nand flash 文章最新資訊

2010年NAND Flash價格發(fā)展持續(xù)兩極化

　　NAND Flash市場未脫傳統(tǒng)淡季，仍在等待蘋果(Apple)補貨效應出現(xiàn)，2010年1月下旬NAND Flash合約價大致持平，高容量32Gb和64Gb芯片有小幅調漲，低容量芯片要嚴防3-bit-per-cell架構的TLC(Triple- Level Cell)成為市場的價格殺手，但高容量產品新增產能又相當有限，因此2010年NAND Flash價格發(fā)展持續(xù)兩極化。　　近期NAND Flash現(xiàn)貨價和合約價都有止跌的跡象，1月下旬NAND Flash合約價持平開出，在高容量32Gb和64Gb
關鍵字： Hynix NAND

海力士第4季獲利6,570億韓元　創(chuàng)3年新高

　　全球第2大計算機存儲器制造商海力士(Hynix)公布2009年第4季財報，隨著全球個人計算機(PC)景氣回溫，海力士獲利創(chuàng)下3年來新高。　　2009年第4季海力士營收為2.8兆韓元(約24.7億美元)，較第3季大幅成長32%，海力士營收成長主因為DRAM及NAND Flash存儲器出貨量成長，同時，DRAM平均售價也上揚，此外，第4季海力士凈利為6,570億韓元，更較第3季大幅成長167%。　　和2009年第3季相較，2009年第4季海力士DRAM平均售價及出貨量分別成長26%及12%，至于N
關鍵字： Hynix DRAM NAND

內存業(yè)醞釀地震：傳金士頓1億美元購買海力士

　　業(yè)內人士日前透露,美國金士頓科技公司(Kingston Technology )預付了1億美元給韓國海力士半導體公司以購買其2010年需要的內存和NAND閃存. 　　此外,該業(yè)內人士還表示,總部在臺灣的威剛科技(a-data technology)正在尋求途徑,增加其2010年的芯片供應商數量并且保證能通過預付款的方式獲得足夠多的芯片供應,而威剛所需要的內存此前主要來自韓國供應商. 　　內存模塊制造商正在擺脫對三星電子的依賴,因為三星電子優(yōu)先向PC和系統(tǒng)OEM廠商供貨. 　　另外有消息稱,海力士
關鍵字：金士頓內存 NAND

為什么存儲器是產業(yè)的風向標

　　存儲器通常包括DRAM，NAND，NOR及SRAM。在半導體業(yè)中經常分成兩類，DRAM及閃存類。由于其兩大特征，能大量生產以及應用市場面寬，使其半導體業(yè)中有獨特的地位。業(yè)界有人稱它為半導體業(yè)的風向標。　　縱觀DRAM發(fā)展的歷史，幾乎每8至10年一次大循環(huán)，最終一定有大型的存儲器廠退出，表示循環(huán)的結束。如1980年代的TI及IBM等退出;1990年代的東芝，日立及NEC退出，如今2000年代的奇夢達最先退出。奇夢達的退出使市場少了10萬片的月產能。　　在全球硅片尺寸轉移中，存儲器也是走在前列，如
關鍵字：存儲器 DRAM NAND NOR SRAM

金士頓砸1億美元　綁樁海力士產能

　　2010年存儲器產業(yè)熱度急速升溫，許多熬過景氣低潮期但口袋空空的存儲器大廠，紛積極募資搶錢，而最直接方式便是向下游存儲器模塊廠借錢，未來再以貨源抵債，近期海力士(Hynix)便獲得金士頓(Kingston)達1億美元金援，未來將以DRAM和NAND Flash貨源償還，形成魚幫水、水幫魚的上下游緊密合作關系。海力士可望以此筆金援將NAND Flash制程大量轉進32奈米，全力從美光(Micron)手上搶回全球NAND Flash三哥寶座，并防止三星電子(Samsung Electronics)和東芝(
關鍵字：存儲器 DRAM NAND

三星推出64GB moviNAND閃存芯片

　　三星近日公布了兩款采用新制程技術的閃存產品。其中moviNAND閃存芯片產品使用了三星最新的3xnm制程NAND芯片，單片封裝的最大容量可達64GB，封裝內部堆疊了16塊超薄設計的4GB芯片，并集成了閃存控制器，而整個芯片封裝的厚度僅不足0.06英寸。　　64GB moviNAND 　　另外，三星還計劃升級自己的microSDHC閃存卡產品。將三星microSDHC閃存卡的最高容量提升為32GB(內部由8片4GB芯片堆疊而成)，比目前的最高容量提升了一倍。于此同時，閃存卡的最
關鍵字：三星 NAND

重塑產業(yè)前景迎接2010年IC業(yè)的大發(fā)展

　　編者點評(莫大康 SEMI China顧問)：國際上有許多市場分析公司與機構，如 Gartner，iSuppli，IC Insight，Semico，VLSI及SEMI，SIA，WSTS等。為什么它們的預測值不同，有時差異還不小。據編者的看法任何預測都有三類，即樂觀、中等和悲觀。另外，由于每個市場分析公司其數據來源及分析的范圍各不同，所以數據不一樣是正常的。那該如何來觀察與判斷呢?通常要找品牌，即有些公司的數據相對可靠(經驗值)，如半導體數據是WSTS，SIA，Gartner，iSuppli，而設備材
關鍵字： IC NAND DRAM

