nand flash 文章進入nand flash技術社區(qū)

固態(tài)硬盤每GB容量價格將跌破1美元

　　1GB 1美元——這很久以來就被視為固態(tài)硬盤真正全民普及、成為大眾化主流配置的一道門檻，而根據(jù)DRAMeXchange的最新報告，今年下半年就能以低于1GB 1美元的價格買到固態(tài)硬盤。20nm、19nm等最新NAND閃存工藝將在今年下半年投入大規(guī)模量產(chǎn)，閃存芯片的成本也會進一步降低，每 GB將會不足1美元。DRAMeXchange預計，在那之后超極本、超輕薄本都會從混合硬盤過渡到純粹的固態(tài)硬盤，而后者的主流容量也將升至 128GB。　　隨著Intel Ivy Bridge處
關鍵字：固態(tài)硬盤 NAND

基于MCU內(nèi)部Flash的在線仿真器設計方案

基于MCU內(nèi)部Flash的在線仿真器設計方案,摘要：提出了一種基于MCU內(nèi)部Flash的仿真器設計方法，并完成了設計和仿真。由于市場對MCU功能的要求總是不斷變化和升級，MCU應用的領域也不斷擴展，因此往往需要對最初的設計進行修改。Flash MCU與以往OTP/MASK MCU相
關鍵字：仿真器設計方案在線 Flash MCU 內(nèi)部基于

NAND閃存存儲器的自適應閃存映射層設計

NAND閃存存儲器的自適應閃存映射層設計,閃存存儲器主要分為NAND和XOR兩種類型，其中NAND型是專為數(shù)據(jù)存儲設計。本文的閃存映射方法主要是針對NAND類型的閃存芯片。一個NAND類型的閃存芯片的存儲空間是由塊(Block)構(gòu)成，每個塊又劃分為固定大小的頁，塊是擦
關鍵字：閃存設計映射存儲器 NAND 適應

一種基于MCU內(nèi)部Flash的在線仿真器設計方法

摘要：提出了一種基于MCU內(nèi)部Flash的仿真器設計方法，并完成了設計和仿真。 ...
關鍵字：微控制器在線仿真開發(fā)系統(tǒng) Flash SRAM

Flash存儲器Am29F040結(jié)構(gòu)分析

　Am29F040是AMD公司生產(chǎn)的Flash存儲器，主要作用是固化程序和保存歷史數(shù)據(jù)，也就是開機后執(zhí)行閃存的程序，并在程序執(zhí)行的過程中實時地保存或修改其內(nèi)部的數(shù)據(jù)單元。下面首先介紹Am29F040的特點和操作。Am29F040是采
關鍵字： Flash F040 040 29F

基于磨損均衡思想的Nand Flash存儲管理在TMS320F28x中的實現(xiàn)

基于磨損均衡思想的Nand Flash存儲管理在TMS320F28x中的實現(xiàn),　Nand Flash作為一種安全、快速的存儲體，因其具有體積小、容量大、成本低、掉電數(shù) 據(jù)不丟失等一系列優(yōu)點，已逐步取代其它半導體存儲元件，成為嵌入式系統(tǒng)中數(shù)據(jù)存儲的主要載體。盡管Nand Flash的每個單元塊相互獨
關鍵字：存儲管理 TMS320F28x 實現(xiàn) Flash Nand 磨損均衡思想

并行NOR Flash在SOPC開發(fā)中的應用

并行NOR Flash在SOPC開發(fā)中的應用,摘要討論Intel STrataFlash 3V Memory系列的JS28F128J3D75并行NOR flash在基于Xilinx MicroBlaze的SOPC開發(fā)中的4種不同用途。J3D Flash可以用于存儲FPGA配置比特流、可引導的軟處理器代碼、可直接執(zhí)行的軟處理器代碼
關鍵字：開發(fā) 應用 SOPC Flash NOR 并行

基于Flash的大容量高速數(shù)據(jù)記錄儀設計

基于Flash的大容量高速數(shù)據(jù)記錄儀設計,現(xiàn)今嵌入式存儲產(chǎn)品已滲透進人們生活工作中的方方面面，從ATM 機到手持通訊設備。社會對嵌入式產(chǎn)品的性能也有越來越高的要求：大容量，高速度，斷電保護，體積限制等等。當前數(shù)據(jù)記錄儀的容量和速度普遍偏小。本文旨
關鍵字：記錄儀設計數(shù)據(jù) 高速 Flash 大容量基于

