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電子產(chǎn)品世界雜志
《設(shè)計(jì)100例》

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碳化硅

碳化硅（SiC）為由硅與碳相鍵結(jié)而成的陶瓷狀化合物，碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物，莫桑石。制造由于天然含量甚少，碳化硅主要多為人造。最簡(jiǎn)單的方法是將氧化硅砂與碳置入艾其遜電弧爐中，以1600至2500°C高溫加...... [查看詳細(xì)]

資訊

專欄

碳化硅芯片的設(shè)計(jì)和制造

瀏覽：535 | 旺材芯片 |2024-06-02
喜報(bào)！讓碳化硅瘋狂生長(zhǎng)-科友半導(dǎo)體晶體厚度突破80mm！

瀏覽：360 | 旺材芯片 |2024-05-31
碳化硅晶片的化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)

瀏覽：289 | 旺材芯片 |2024-01-24
碳化硅與第三代半導(dǎo)體的淵源

瀏覽：504 | 旺材芯片 |2023-12-19
中國(guó)碳化硅（國(guó)內(nèi)三杰）產(chǎn)能跟蹤

瀏覽：445 | 旺材芯片 |2023-12-14
碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）應(yīng)用差異

瀏覽：1180 | 旺材芯片 |2023-12-08
碳化硅賽道“涌動(dòng)” ，國(guó)內(nèi)外巨頭抓緊布局

瀏覽：812 | 傳感器技術(shù) |2023-12-03
碳化硅需求旺盛，安森美Q3業(yè)績(jī)及Q3財(cái)測(cè)超預(yù)期

瀏覽：136 | 芯智訊 |2023-08-01

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國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率模塊及單管在充電樁電源模塊中的應(yīng)用

積分：3分碳化硅充電樁 | yangqiansic

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Qorvo UF3C065030B3 650 V、27毫歐姆碳化硅(SiC) FET產(chǎn)品

積分：0分 Qorvo 碳化硅 FET | ZongYu

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利用適合的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和碳化硅優(yōu)化您的不間斷電源(UPS)設(shè)計(jì)

積分：0分 onsemi UPS 碳化硅不間斷電源 | EEPW

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有效測(cè)量碳化硅(SiC) 功率電子系統(tǒng)中的信號(hào)

積分：0分碳化硅 SiC 測(cè)量信號(hào) 泰克 | nakey

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高效測(cè)量碳化硅(SiC)電源系統(tǒng)中的信號(hào)

積分：0分碳化硅 SiC 電源系統(tǒng) 信號(hào) | nakey

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有效測(cè)量碳化硅(SiC)功率電子系統(tǒng)中的信號(hào)

積分：0分泰克碳化硅 SiC 信號(hào) | nakey

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0150SC-1250M

積分：0分 0150SC-1250M 碳化硅 | angelazhang

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視頻

E點(diǎn)冷知識(shí)：GaN & SiC 大比拼

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E點(diǎn)冷知識(shí)，氮化鎵，碳化硅 GaN SiC |2024-05-22
慕尼黑華南電子展與愛(ài)仕特科技共話

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慕尼黑華南電子展愛(ài)仕特科技第三代半導(dǎo)體 MOS 碳化硅 |2023-11-16
【PI】1700V碳化硅Automotive應(yīng)用

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SiC 碳化硅 PI 電動(dòng)汽車 |2022-02-25

電路

動(dòng)態(tài)測(cè)試證實(shí)了 SiC 開(kāi)關(guān)頻率的準(zhǔn)確性

氮化鎵(GaN) 碳化硅(SiC) |2025-05-20
如何使用 LTspice 仿真 SiC MOSFET：良好驅(qū)動(dòng)器的重要性

SiCMOSFET 碳化硅(SiC) |2025-05-16
SiC MOSFET半橋模塊用于開(kāi)關(guān)電源，系統(tǒng)效率能達(dá)到99%

CAS300M12BM2 SiC 碳化硅 MOSF |2015-08-09
SiC功率模塊關(guān)鍵在價(jià)格，核心在技術(shù)

CAS300M12BM2 SiC 碳化硅 MOSF |2015-08-08
微電子所在SiC MOSFET器件研制方面取得重要進(jìn)展

微電子 SiC MOSFET 碳化硅 Si |2015-07-14

論壇

麥科信MOIP光隔離探頭解決碳化硅（SiC）項(xiàng)目問(wèn)題

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碳化硅肖特基勢(shì)壘二極管

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碳化硅（SiC）的物理性質(zhì)和特點(diǎn)

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Sic 碳化硅肖特基二極管開(kāi)關(guān)電源中的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)！

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