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全球NAND Flash擴產競賽3缺1

  •   存儲器大廠海力士(Hynix)2010年第4季獲利受到DRAM報價下跌影響而驟降,除了積極布局非標準型DRAM相關的應用領域之外,市場認為目前全球4大NAND Flash陣營中,唯一沒有宣布要擴產的只剩下海力士,2011年平板計算機和智能型手機等應用都是NAND Flash當道,海力士還有1座空著的12寸晶圓廠M12,未來若此座廠房加入NAND Flash生產行列,全球NAND Flash產業(yè)4大天王將全部到齊!  
  • 關鍵字: 海力士  NAND  

iPad將成今年NAND閃存成長動力

  •   據市場研究公司iSuppli星期五發(fā)表的研究報告稱,隨著消費者越來越多地使用平板電腦,蘋果的iPad今年將推動NAND閃存芯片的應用增長將近五倍。   iSuppli稱,用于制作移動設備中使用的固態(tài)硬盤的NAND閃存芯片今年的消費量預計將達到23億GB,比2010年消費的4768億GB增長382.4%。iSuppli預計到2014年,NAND閃存芯片的出貨量將達到123億GB。  
  • 關鍵字: iPad  NAND  

三星2010年NAND Flash市占直逼40% 產業(yè)成長率達58%

  •   2010年的NAND Flash產業(yè)由平板計算機(Tablet PC)及智能型手機(Smartphone)稱霸應用端,傳統(tǒng)的快閃記憶卡和優(yōu)盤一直等到2010年第4季都沒有表現的舞臺,整體2010年NAND Flash市場營收成長達58.7%,為191.7億美元,其中三星電子(Samsung Electronics)持續(xù)稱王,美光(Micron)在第4季市占率持續(xù)超越海力士(Hynix),但差距相當少,雙方持續(xù)纏斗意味濃厚。   2010年快閃記憶卡和優(yōu)盤等NAND Flash應用風光不再,取而代之的
  • 關鍵字: 三星電子  NAND   

2011年NAND閃存銷售額將進一步增長

  •   據iSuppli公司,作為多種消費電子產品的事實性存儲媒介,NAND閃存2011年將再度實現兩位數的增長。   2010年NAND閃存銷售額創(chuàng)下最高紀錄,增長38%。預計今年銷售額將達到220億美元,比2010年的187億美元增長18%。而NAND閃存比特出貨量增長幅度更大,預計2011年增長72%,達到193億GB。   盡管增長勢頭強勁,但2011年底市場形勢可能發(fā)生變化??紤]到目前市場中樂觀氣氛彌漫,而且供應商可能過度投資擴大生產,風險可能在2011年底浮現,屆時供應可能超過需求。預計201
  • 關鍵字: NAND  閃存  

2011年NAND閃存銷售額將實現兩位數增長

  •   據iSuppli公司,作為多種消費電子產品的事實性存儲媒介,NAND閃存2011年將再度實現兩位數的增長。   2010年NAND閃存銷售額創(chuàng)下最高紀錄,增長38%。預計今年銷售額將達到220億美元,比2010年的187億美元增長18%。而NAND閃存比特出貨量增長幅度更大,預計2011年增長72%,達到193億GB。  
  • 關鍵字: 三星電子  NAND  

英特爾與美光科技關系緊張

  •   隨著英特爾和美光科技之間的合資企業(yè)IM Flash技術公司關閉的可能性日益增大,英特爾與美光科技之間的關系似乎有些緊張。   這兩家公司面臨的困難是美光科技提出的有關英特爾對IM Flash新加坡公司做出的貢獻的爭議。美光科技首席執(zhí)行官史蒂夫-阿普爾頓(Steven Appleton)指責英特爾沒有為升級新加坡的這個工廠提供必要的資金。  
  • 關鍵字: 美光  Flash  

傳英特爾、美光科技的合資企業(yè)將解體

  •   12月31日消息,據國外媒體報道,隨著英特爾和美光科技之間的合資企業(yè)IM Flash技術公司關閉的可能性日益增大,英特爾與美光科技之間的關系似乎有些緊張。   這兩家公司面臨的困難是美光科技提出的有關英特爾對IM Flash新加坡公司做出的貢獻的爭議。美光科技首席執(zhí)行官史蒂夫·阿普爾頓(Steven Appleton)指責英特爾沒有為升級新加坡的這個工廠提供必要的資金。  
  • 關鍵字: 美光科技  Flash  

英特爾亞太NAND Flash操盤手離職引發(fā)業(yè)者嘩然

  •   英特爾(Intel)跨足NAND Flash產業(yè)邁入第5年,但近期在策略上有諸多調整,引發(fā)存儲器業(yè)界高度關注,包括日前合作伙伴美光(Micron)宣布新加坡廠將于2011年投產,卻不見英特爾投資身影,近期英特爾在亞太區(qū)NAND Flash操盤手、亦是嵌入式產品事業(yè)群暨微型移動裝置事業(yè)群執(zhí)行總監(jiān)陳武宏閃電離職,更引發(fā)存儲器業(yè)者一陣嘩然,目前該職務由英特爾亞太區(qū)技術營銷服務事業(yè)群執(zhí)行總監(jiān)黃逸松暫代,而相關模塊廠對此表示,雙方合作關系不會受影響。   
  • 關鍵字: 英特爾  NAND  