大容量FLASH在單片機臺標系統(tǒng)中的應用

1　引　言FLASH是一種兼有紫外線擦除EPROM和電可擦可編程只讀存儲器（E2PROM）兩者優(yōu)點的新型非易失存儲器。由于它可在線進行電可擦除和編程，芯片每區(qū)可獨立擦寫至少10,000次以上，因而對于需周期性地修改被儲存的代
關鍵字：系統(tǒng) 應用臺標單片機 FLASH 大容量

全球第四季度NAND閃存芯片市場規(guī)模達到48.9億美元

　　據(jù)媒體報道，根據(jù)亞洲最大芯片現(xiàn)貨市場的交易商集邦科技(DramexchangeTechnologyInc)提供的最新數(shù)據(jù)，2011年第四季度全球第四季度NAND閃存芯片市場規(guī)模達到48.9億美元，環(huán)比下滑了8.6%。三星電子依然是該市場的龍頭，市場份額達到了34.6%。　　集邦科技提供的數(shù)據(jù)顯示，NAND閃存出貨環(huán)比增長了大約5%，而平均銷售價格則環(huán)比下滑了13%。集邦科技指出，雖然存儲卡和閃存的零售增幅依然緩慢，但是智能手機和平板電腦制造商對閃存的需求依然非常強勁。　　集邦科技指出，三星電子
關鍵字：海力士 NAND

Hynix今年資本支出將上升20% 半數(shù)投入NAND

　　外電報導，全球第二大內(nèi)存制造商Hynix Semiconductor Inc. 日前公布2011年第4季(10-12月)合并財報：受內(nèi)存價格下滑、PC需求趨緩的影響，凈損達2,399億韓元(2.131億美元)，遜于去年同期的純益300億韓元，已連續(xù)第2季繳出虧損成績單;營收年減7.2%至2.55兆韓元;營損達1,675億韓元，遜于去年同期的營益2,940億韓元。根據(jù)彭博社調(diào)查，分析師平均預期Hynix Q4凈損將達1,617億韓元。根據(jù)Thomson Reuters調(diào)查，分析師原先預期Hynix Q4
關鍵字： Hynix NAND

一種支持ISP的Flash在嵌入式設計中的應用

一種支持ISP的Flash在嵌入式設計中的應用,引言在基于VxWorks的嵌入式系統(tǒng)開發(fā)過程中，板卡支持包BSP(Board Support Package)的開發(fā)是非常重要而又閑難的一個環(huán)節(jié)。因為不能確定硬件系統(tǒng)是否正常丁作，而后續(xù)應用開發(fā)都是以此為基礎。在實際開發(fā)中，為了提高開
關鍵字：設計應用嵌入式 Flash ISP 支持

NAND Flash 在MSP430嵌入式系統(tǒng)中的應用

摘要本文實現(xiàn)了大容量 NAND FLASH 在MSP430嵌入式系統(tǒng)中的應用，闡述了NAND FLASH 的使用方法，重點介紹了 ...
關鍵字： MSP430F149 Flash Memory 低功耗系統(tǒng)

蘋果去年買進了全球NAND閃存的1/4

　　根據(jù)市場研究機構(gòu)Bernstein Research 公司分析師Toni Sacconaghi 報告指出，蘋果公司在上一季買了全球NAND 快閃記憶體出貨量的23% ，憑借著這么大的采購量，蘋果拿到的成本價格可說是出乎意料之外的低。　　Sacconaghi 報告指出，蘋果產(chǎn)品在2011 年第四季消耗了容量總數(shù)高達14.5 億GB 的NAND 快閃記憶體;其中iPhone 占了其中50% ， iPad 為30% 。這么大的量，自然讓蘋果購買NAND 快閃記憶體有很大的折扣，大約是每GB 價格為0.6
關鍵字：蘋果 NAND

東芝、爾必達再談整合

　　日系DRAM廠爾必達(Elpida)身陷財務風暴，近期傳出在日本官方作媒下，正與同為日系NAND Flash大廠東芝(Toshiba)洽談整合事宜。對此東芝和爾必達高層都不予置評。　　近期再度傳出爾必達與東芝高層就合并及整合密談協(xié)商，且日本政府扮演關鍵要角。內(nèi)存業(yè)者透露，東芝在發(fā)展行動裝置上，需要與爾必達Mobile RAM結(jié)合，才能打敗美韓陣營，雙方確實有接觸洽談整合事宜，但東芝對于重返DRAM領域意愿不高，另外，日本政府亦認為，DRAM市場雖萎縮，但技術必須傳承，有意促使兩大半導體廠整合。
關鍵字：東芝 NAND

共1479條 57/99 |‹ « 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 » ›|

nand flash介紹

　Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量內(nèi)存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。　　NAND型閃存以塊為單位進行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進行，如果目標區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細 ]