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中國產能逐漸開出 內存價格2019將下滑

作者: 時間:2018-09-03 來源:新電子 收藏

  價格從2016年起一路上揚,但自2018下半年起,由于各廠商產能陸續(xù)開出,因此資策會MIC預測價格將于開始下滑。

本文引用地址:http://www.bjwjmy.cn/article/201809/391441.htm

  資策會MIC資深產業(yè)顧問洪春暉表示,2018年的半導體市場概況是近5年來難得的樂觀,盡管2018年價格成長空間有限,但 Flash需求仍然持續(xù)增加。 因此,預估2018年全球半導體市場規(guī)模將成長10.1%,其中最大的原因是各應用終端內存需求持續(xù)增加,以及車用電子等新興應用帶動。

  洪春暉進一步指出,內存受惠于市場價格上揚,2018年全年臺灣內存產業(yè)產值將成長25%,產值達2,053億新臺幣。 但自2018年第二季起,內存價格由于各新廠產能陸續(xù)開出價格開始松動,由其是在中國大陸,無論是DRAM或是 Flash產能都在持續(xù)開出;盡管目前尚未進入穩(wěn)定量產階段,但預期2018下半年內存價格仍有下跌空間, 在未來兩年內存也不容易再出現(xiàn)價格飆漲的狀況。

  由于內存供給有望增加,因此展望2019年,預計內存成長趨緩,預期成長幅度為3.8%。 觀測臺灣產業(yè),半導體則因高階制程與內存市場帶動呈穩(wěn)定成長,預估2018年臺灣半導體產業(yè)產值將達2.46兆新臺幣,較2017年成長8.1%,成長動力與全球平均水平相當。 但預期在2019年,DRAM制程將轉進至1x和1y納米,F(xiàn)lash產能也持續(xù)增加,預計內存價格下滑將對臺廠造成沖擊。



關鍵詞: 內存 NAND

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