平板計算機起飛帶動NAND Flash需求

  •   集邦科技(Trendforce)旗下研究部門DRAMeXchange表示,在Android可望逐漸成熟,市場接受度提高,預期2011年平板計算機出貨量由今年的1500萬臺大增至5000萬臺的規(guī)模,可說是平板計算機起飛年,將帶動內建式NAND Flash應用,預估2011年平板計算機占整體NAND Flash的消耗量比重將從今年的5%提升至10%以上。   
  • 關鍵字: 平板計算機  NAND  

NAND芯片漲價15% 或引iPad漲價

  •   亞洲最大半導體交易市場Dramexchange分析師西恩·楊15號(周三)表示,東芝旗下一家芯片工廠突發(fā)短時電力故障,以致NAND芯片出現停產。該分析師還表示,到2011年1月中旬之前,包括iPad在內等多款產品均在使用的這款NAND閃存芯片價格或將上漲15%。   
  • 關鍵字: NAND  iPad  

Gartner下調2011年度半導體設備市場預測

  •   根據Gartner發(fā)布的報告,該公司下調對于明(2011)年度半導體設備市場的預測;原先該公司預期將成長4.9%,現在預期將縮減1%。另外,Gartner原先預估今年成長113%,現在估計可達131%至384億美元。該公司分析家KlausRinnen指出,今年產業(yè)創(chuàng)造了有史以來最強勁的成長,不過2011年度的市場將比較疲軟,屆時設備采購主要的重點將在于產能的擴充而不是在技術設備上。他表示由于媒體平板電腦的拉抬,NAND將是記憶體領域中資本投資最多者。
  • 關鍵字: 半導體設備  NAND  

2011年半導體市場回歸正常軌道

  •   2010年全球半導體市場成長幅度超過30%,這是在歷經過去幾年全球不景氣之后,經濟復蘇所展現出的成果。而據Semico預測,2011年全球半導體銷售額年成長幅度大約小于10%。乍看之下,這比2010年成長率要低得多,它代表壞消息嗎?事實上,這個溫和的成長數據代表著半導體市場正在回歸正常軌道。   
  • 關鍵字: 東芝  半導體  NAND  

美光新加坡廠明年投產

  •   美系存儲器大廠美光(Micron)2010年全球NAND Flash市占率大躍進,已擠下海力士(Hynix)坐穩(wěn)全球三哥寶座,在擴產速度上,美光在2011年也不會缺席,與英特爾(Intel)合資的新加坡廠也將在2011年第2季開始投產,對于三星電子(Samsung Electronics)和東芝(Toshiba)2011年也有擴產計畫,美光表示不擔心供過于求,在產能增加的同時,平板計算機等應用也大幅崛起,預計2011年NAND Flash市場供需可維持健康的狀態(tài)。   
  • 關鍵字: 美光  NAND  

英飛凌推出適用于新一代安全IC的90納米SOLID FLASH? 技術

  •   英飛凌科技股份公司近日在法國巴黎“智能卡暨身份識別技術工業(yè)展(CARTES & IDentification)”上宣布推出適用于新一代安全IC的90納米SOLID FLASH? 技術。依靠SOLID FLASH技術,英飛凌成為全球首家可將靈活可靠的閃存與出類拔萃的非接觸式性能有機結合的安全產品供應商。
  • 關鍵字: 英飛凌  FLASH  

臺灣加入NAND Flash戰(zhàn)局

  •   臺灣長久缺席的快閃存儲器產業(yè)終于出現曙光,由于既有NAND Flash技術在20納米制程以下面臨天險,全球大廠紛競逐下世代技術,近期國家納米元件實驗室(NDL)成功在R-RAM(Resistive Random-Access Memory)技術架構下,研發(fā)出全球最小的9納米電阻式存儲器,計劃在2011年下半正式成立“16-8納米元件聯盟”,將廣邀存儲器廠及晶圓代工廠加入,首波會先洽談臺系存儲器廠,目標5~10年內將此技術導入量產,讓臺灣正式加入NAND Flash產業(yè)戰(zhàn)局。
  • 關鍵字: NAND  9納米  
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nand flash介紹

 Nand-flash內存是flash內存的-種,其內部采用非線性宏單元模式,為固態(tài)大容量內存的實現提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大,改寫速度快,適用于大量數據的存儲,因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應用,如嵌入式產品中包括數碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。   NAND型閃存以塊為單位進行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進行,如果目標區(qū)域已經有數 [ 查看詳細 ]

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