飚速度355MB/s 鎂光將發(fā)布6Gbps SSD

　　鎂光剛剛宣布了其34納米NAND SSD產品線，一個原生6Gbps的SATA設備引起了廣泛注意，鎂光透露它將被置于其子公司Lexar Media的Crucial品牌下發(fā)布。　　這款SSD具體型號RealSSD C300，2.5寸外形設計，包含128和256GB兩種型號，讀取速度高達355MB/s,寫入速度達215MB/s，向下兼容3Gbps SATA。預計將面向北美、英國和歐洲大陸發(fā)布，128GB版售價大約450美元。　　
關鍵字：鎂光 34納米 NAND SSD

東芝32nm制程NAND閃存SSD硬盤將于二季度上市

　　日本東芝公司在NAND閃存制造領域的地位可謂舉足輕重，其有關產品的產銷量僅次于三星公司，目前東芝公司推出的SSD硬盤產品中采用了自己設計的 NAND閃存控制器，這種產品在OEM廠商中口碑甚好。去年第三季度，東芝已經開始量產32nm NAND閃存芯片，不過目前東芝所售出的SSD硬盤產品仍以43nm NAND型產品為主力，這樣OEM廠商乃至終端客戶便無法享受到32nm制程技術帶來低成本實惠。　　不過東芝近日宣布，他們將開始測試部分采用32nm NAND閃存芯片試制的SSD硬盤產品，并將于本季度推出
關鍵字：東芝 32nm NAND 閃存制造

一季度半導體供應商將繼續(xù)維持低庫存

　　據iSuppli公司，經過2009年對膨脹的庫存大幅削減，全球半導體供應商預計將在2010年第一季度維持低量庫存，以期在不明朗的經濟環(huán)境中能獲益。　　半導體供應商的庫存天數(DOI)預計將在第一季度下降到68.3，比2009年第四季度的68.5低。由于第四季度的DOI已經比歷史平均水平低了2.9%，第一季度的庫存預計比這一標準還低6.9%。而第一季度的庫存會維持在可滿足要求的平衡水平上，庫存將達到非常低的水平--甚至有幾種具體設備會接近短缺的邊緣。　　圖示為iSuppli
關鍵字：半導體 NAND

TrueFFS上VxWorks應用程序的啟動及動態(tài)更新

關鍵字： VxWorks TrueFFS Flash MCF5234 驅動調用

車載MP3中Flash文件系統(tǒng)的設計與應用

引言目前車載播放器基本上采用的是CD播放器、MD播放器以及磁帶播放器等。由于這類播放器內部具有一些機械式傳動部件,再加上裝在汽車這個特定的環(huán)境中,經常會由于機械傳動或者光頭、磁頭受震動發(fā)生跳音或絞帶現(xiàn)
關鍵字： Flash MP3 車載文件系統(tǒng)

iSuppli：全球芯片庫存保持緊縮 NAND閃存或短缺

　　據市場研究公司iSuppli的調查，全球半導體供應商預計將在第一季度保持輕庫存，以便在不確定的經濟形勢下保持盈利。　　第一季度末庫存天數預計將減少至68.3天，上季度為68.5天。去年第四季度，庫存天數已經少于歷史平均水平2.9%，第一季度預計將較普通水平少6.9%。　　iSuppli預測，由于庫存量仍將保持在較低水平，某些特殊器件將面臨短缺。　　2010年，預計庫存天數將穩(wěn)定在近70天左右。緊縮的庫存管理將幫助半導體產業(yè)獲得兩位數增長，增長幅度預計為15.4%，而2009年減少12.4%
關鍵字：芯片 NAND

威剛陳立白：今年DRAM市場多處于缺貨狀態(tài)

　　存儲器模塊大廠威剛2009年獲利交出賺進1個股本的豐碩成績單，董事長陳立白表示，2010年的DRAM產業(yè)多數時間將處于缺貨的狀態(tài)，只要價格維持平穩(wěn)，預計對于模塊產業(yè)絕對是好事，往年會是傳統(tǒng)淡季的第2季，2010年將會見到淡季不淡，也不見五窮六絕;而NAND Flash產業(yè)價格則預計會起起伏伏，整體而言，DRAM表現(xiàn)會優(yōu)于NAND Flash產業(yè)。　　威剛2009年進行高層人士調整，延攬前三星電子(Samsung Electronics)存儲器部門資深營銷副總金一雄擔任威剛總經理一職，與原有的總經理
關鍵字：威剛存儲器 NAND

韓結束3年反壟斷調查未發(fā)現(xiàn)芯片廠操縱價格

　　韓國公平交易委員會(FTC)周三宣布，并未發(fā)現(xiàn)NAND快閃記憶芯片制造商在韓國或其它地區(qū)有操縱市場價格的行為，也宣告終止近3年來對該產業(yè)的反壟斷調查。　　反壟斷監(jiān)管單位聲明，針對計算機記憶芯片產業(yè) (包括DRAM芯片、NAND芯片等) 相關的價格操縱調查已經全部結束。　　2007年1月，F(xiàn)TC宣布將針對NAND快閃記憶芯片制造商進行反壟斷調查，偵查是否有操縱價格的事實，之后已針對全球4家企業(yè)進行調查，其中2家位于韓國，另外2家分別在美國和日本，但FTC并未公布詳細的企業(yè)名單。　　韓國快閃記
關鍵字：海力士 NAND DRAM

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nand flash介紹

　Nand-flash內存是flash內存的-種，其內部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量內存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數據的存儲，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應用，如嵌入式產品中包括數碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。　　NAND型閃存以塊為單位進行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進行，如果目標區(qū)域已經有數 [ 查看詳細 ]