力士強調(diào)：「通過 1b 技術(shù)的研發(fā)成功，將可向全球客戶供應高性能與高效能功耗比兼?zhèn)涞?DRAM 產(chǎn)品?！?/p>

SK 海力士 DRAM 開發(fā)擔當副社長金鍾煥說道：「就如于公司在今年 1 月將第四代 10 納米級（1a）DDR5 服務(wù)器 DRAM 適用到英特爾?第四代至強?可擴展處理器（4thGen Intel? Xeon? Scalable processors），并在業(yè)界首次獲得認證，此次 1bDDR5 DRAM 產(chǎn)品驗證也會成功完成?！?/p>

他又說到：「有預測稱從今年下半年起存儲器市場狀況將得到改善，公司將以 1b 工藝量產(chǎn)等業(yè)界最高的 DRAM 競爭力水平加速改善今年下半年業(yè)績。又計劃在明年上半年將最先進的 1b 工藝擴大適用于 LPDDR5T 和 HBM3E 產(chǎn)品?！?/p>

另外，SK 海力士表示，為了將已完成一輪兼容性驗證的 1a DDR5DRAM 適用于英特爾下一代至強?可擴展平臺的追加認證流程也正在同步進行中。

三星電子也正式宣布，采用 12nm 級工藝的 DDR5 DRAM 內(nèi)存芯片已經(jīng)開啟了量產(chǎn)模式。這種新型內(nèi)存芯片單顆容量可以達到 16Gb(2GB)，最高速度可達 7.2Gbps(等效頻率 7200MHz)，這相當于每秒鐘可以處理兩個 30GB 超高清電影。與之前的產(chǎn)品相比，12nm DDR5 的功耗降低了多達 23％，同時晶圓生產(chǎn)率提高了 20％，這將對服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心的節(jié)能減排產(chǎn)生明顯的貢獻。值得一提的是，12nm 級工藝的 DDR5 DRAM 內(nèi)存芯片的開發(fā)基于一種新型高 K 材料，該材料可以提高電池電容并使數(shù)據(jù)信號出現(xiàn)明顯的電位差，從而更易于準確地區(qū)分。此外，三星還在降低工作電壓和噪聲方面取得了新的成果。

美光則在 1 月 19 日宣布推出新一代 DDR5 內(nèi)存模塊，產(chǎn)品覆蓋 DDR5-5200/5600，最高擁有 48GB 容量的版本。據(jù)悉，美光新一代 DDR5 內(nèi)存可以支持 5200MT/s 和 5600MT/s 的數(shù)據(jù)傳輸速率，以及 1.1V 電壓下的 CL46 延遲，同時兼容 AMDEXPO 和英特爾 XMP 3.0 配置文件。該模塊在與英特爾處理器兼容上性能提升了 49%，配置最高可達 48GB。美光的新 DDR5 存儲模塊已在英特爾處理器芯片上完成了認證。美光還與 AMD 在奧斯汀建立聯(lián)合服務(wù)器實驗室，以縮短存儲芯片的驗證周期。楊俊剛指出，從合作對象來看，三大存儲芯片廠商在 DDR5 方面主要與英特爾和超威半導體服務(wù)器處理芯片供應商合作，能夠高效提升處理器芯片和存儲器芯片之間的兼容性。

DDR5 作為新一代 DRAM 存儲技術(shù)，與 DDR4 相比在傳輸速率和容量方面出現(xiàn)較大突破。因此，廠商搶先布局 DDR5，是構(gòu)筑自身 DRAM 技術(shù)優(yōu)勢的戰(zhàn)略需求。

但業(yè)界對 DDR5 DRAM 的市場預期不能太過樂觀。受到全球經(jīng)濟前景不明朗、市場持續(xù)低迷、客戶庫存水位較高等因素影響，服務(wù)器 DRAM 市場的復蘇速度將低于預期。Omdia 預計，今年服務(wù)器 DRAM 中采用 DDR5DRAM 芯片的速度將比預期的要慢。此前，市場預計 DDR5 將占據(jù)服務(wù)器 DRAM 市場的 28%，但當前這一數(shù)字已被調(diào)整為 13%。Omdia 的數(shù)據(jù)顯示，2023 年第一季度，DDR5 DRAM 將僅占服務(wù)器 DRAM 市場的 3%，第二季度為 8%，這一比例將在第三季度躍升至 15%，在第四季度將達到 24%。

Server DRAM 預估 DDR5 第一季價格跌幅約 18~23%，略高于 DDR4，但 DDR5 第一季度導入率僅約 10%，故 Server DRAM 價格下跌幅度主要還是由 DDR4 決定，預估跌幅約 15%~20%。

目前存儲器市場主要表現(xiàn)為市場需求疲軟、庫存仍處于高位，導致內(nèi)存芯片價格下滑，存儲器廠商整體營收下降。目前，市場下滑趨勢還未達到終點，預計將持續(xù)一段時間。專家認為，這對 DDR5 DRAM 的市場滲透速度有較大影響。此外，由于目前 DDR5 成本較高，主要應用領(lǐng)域是對算力要求較大的數(shù)據(jù)中心、元宇宙、人工智能等領(lǐng)域的服務(wù)器產(chǎn)品，目前 DRAM 市場主流產(chǎn)品還是以 DDR4 為主，DDR5 替代 DDR4 產(chǎn)品還需要一定時間。