nand flash 文章進入nand flash技術(shù)社區(qū)

μC/OS-II在DSP Flash存儲器中運行的關(guān)鍵問題

μC/OS-II在DSP Flash存儲器中運行的關(guān)鍵問題,引言　　在作為國家863計劃子項目挖掘機智能化控制系統(tǒng)的開發(fā)中，出現(xiàn)了智能化挖掘機軌跡控制系統(tǒng)不按照預(yù)先設(shè)定好的軌跡運行和嵌入式實時多任務(wù)操作系統(tǒng)mu;C／OS-Ⅱ調(diào)度紊亂等失控問題。該智能化系統(tǒng)中采用了mu;C
關(guān)鍵字：關(guān)鍵問題運行存儲器 DSP Flash C/OS-II

Atmega128單片機的RC5和RC6算法比較與改進

摘要：RC5及RC6是兩種新型的分組密碼。AVR高速嵌入式單片機功能強大，在無線數(shù)據(jù)傳輸應(yīng)用方面很有優(yōu)勢。本文基 ...
關(guān)鍵字： RC5 RC6 分組密碼混合密鑰 Flash

PLC在風電控制系統(tǒng)中的應(yīng)用

一、概述近年來隨著國家對可再生能源扶持政策的進一步出臺，可再生能源特別是風力發(fā)電呈現(xiàn)蓬勃發(fā)展的趨勢，國...
關(guān)鍵字： FLASH PLC 風電控制

力晶將繼續(xù)擴大NAND Flash產(chǎn)能

　　力晶在2012年起將會大幅降低標準型DRAM投片量，以最低的產(chǎn)能維持DRAM的技術(shù)發(fā)展，并于明年起全數(shù)轉(zhuǎn)入30nm 4Gb生產(chǎn)，而空出的產(chǎn)能將會以NAND FLASH填補，后續(xù)技術(shù)發(fā)展的重點也轉(zhuǎn)移到NAND 2Xnm的制程微縮。放遠未來，力晶仍會保留DRAM技術(shù)，待3D-IC以及TSV的技術(shù)成熟時，將會以記憶體為中心做芯片組的整合，力圖成為大中華地區(qū)各技術(shù)領(lǐng)域最完整之晶圓廠。　　隨著力晶正式宣布將產(chǎn)能逐步擴大至Flash產(chǎn)品上，加上原先代工如LCD Driver及非標準型DRAM產(chǎn)品，希望明年標準
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回補庫存下滑 NAND Flash合約價格持續(xù)走低

　　根據(jù)集邦科技(TrendForce)旗下研究機構(gòu)DRAMeXchange調(diào)查，因為隨身碟與記憶卡市場銷售依舊此未見起色，而高容量產(chǎn)品也因為智能型手機與平板計算機銷售不如預(yù)期而下滑，終端產(chǎn)品銷售不佳導(dǎo)致供貨商回補庫存力道疲弱，連帶影響合約價格面臨下滑的壓力，10月下旬NAND Flash合約價將再下跌約4-8%。　　展望NAND Flash后市，集邦科技認為，雖然泰國水患造成的HDD缺貨效應(yīng)使得SSD產(chǎn)品詢問度頓時增加，但SSD仍存在著與HHD價差大及SSD機種認證程序尚需2-3個月等問題，因此，預(yù)
關(guān)鍵字： NAND SSD

Flash編程器的FPGA實現(xiàn)

Flash編程器的FPGA實現(xiàn),1 引言閃速存儲器（FLASH Memory）以其集成度高、成本低、使用方便等許多優(yōu)點，廣泛應(yīng)用于通訊設(shè)備、辦公設(shè)備、家用電器、醫(yī)療設(shè)備等領(lǐng)域。利用其保存信息的非易失性和在線更新數(shù)據(jù)參數(shù)的特性，可將其作為具有
關(guān)鍵字：實現(xiàn) FPGA 編程器 Flash

以Flash為基礎(chǔ)的FPGA實現(xiàn)高度安全設(shè)計

保密的重要性對電子系統(tǒng)而言，F(xiàn)PGA的保密性極其重要。圖1列出了兩個系統(tǒng)設(shè)計的示意圖，左邊為1995年所作...
關(guān)鍵字： FLASH FPGA

9月上旬NAND Flash合約價出現(xiàn)穩(wěn)定格局

　　根據(jù)集邦科技(TrendForce)旗下研究部門DRAMeXchange的調(diào)查，隨著部份系統(tǒng)產(chǎn)品客戶自9月起，已開始準備4Q11新機型上市所需的庫存回補所需。9月上旬主流的MLC NAND Flash合約價大致維持平盤，雖然記憶卡及UFD通路市場的需求仍然相對平淡，但也已呈現(xiàn)止跌回穩(wěn)的狀況。
關(guān)鍵字：集邦科 NAND 記憶卡

