nand flash 文章進入nand flash技術(shù)社區(qū)

手機應(yīng)用LED閃光燈的幾大優(yōu)勢

現(xiàn)在的照相手機幾乎都可以當作數(shù)字相機使用，用戶當然希望在低照度情況下也能拍攝出高質(zhì)量的照片，因而照相手機...
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把面向數(shù)字家庭的Adobe Flash引進到MIPS-Based平臺

　　Q.什么是三重播放集成? 　　A.TPI公司是一家致力于提供數(shù)字家庭視頻平臺解決方案的專業(yè)軟件服務(wù)公司。TPI公司還是官方Adobe 的“Scaling Partner”，為消費電子平臺提供Flash Player 10、AIR和舞臺美術(shù)技術(shù)提供優(yōu)化的端口。我們有25名具有專業(yè)的項目管理和質(zhì)量保障經(jīng)驗的高級工程師團隊,平均具有 24 年的工作經(jīng)驗. 　　 ? 　　Triple Play Integration 銷售副總裁Mike Nottage 　　Q.
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出貨不如預(yù)期閃存芯片價格小幅下跌

　　受到諸多全球總體經(jīng)濟復蘇的不確定變數(shù)干擾，2011部份的NAND Flash終端應(yīng)用產(chǎn)品出貨量將不如預(yù)期，及3Q11受過剩庫存去化影響而使傳統(tǒng)備貨旺季效應(yīng)遞延等因素的綜合影響下，8月上旬NANDFlash芯片市場買氣依然疲弱，但某些系統(tǒng)客戶的OEM訂單需求相對于記憶卡及UFD通路市場需求仍相對地穩(wěn)定，因此，MLCNAND Flash芯片合約均價小跌約1-2%，而TLCNAND Flash芯片合約均價則下跌約4-7%。　
關(guān)鍵字：閃存芯片 NAND

AT91SAM7Sxx系列MCU Boot-Loader的設(shè)計

AT91SAM7xx 系列是Atmel 公司推出的基于ARM7內(nèi)核的32位MCU。用戶代碼編譯在Thumb 模式下可獲得16位指令寬度 ...
關(guān)鍵字： AT91SAM7Sxx VID Flash

下一代光刻技術(shù)延遲 NAND成長或趨緩

　　在日前的一場閃存高峰會中，SanDisk公司的技術(shù)長Yoram Cedar指出，下一代光刻技術(shù)的延遲，將導致NAND閃存的成長趨緩。市場原先對閃存的展望都相當樂觀，但Cedar表示，由于超紫外光(EUV)光刻技術(shù)的延遲，閃存的成長可能需要再評估。　
關(guān)鍵字： SanDisk NAND

東芝芯片業(yè)務(wù)業(yè)績可能達不到預(yù)期

　　全球第二大閃存制造商東芝公司(Toshiba Corp)周三警告說，由于PC市場不景氣，美國和歐洲等經(jīng)濟體持續(xù)動蕩以及日元強勢等原因，該公司芯片業(yè)務(wù)的利潤可能達不到預(yù)期。
關(guān)鍵字：東芝芯片 NAND

基于TMS320DM642的Flash編程

基于TMS320DM642的Flash編程,本文首先介紹常見的Flash編程方法,然后詳細介紹本文方法的原理,以及DSP系統(tǒng)上電加載原理,最后給出整個實現(xiàn)過程并分析了Flash編程時需要注意的一些問題。　　Flash編程方法　　常見的Flash編程方式　　Flash在正常使用
關(guān)鍵字：編程 Flash TMS320DM642 基于

NAND Flash合約價續(xù)跌

　　據(jù)韓國電子新聞報導，計算機用DRAM芯片價格快速下跌，NAND Flash合約價也從6月起出現(xiàn)陡峭跌幅，2個月內(nèi)出現(xiàn)2011年來最低價2美元紀錄。下半年則因智能型手機(Smartphone)與平板計算機 (Tablet PC)新品陸續(xù)問世，可望帶動NAND Flash價格回升。
關(guān)鍵字： NAND DRAM芯片

