nand flash 文章進(jìn)入nand flash技術(shù)社區(qū)

海力士：2010年DRAM供不應(yīng)求

　　據(jù)華爾街日?qǐng)?bào)(WSJ)報(bào)導(dǎo)，韓國(guó)半導(dǎo)體大廠海力士(Hynix)看好2010年存儲(chǔ)器市場(chǎng)表現(xiàn)，將提升資本支出并擴(kuò)張產(chǎn)能。　　海力士執(zhí)行長(zhǎng)金鐘甲(Jong-Kap Kim)表示，2009年12月為第1次DRAM合約價(jià)在11月后并未下滑，此外，預(yù)期2010年全球個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)市場(chǎng)需求將增加10%、全球DRAM存儲(chǔ)器芯片將缺貨，半導(dǎo)體市場(chǎng)已走出過(guò)去3年的谷底，前景相當(dāng)穩(wěn)定。　　隨著景氣逐漸回升，海力士計(jì)劃2010年提升資本支出，共投資2.3兆韓元(約20億美元)提升技術(shù)水平，及擴(kuò)張目前的NAND
關(guān)鍵字： Hynix 存儲(chǔ)器 NAND

基于eCos操作系統(tǒng)的FLASH驅(qū)動(dòng)程序分析與移植

基于eCos操作系統(tǒng)的FLASH驅(qū)動(dòng)程序分析與移植,0 引言
嵌入式系統(tǒng)需要支持的外部設(shè)備種類繁多，如何構(gòu)造運(yùn)行良好的嵌入式設(shè)備的驅(qū)動(dòng)程序，對(duì)嵌入式操作系統(tǒng)的實(shí)際應(yīng)用有重要意義。eCos是一種源代碼公開的實(shí)時(shí)嵌人式操作系統(tǒng)，對(duì)嵌入式應(yīng)用具有良好的支持，內(nèi)
關(guān)鍵字：分析移植驅(qū)動(dòng)程序 FLASH eCos 操作系統(tǒng) 驅(qū)動(dòng)

PC DRAM容量提升至2.92GB　DRAM現(xiàn)貨價(jià)大漲3%　

　　沈寂已久的DRAM價(jià)格再度動(dòng)起來(lái)，存儲(chǔ)器廠對(duì)于DRAM產(chǎn)業(yè)后市看法相當(dāng)樂(lè)觀，DRAM廠供貨呈現(xiàn)小幅吃緊狀態(tài)，目前個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)搭載存儲(chǔ)器平均容量成長(zhǎng)16%至2.92GB，未來(lái)消費(fèi)性PC機(jī)種搭載DRAM容量可望升級(jí)至4GB，市場(chǎng)對(duì)于后市看法相當(dāng)樂(lè)觀，原本外界預(yù)期12月合約價(jià)格會(huì)開始下跌，反應(yīng)淡季效應(yīng)，但目前開出是持平，反映市場(chǎng)供給不多，而22日現(xiàn)貨價(jià)格又開始蠢蠢欲動(dòng)，一口氣大漲3%;此外，下游模塊廠皆看好2010年DRAM市場(chǎng)表現(xiàn)將優(yōu)于NAND Flash市場(chǎng)。　　存儲(chǔ)器模塊廠一致看好2010
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東芝等日本半導(dǎo)體廠紛紛取消年底假期持續(xù)生產(chǎn)

　　隨著薄型電視等產(chǎn)品需求呈現(xiàn)增長(zhǎng)，東芝(Toshiba)等日本半導(dǎo)體大廠也紛紛取消或縮短今年年底的新年假期持續(xù)進(jìn)行生產(chǎn)，有別于去(2008)年年底動(dòng)輒停工近20天的嚴(yán)峻局面。　　報(bào)導(dǎo)指出，東芝旗下生產(chǎn)NAND型閃存的四日市工廠去年年底12吋產(chǎn)線停工達(dá)13天，惟因今年春天以后智慧型手機(jī)訂單增加，故四日市工廠今年年底假期將持續(xù)進(jìn)行生產(chǎn)不停工。　　報(bào)導(dǎo)指出，NEC電子(NEC Electronics)旗下子公司所屬的熊本川尻工廠原先計(jì)劃于元旦期間停工2天，惟因使用于薄型電視和環(huán)保車的微控制器(MCU)
關(guān)鍵字： Toshiba NAND MCU

JTAG模式下的MPC5554外部FLASH編程的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

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隨著信息技術(shù)的發(fā)展，嵌入式系統(tǒng)越來(lái)越廣泛地應(yīng)用于手機(jī)通信、汽車、航空航天、工業(yè)控制等領(lǐng)域。在這些電子產(chǎn)品中，大多以嵌人式微處理器為核心，配套相關(guān)的外圍輔助設(shè)備，對(duì)控制對(duì)象進(jìn)行軟硬件的功能
關(guān)鍵字：編程設(shè)計(jì) 實(shí)現(xiàn) FLASH 外部模式 MPC5554 JTAG

基于DM642的FLASH分頁(yè)二級(jí)引導(dǎo)程序設(shè)計(jì)

