nand flash 文章進入nand flash技術社區(qū)

2011年NAND閃存密度將增長40%以上

　　據IHS iSuppli公司的NAND閃存研究報告，盡管NAND閃存成本較高妨礙其進入游戲硬件，但2011年家庭游戲機與手持游戲機中的NAND密度將增長40%以上。　　
關鍵字：索尼 NAND

三星電子韓國新NAND廠預計9月投產

　　三星電子一家新的存儲半導體制造廠將于9月投入運營。消息人士說，新廠編號為“Line-16”，主要生產NAND芯片。　　2010年5月時，三星在韓國京畿道(Gyeonggi Province)華城(Hwaseong)破土動工，建立新的工廠。此前三星曾透露說，Line-16工廠月產20萬片12寸圓晶。
關鍵字：三星 NAND

東芝和SanDisk日本建第3個NAND半導體工廠

　　日前東芝和SanDisk在日本建立了第三家半導體工廠，以應對智能手機和平板電腦的快速發(fā)展而帶來的對閃存芯片的大量需求。該工廠主要生產300毫米晶片NAND半導體，工廠名稱為“Fab 5”。
關鍵字：東芝 NAND

東芝與Sandisk共慶NAND閃存工廠Fab5正式投產

　　東芝株式會社與Sandisk公司日前共同慶祝位于日本三重縣四日市東芝生產基地的第三家300mm晶圓NAND生產工廠Fab 5正式投產。
關鍵字：東芝 NAND

三星、東芝NAND Flash市占差距縮減至0.3%

　　據韓國媒體報導，2011年第1季NAND Flash市場上，日廠東芝(Toshiba)猛力追擊，以市占率0.3%差距，威脅三星電子(Samsung Electronics) 8年來業(yè)界第1的地位。然而在快速成長的行動DRAM市場上，三星仍坐擁壓倒性的市占率。
關鍵字：三星 Flash

基于FPGA的NAND Flash ECC校驗

摘要基于Flash存儲器的Hamming編碼原理，在Altera QuartusⅡ7．0開發(fā)環(huán)境下，實現(xiàn)ECC校驗功能。測試結果表明，該程序可實現(xiàn)每256 Byte數(shù)據生成3 Byte的ECC校驗數(shù)據，能夠檢測出1 bit錯誤和2 bit錯誤，對于1 bit錯誤
關鍵字： Flash FPGA NAND ECC

支持Flash的單板計算機嵌入式系統(tǒng)

支持Flash的單板計算機嵌入式系統(tǒng),1 引言　　在實際開發(fā)中，為了提高開發(fā)效率，大多是采用以一個與目標板硬件相似的BSP為模板，并在此基礎上修改移植。在這個過程中.除了CPU以外，另一個重要的器件就是裝有啟動程序的Flash器件?！　? 系統(tǒng)介紹　　采
關鍵字：嵌入式系統(tǒng) 計算機單板 Flash 支持

蘋果三星風波引發(fā)四大半導體廠商主演四角戀大戲

　　最近舉辦的Semicon West2011半導體業(yè)界大會上，三星與蘋果之間的知識產權爭端事件顯然會是一個有趣的話題。目前，三星正準備于8月份開始量產蘋果手機/平板電腦用 A5 SoC芯片。而且他們最近花費36億美元對奧斯汀芯片廠進行了升級，使其產能能夠在NAND或邏輯芯片產品之間自由切換，不過三星顯然希望能夠在保住蘋果芯片訂單的前提下繼續(xù)拓展自己的代工業(yè)務。
關鍵字：三星 NAND

東芝縮小與三星在NAND閃存差距

　　據IHS iSuppli公司的研究，東芝在2011年第一季度NAND閃存市場大有要超過三星之兆，這兩家廠商的市場份額差距從2010年第四季度的1.1個百分點縮小到只有0.3個百分點。長期以來，三星一直是最大的NAND閃存廠商?！　?/li>
關鍵字：東芝 NAND

第一季度NAND閃存領域競爭加劇

　　據IHS iSuppli公司的研究，2011年第一季度NAND閃存領域爭奪頭號排名的競爭加劇，排名第二的東芝接近與三星電子平起平坐。長期以來，三星一直是最大的NAND閃存廠商?！?/li>
關鍵字： NAND 閃存

一種基于AT25T1024 FLASH的高速SPI接口設計

摘要：從一種軍用板卡的實際需求出發(fā)，對SPI接口在設計中有諸如FPGA資源和管腳等限制的情況下，快速加栽配置數(shù)據的方法進行了分析。并基于ATMEL公司的AT25F1024 FLASH器件，描述了高速SPI接口的設計原理和方法，具有
關鍵字： T1024 FLASH 1024 25T

Flash損耗均衡的嵌入式文件系統(tǒng)設計

Flash損耗均衡的嵌入式文件系統(tǒng)設計,引言
嵌入式系統(tǒng)的海量存儲器多采用Flash存儲器實現(xiàn)擴展，由于Flash存儲器具有有限寫入次數(shù)的壽命限制，因此對于Flash存儲器局部的頻繁操作會縮短Flash存儲器的使用壽命。如何設計出一個合理的、針對嵌入式應用
關鍵字：系統(tǒng) 設計文件嵌入式損耗均衡 Flash

Q2平板出貨恐拖累NAND Flash價格走勢

　　根據集邦科技(Trendforce)旗下研究部門DRAMeXchange表示，截自六月十六日6:00pm為止，由于大部分買方與賣方就六月上旬NAND Flash合約價格的談判尚未告一段落，因此六月份NAND Flash合約價將等到各家廠商價格談定后DRAMeXchange才會公布。
關鍵字：平板電腦 NAND

Mobile RAM防線恐失守

　　行動裝置風潮崛起使得PC DRAM需求式微，自2011年起包括Mobile RAM、服務器DRAM等，儼然已成為DRAM廠最佳避風港，然在各家存儲器大廠一窩蜂搶進下，Mobile RAM已率先發(fā)難，出現(xiàn)供過于求警訊，日廠爾必達(Elpida)傳出原本爆滿的Mobile RAM產能將轉回作PC DRAM，加上近日PC DRAM價格再度崩跌至瀕臨1.5美元保衛(wèi)戰(zhàn)，DRAM廠12寸廠產能陷入苦尋不到避風港困境。　　存儲器業(yè)者表示，PC市場成長趨緩是 DRAM產業(yè)致命傷，而平板計算機崛起讓每臺系統(tǒng)DRAM
關鍵字： DRAM NAND

Hynix成功開發(fā)出20nm制程64Gbit密度MLC NAND閃存芯片

　　Hynix半導體公司在近日舉辦的2011VLSI研討上宣布成功研發(fā)出了20nm制程64Gbit 多位元型(MLC)NAND閃存芯片，Hynix稱這款產品是業(yè)內首款基于20nm制程的大容量MLC NAND閃存芯片。　　
關鍵字： Hynix NAND

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nand flash介紹

　Nand-flash內存是flash內存的-種，其內部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量內存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數(shù)據的存儲，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應用，如嵌入式產品中包括數(shù)碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。　　NAND型閃存以塊為單位進行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進行，如果目標區(qū)域已經有數(shù) [ 查看詳細 ]