英特爾發(fā)布14nmFinFET工藝Xeon處理器和使用3D NAND的SSD
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英特爾于2016年4月1日發(fā)布了服務(wù)器用微處理器Xeon的新產(chǎn)品以及企業(yè)級SSD的新產(chǎn)品。兩種類的新產(chǎn)品都容易實現(xiàn)SDI(軟件定義基礎(chǔ)架構(gòu))，能輕松構(gòu)建合適的云環(huán)境等。
本文引用地址：http://www.bjwjmy.cn/article/201604/289259.htm此次發(fā)布的MPU是面向中端服務(wù)器的“Intel Xeon Processor E5-2600 v4系列”(開發(fā)代碼：Broadwell-EP)，利用14nm FinFET工藝制造。與利用22nm FinFET制造的上一代產(chǎn)品“Intel Xeon Processor E5-2600 v3系列”(開發(fā)代碼：Haswell-EP)相比，強化了性能等。
具體來說，每個插槽的CPU內(nèi)核數(shù)/線程數(shù)量由最多18/36增至22/44;末級緩存容量由45MB增至55MB;支持的的DDR4內(nèi)存速度也更高，上一代產(chǎn)品最高為DDR4-2133，而新產(chǎn)品達到DDR4-2400。
SSD新產(chǎn)品有兩個系列，分別是“Intel SSD DC P3320/P3520系列”和“Intel SSD DC D3700/D3600系列”。前者在英特爾SSD中首次采用了3D NAND，其中，P3320的性能是SATA連接的現(xiàn)有產(chǎn)品的最高5倍。
D3700/D3600是英特爾SSD中首款支持雙端口的產(chǎn)品。是PCI Express連接的SSD，符合NVMe(Non-Volatile Memory Express)標準。以D3700為基礎(chǔ)構(gòu)建的系統(tǒng)性能最高可達到現(xiàn)在市場上的雙端口SAS的6倍。
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