JTAG接口在線燒寫Flash的實現(xiàn)

JTAG接口在線燒寫Flash的實現(xiàn),為了解決TMS320VC55X 系列DSP 系統(tǒng)程序代碼的保存問題，設(shè)計了一種利用JTAG 接口，在線燒寫Flash 并實現(xiàn)自舉啟動的方法。這種在線編程的方法利用并行外部存儲器加載(EMIF)接口將TMS320VC5509 和Flash 芯片相連接，通
關(guān)鍵字：實現(xiàn) Flash 在線接口 JTAG

基于K9F6408U0A和SPDS202A的數(shù)碼錄音系統(tǒng)設(shè)計原理

K9F6408U0A是三星公司生產(chǎn)的與非型64兆位快閃存儲器，它具有工作電壓低、擦寫速度快、體積小等優(yōu)點。SPDS202...
關(guān)鍵字：數(shù)碼錄音 FLASH 寄存器

單片機系統(tǒng)Flash存儲器在系統(tǒng)編程設(shè)計

隨著排放法規(guī)的加嚴,發(fā)動機電子控制單元(ECU)成為了現(xiàn)代汽車中一個必備部分。在發(fā)動機控制單元這種單片機系統(tǒng)中,Flash存儲器已成為其一個基本配置,主要用來存放控制程序代碼。將程序代碼裝入Flash存儲器的方法有3種:
關(guān)鍵字：系統(tǒng) 設(shè)計編程 Flash 單片機存儲器

基于Flash型FPGA的信號源卡設(shè)計

摘要：介紹了一種基于Flash型FPGA的多路模擬重信號源設(shè)計方法，該系統(tǒng)以ACTEL公司的A3P125VQ100芯片為核心，實現(xiàn)了系統(tǒng)的軟硬件結(jié)合。它包括數(shù)模轉(zhuǎn)換單元、電源模塊、多路模擬開關(guān)模塊以及運算放大單元等，實現(xiàn)了電源
關(guān)鍵字： Flash FPGA 信號源

ultrabook帶來新契機 NAND Flash需求9月或回溫

　　根據(jù)集邦科技(TrendForce)旗下研究部門 DRAMeXchange 的調(diào)查，市場預(yù)期 NAND Flash 部份系統(tǒng)產(chǎn)品客戶為因應(yīng)新產(chǎn)品上市庫存回補需求，9月份可望逐漸開始回溫。因此，8月下旬 NAND Flash 合約價格出大多呈現(xiàn)持平，但記憶卡及U盤(UFD)通路市場的需求仍然相對疲軟，所以128Gb TLC合約均價格仍然下跌5%。此外，部份供貨商已將部份32Gb MLC的產(chǎn)量轉(zhuǎn)為生產(chǎn)64Gb MLC，故32Gb MLC在市場供給減少下合約均價小漲約3%。
關(guān)鍵字： ultrabook NAND

第二季度NAND閃存銷售額下降4.3%

　　據(jù)IHS iSuppli公司的閃存市場報告，由于一家大型廠商的銷售額下降，第二季度NAND閃存市場意外下滑。　　根據(jù)最終數(shù)據(jù)，第二季度全球NAND銷售額為47億美元，比第一季度的49億美元下降4.3%。該市場降幅大于預(yù)期，主要是因為東芝第二季度銷售額銳減了21.4%至14億美元。東芝是全球第二大NAND生產(chǎn)商，僅次于韓國三星電子。
關(guān)鍵字： IHS iSuppli NAND

第二季度NAND閃存銷售額下降4.3%

　　據(jù)IHS iSuppli公司的閃存市場報告，由于一家大型廠商的銷售額下降，第二季度NAND閃存市場意外下滑。　　根據(jù)最終數(shù)據(jù)，第二季度全球NAND銷售額為47億美元，比第一季度的49億美元下降4.3%。該市場降幅大于預(yù)期，主要是因為東芝第二季度銷售額銳減了21.4%至14億美元。東芝是全球第二大NAND生產(chǎn)商，僅次于韓國三星電子。東芝銷售額大幅下降，拖累了整體市場，如表1所示。　
關(guān)鍵字：三星 NAND

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nand flash介紹

　Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量內(nèi)存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應(yīng)用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。　　NAND型閃存以塊為單位進行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進行，如果目標區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細 ]