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TMS320DM642是TI公司推出的一款高性能的數(shù)字多媒體處理器，具有二級(jí)存儲(chǔ)器和高速緩沖器，以及超長(zhǎng)指令字結(jié)構(gòu)。其運(yùn)算速度快、體積小、功耗低的優(yōu)點(diǎn)使得它在多媒體處理領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。開發(fā)基于
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東芝等日本半導(dǎo)體巨頭恢復(fù)增產(chǎn)投資

　　據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，日本國(guó)內(nèi)的半導(dǎo)體巨頭重新開啟了增產(chǎn)投資的大門。東芝公司一直生產(chǎn)手機(jī)等設(shè)備上使用的閃存，并在該領(lǐng)域排名全球第二，該公司計(jì)劃與美國(guó)公司共同出資1500億日元，以提高這方面的產(chǎn)能，增產(chǎn)程度約為4成。爾必達(dá)公司主要生產(chǎn)PC的內(nèi)存，該公司計(jì)劃在2010財(cái)年向主要生產(chǎn)廠投資600億日元，將出貨量提高3成。　　自今年夏天以來(lái)，全球半導(dǎo)體市場(chǎng)呈現(xiàn)堅(jiān)挺的走勢(shì)，PC銷售等在需求的刺激下得到恢復(fù)。全球經(jīng)濟(jì)危機(jī)后，日本IT業(yè)大公司一改過(guò)去的謹(jǐn)慎投資的態(tài)度而變?yōu)榉e極投資，以期待與韓國(guó)三星公司展開競(jìng)爭(zhēng)。　
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東芝、爾必達(dá)提高半導(dǎo)體事業(yè)資本支出

　　自2009年夏季起全球半導(dǎo)體市場(chǎng)需求回溫，日本半導(dǎo)體大廠增資動(dòng)作亦轉(zhuǎn)趨積極。日本經(jīng)濟(jì)新聞報(bào)導(dǎo)指出，東芝(Toshiba)將與美國(guó)業(yè)者共同投資1,500億日?qǐng)A(約16億美元)于NAND Flash事業(yè)，提高約4成產(chǎn)能;爾必達(dá)(Elpida)亦計(jì)劃在2010年度中，投資600億日?qǐng)A于主力據(jù)點(diǎn)，以增加3成出貨量。　　報(bào)導(dǎo)指出，東芝擬于2010年度初期在三重縣四日市NAND Flash廠導(dǎo)入尖端設(shè)備，此亦為2007年來(lái)東芝在NAND Flash事業(yè)上的大舉投資。據(jù)悉，增設(shè)新生產(chǎn)線后，整廠生產(chǎn)規(guī)模將由26萬(wàn)
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傳東芝投資22億美元擴(kuò)大NAND閃存產(chǎn)能

　　據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，消息人士周一透露，東芝可能將投資2000億日元(約合22億美元)擴(kuò)大NAND閃存芯片生產(chǎn)。到2010年4月底，東芝的閃存芯片生產(chǎn)規(guī)模將擴(kuò)大40%。　　報(bào)道稱，東芝當(dāng)前還計(jì)劃在2012年3月之前，為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)投資總計(jì)5000億日元。市場(chǎng)調(diào)研公司iSuppli上周發(fā)布研究數(shù)據(jù)顯示，今年第三季度全球NAND閃存市場(chǎng)業(yè)績(jī)強(qiáng)勁，東芝表現(xiàn)最為搶眼，營(yíng)收環(huán)比增長(zhǎng)近50%。　　iSuppli的報(bào)告稱，全球NAND閃存市場(chǎng)第三季度的營(yíng)收較第二季度的31億美元，增長(zhǎng)了25.5%，達(dá)39.4億美元。
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消息稱張汝京或?qū)⒐芾碇行境啥技拔錆h芯片廠

　　據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，近期市場(chǎng)傳出中芯國(guó)際將切割代管的成都廠及武漢廠等兩地晶圓廠，而兩座廠將可能由中芯前總裁張汝京出面統(tǒng)籌管理，張汝京等于找到了新舞臺(tái)。　　臺(tái)灣媒體引述“內(nèi)部人士”的話報(bào)道稱，成都及武漢兩地政府日前希望與中芯國(guó)際CEO王寧國(guó)見(jiàn)面，但王寧國(guó)未有正面回應(yīng)，目前中芯切割兩晶圓廠政策已是箭在弦上，成都市政府上周密會(huì)中芯前總裁張汝京，兩地政府希望未來(lái)成都廠及武漢廠由張汝京出面統(tǒng)籌管理。　　據(jù)報(bào)道，中芯在張汝京時(shí)代，曾與成都、武漢等兩地方政府達(dá)成協(xié)議，成都市政府出資成立成
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東芝第三季度NAND閃存營(yíng)收環(huán)比增長(zhǎng)近50%