C6201／C6701 DSP處理器與FLASH存儲器MBM

本文以基于三個C6201／C6701 DSP芯片開發(fā)成功的嵌入式并行圖像處理實時系統(tǒng)為例，介紹這一設(shè)計技術(shù)。
關(guān)鍵字： C6201 C6701 FLASH DSP

基于AT25T1024 FLASH的高速SPI接口設(shè)計

　　在一些軍用芯片的早期設(shè)計中，一般先采用比較成熟的商用協(xié)議芯片進行軍用化改造(通常做成板卡形式)，而商用 ...
關(guān)鍵字： AT25T1024 FLASH 高速SPI接口

存儲器產(chǎn)業(yè)群雄割據(jù)時代將再度來臨

　　隨著存儲器容量越來越大，NANDFlash產(chǎn)業(yè)制程在進入20納米制程后，也開始遇到瓶頸，業(yè)界在未來制作更大容量存儲器上，面臨是否繼續(xù)發(fā)展納米的抉擇。日本方面盡管在微縮的技術(shù)上些微領(lǐng)先最大競爭對手公司韓國三星電子(SamsungElectronics)，但短期內(nèi)該技術(shù)也將可能面臨瓶頸，因此如東芝(Toshiba)及爾必達(Elpida)等公司，均已決定投入3D存儲器的開發(fā)。
關(guān)鍵字：三星存儲器 NAND

納米制程遇瓶頸業(yè)者紛紛投入3D存儲器的開發(fā)

　　隨著存儲器容量越來越大，NAND Flash產(chǎn)業(yè)制程在進入20納米制程后，也開始遇到瓶頸，業(yè)界在未來制作更大容量存儲器上，面臨是否繼續(xù)發(fā)展納米的抉擇。日本方面盡管在微縮的技術(shù)上些微領(lǐng)先最大競爭對手公司韓國三星電子(Samsung Electronics)，但短期內(nèi)該技術(shù)也將可能面臨瓶頸，因此如東芝(Toshiba)及爾必達(Elpida)等公司，均已決定投入3D存儲器的開發(fā)。　
關(guān)鍵字：爾必達 NAND

C6000系列DSP Flash二次加載技術(shù)研究

C6000系列DSP Flash二次加載技術(shù)研究,引言
TI公司C6000系列DSP具有強大的處理能力，在嵌入式系統(tǒng)中有著廣泛的應(yīng)用。由于程序在DSP內(nèi)部存儲器的運行速度遠大于片外存儲器的運行速度，通常需要將程序從外部加載到DSP內(nèi)部運行。由于C6000系列DSP均沒有
關(guān)鍵字：技術(shù) 研究加載 Flash 系列 DSP C6000

今年游戲主機NAND flash內(nèi)存密度提高40%

　　內(nèi)存的成本高昂，今年 NAND 在家庭主機和手持設(shè)備上的密集度仍將提高 40% 以上，而這是游戲最主要的游戲環(huán)境。　　今年家用游戲主機的 NAND 平均密度預(yù)計達 923MB，較去年的 649MB 提高 42.2%。今年手持游戲設(shè)備的 NAND 平均密度則預(yù)計自去年的 87MB 增長 41.4%，達 123MB。　　
關(guān)鍵字： Sony NAND

LSI推出CacheVault Flash高速緩存保護技術(shù)

　　LSI公司日前宣布推出一款 MegaRAID CacheVault技術(shù)，用于為 LSI MegaRAID 6Gb/s SATA+SAS RAID 控制卡提供基于閃存的高速緩存保護功能。MegaRAID CacheVault 采用固態(tài) NAND 閃存，能夠在電源發(fā)生故障的時候自動將高速緩存中的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)移到閃存中，從而為存儲在 RAID 控制器緩存中的數(shù)據(jù)提供強大的保護。CacheVault 技術(shù)避免了采用鋰離子電池的麻煩，并可節(jié)約相關(guān)的硬件維護成本，從而實現(xiàn)更環(huán)保、總體成本更低的高速緩存保護解決方案。
關(guān)鍵字： LSI NAND

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nand flash介紹

　Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量內(nèi)存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應(yīng)用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。　　NAND型閃存以塊為單位進行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進行，如果目標區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細 ]