未來整個(gè)應(yīng)用可能會(huì)類似于大腦的網(wǎng)絡(luò)神經(jīng)(如圖9)。

　　ISSI會(huì)提供具有DRAM ECC功能產(chǎn)品(圖10)。因?yàn)锳DAS是非常嚴(yán)肅的，對產(chǎn)品的要求非常高。所以ISSI會(huì)提供帶有ECC的功能的DARM。

　　Cluster(儀表總成)

　　Tier-one(零部件供應(yīng)商)占了大部分市場(圖11)，本土企業(yè)也非常強(qiáng)。

　　其中，3.5寸、7寸是主流的應(yīng)用，還有一些是全尺寸的虛擬表。對于ISSI，從3.5寸到12.3寸都有對應(yīng)的存儲(chǔ)解決方案。例如瑞薩低端產(chǎn)品采用了ISSI汽車級(jí)的外部256Mb SPI NOR Flash，中斷產(chǎn)品采用了外部的SDR(x32)和SPI NOR Flash，高端采用外部DDR3/3L。

　　Connectivity Telematics

　　車聯(lián)網(wǎng)分為兩塊，一個(gè)是OnStar與福特SYNC，另外是除了前述的兩個(gè)系統(tǒng)以外的系統(tǒng)。

　　值得一提的是我國上汽推出了一款具有互聯(lián)網(wǎng)功能的榮威RX 5 SUV，具有語音識(shí)別功能。

　　所以總體地，整個(gè)的運(yùn)算量提升，這對存儲(chǔ)器容量的要求非常高。但此處的存儲(chǔ)器與儀表總成所需的存儲(chǔ)器對安全性的需求是不太相同的。

　　在TCU(Telematics控制單元)方面，ISSI能夠提供全部SDR產(chǎn)品線，汽車級(jí)最大密度達(dá)512Mb。

　　對于小型天線解決方案，ISSI能夠提供靈活的MCP產(chǎn)品線。

關(guān)于ISSI

　　ISSI今年一季度被兆易創(chuàng)新收購。但是ISSI的整個(gè)策略、銷售渠道和公司狀況都沒有變，因?yàn)槠鋭?chuàng)始人現(xiàn)在仍是ISSI的CEO，也是新公司董事會(huì)的成員。

　　ISSI是專業(yè)做存儲(chǔ)器的公司，所做的DRAM產(chǎn)品線堪稱業(yè)界最全。

　　去年?duì)I收3.2億美元，中國市場營業(yè)額約占30%。ISSI公司90%做嵌入式應(yīng)用存儲(chǔ)(其中汽車存儲(chǔ)器為55%，汽車和工控醫(yī)療為80%，其他還有醫(yī)療等)，而競爭對手90%市場來自移動(dòng)應(yīng)用(手機(jī)、平板、PC等)。

　　公司存儲(chǔ)器產(chǎn)品溫度適應(yīng)范圍廣、產(chǎn)品生命周期長、高可靠、高品質(zhì)，另外，ISSI服務(wù)方面也做得很好，在中國有三個(gè)實(shí)驗(yàn)室，分別在上海、北京和深圳，可以為客戶服務(wù)支持。

　　汽車用存儲(chǔ)器年均增長40%比特(bit)量，成長率高于手機(jī)(手機(jī)為20%成長)。根據(jù)Trendforce報(bào)告，2D-NAND Flash 15nm是最后一代制程，而ISSI eMMC中用到MLC NAND flash制程即為15nm，秉承長期支持戰(zhàn)略，可保證長生命周期。

　　2016年中國十大車廠中，除了上汽通用五菱(生產(chǎn)微型面包車)，其他都是ISSI的客戶。此外，本土品牌的長安、吉利、奇瑞等也是ISSI的客戶。

　　下一代 ISSI DRAM(DDR3)產(chǎn)品規(guī)劃將演進(jìn)到25nm，同時(shí)，公司也開發(fā)帶有ECC DRAM滿足車載應(yīng)用。

　　關(guān)于車聯(lián)網(wǎng)市場，IHS統(tǒng)計(jì)有三大應(yīng)用：通用安吉星，福特SYNC，國內(nèi)俗稱的T-Box。在娛樂導(dǎo)航方面，單顆DDR3 8Gb需求容量已經(jīng)夠大。車聯(lián)網(wǎng)目前主流方案應(yīng)用DDR3 1Gb/2Gb，儀表總成的需求也沒有那么大，2Gb/4Gb DDR3為主流。

　　車載市場的特點(diǎn)是現(xiàn)在很激進(jìn)，目前主流存儲(chǔ)器用什么，車載就用什么，不像以前那么保守。有的車上市半年就改款，更換更炫大屏車機(jī)，那么對存儲(chǔ)器需求增大。相比之下，工控喜歡利用原有資產(chǎn)(legacy，也稱遺產(chǎn))，例如5V SRAM還在用，因?yàn)楣I(yè)應(yīng)用(例如電梯控制板，醫(yī)療等)對人的生命有關(guān)，需要進(jìn)行長時(shí)間認(rèn)證，認(rèn)證成本與cost down下來成本比例相差不大。

ISSI芯片組

　　DDR4 SDRAM方面，ISSI能提供的1.2V DDR4最高到1.2GHz(2400MT/s 數(shù)據(jù)率)，2.5V電源。同時(shí)，ISSI已經(jīng)開始出貨4Gb DDR4樣品。ISSI也是極少數(shù)能夠提供工業(yè)和汽車溫度級(jí)的DDR4廠商。

　　LPDDR3與LPDDR4 SDRAM方面，LPDDR3可達(dá)800MHz(1600MT/s)或更高，帶有1.2V或1.8V供電。4Gb正在開發(fā)中，計(jì)劃今年出貨。

　　LPDDR4在1600MHz(3.2GT/s)或更高，需要1.1V和1.8V電源電壓。2/4/8Gb正在開發(fā)中，計(jì)劃2017或2018供貨。用于汽車的新產(chǎn)品有MCP、ECC DDR3、MMC。

　　全球e.MMC市場預(yù)計(jì)將在2020年達(dá)到21億個(gè)，驅(qū)動(dòng)力是移動(dòng)設(shè)備。汽車是增長最快的部分，預(yù)計(jì)2014~2021年器件年均增長16.4%。在汽車部分，信息娛樂預(yù)計(jì)年均增長20.5%，到2021年將近1.6億個(gè)(圖14)。

　　ISSI的e.MMC是15nm MLC NAND Flash。密度有4GB~64GB產(chǎn)品，還有高速解決方案。

　　參考文獻(xiàn)：

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　　[5]孫俊杰.高交會(huì)上東芝引領(lǐng)閃存技術(shù)走向.電子產(chǎn)品世界,2015(1):79

　　本文來源于《電子產(chǎn)品世界》2017年第4期第3頁，歡迎您寫論文時(shí)引用，并注明出處。