　　據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，市場(chǎng)研究公司iSuppli最新研究數(shù)據(jù)顯示，第三季度全球NAND閃存市場(chǎng)業(yè)績(jī)強(qiáng)勁，東芝表現(xiàn)最為搶眼，營(yíng)收環(huán)比增長(zhǎng)近50%。　　全球NAND閃存市場(chǎng)第三季度的營(yíng)收較第二季度的31億美元，增長(zhǎng)了25.5%，達(dá)39.4億美元。東芝第三季度表現(xiàn)強(qiáng)于市場(chǎng)，其NAND閃存營(yíng)收較第二季度的9.24億美元增長(zhǎng)了47.5%，達(dá)14億美元。東芝在全球NAND閃存市場(chǎng)上位居第二，僅次于三星電子。　　iSuppli資深分析師Michael Yang說(shuō)：“東芝在第三季度充分利用了有利的NAN
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東芝發(fā)布業(yè)內(nèi)最大容量嵌入式NAND閃存模組

　　東芝公司本周一發(fā)布了據(jù)稱為業(yè)內(nèi)最大容量的64GB嵌入式NAND閃存模組。這種模組內(nèi)建專用的控制器，并內(nèi)含16個(gè)采用32nm制程技術(shù)制作的32Gbit存儲(chǔ)密度的閃存芯片，這種閃存芯片的厚度則僅有30微米。　　這款內(nèi)存模組產(chǎn)品裝備在便攜設(shè)備如iPod/智能手機(jī)等之上后，手機(jī)的存儲(chǔ)容量將實(shí)現(xiàn)倍增。比如采用單閃存模組設(shè)計(jì)的iPhone的容量可由原來(lái)的32GB提升到64GB,而采用雙閃存模組設(shè)計(jì)的iPod touch的最大容量則可達(dá)到128GB。　　東芝本月將開始對(duì)外提供這種64GB嵌入式閃存模組的
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臺(tái)美日DRAM廠連手抗韓策略發(fā)酵

　　兩大韓系內(nèi)存廠三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)紛傳出將大幅調(diào)高2010年資本支出，繼三星預(yù)計(jì)投入30億美元擴(kuò)產(chǎn)及制程微縮后，海力士2010年資本支出亦將倍增至20億美元，使得爾必達(dá)(Elpida)和美光(Micron)加緊腳步與臺(tái)系DRAM廠合作，盡管過(guò)去喊出的臺(tái)美日廠連手抗韓策略，在DRAM整合戲碼停擺后沒(méi)再被提起，但DRAM廠指出，實(shí)際上全球4大DRAM陣營(yíng)板塊運(yùn)動(dòng)，仍按照臺(tái)美日廠連手抗韓局勢(shì)發(fā)展。　　隨著三星和海力士都擴(kuò)增2010年資本支出，隱約釋出對(duì)
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延長(zhǎng)Flash存儲(chǔ)囂使用壽命的研究

延長(zhǎng)Flash存儲(chǔ)囂使用壽命的研究,引言
隨著嵌入式系統(tǒng)在數(shù)碼相機(jī)、數(shù)字?jǐn)z像機(jī)、移動(dòng)電話、MP3音樂(lè)播放器等移動(dòng)設(shè)備中越來(lái)越廣泛的應(yīng)用，F(xiàn)lash存儲(chǔ)器已經(jīng)逐步取代其他半導(dǎo)體存儲(chǔ)元件，成為嵌入式系統(tǒng)中主要數(shù)據(jù)和程序載體。Flash存儲(chǔ)器又稱閃存
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張忠謀：臺(tái)灣企業(yè)五年內(nèi)將面臨三大挑戰(zhàn)

　　臺(tái)積電董事長(zhǎng)張忠謀日前表示，臺(tái)灣企業(yè)五年內(nèi)成本將面臨三大挑戰(zhàn)，包括美元弱勢(shì)引起的新臺(tái)幣匯率挑戰(zhàn)，石油等原物料價(jià)格上漲引發(fā)的通膨，還有減碳增加的環(huán)保稅負(fù)成本。　　張忠謀只提到美元弱勢(shì)，并沒(méi)有說(shuō)新臺(tái)幣有升值壓力，張忠謀認(rèn)為，全球經(jīng)濟(jì)都在復(fù)蘇中，復(fù)蘇力道緩慢，盡管景氣慢慢復(fù)蘇，但張忠謀認(rèn)為，企業(yè)近中程的三大挑戰(zhàn)相當(dāng)嚴(yán)峻，所謂近中程大概是五年內(nèi)，所以嚴(yán)峻因?yàn)槭沁^(guò)去兩年、甚至十年沒(méi)遇見(jiàn)過(guò)。　　第一個(gè)挑戰(zhàn)是匯率。張忠謀說(shuō)，臺(tái)灣過(guò)去20年沒(méi)有遭遇很大的匯率挑戰(zhàn)，但美元愈來(lái)愈弱，這會(huì)是一個(gè)趨勢(shì)，相對(duì)地新臺(tái)幣波
關(guān)鍵字：臺(tái)積電芯片代工 DRAM NAND

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nand flash介紹

　Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量?jī)?nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand-flash存儲(chǔ)器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)，因而在業(yè)界得到了越來(lái)越廣泛的應(yīng)用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機(jī)、MP3隨身聽(tīng)記憶卡、體積小巧的U盤等。　　NAND型閃存以塊為單位進(jìn)行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進(jìn)行，如果目標(biāo)區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細(xì) ]