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國產(chǎn)設(shè)備必須走自主創(chuàng)新之路
- 半導(dǎo)體設(shè)備和材料企業(yè)的技術(shù)提升及創(chuàng)新要從研究材料入手，從源頭上達到國際先進水平。在工業(yè)制備方面要加強新型工藝的開發(fā)和應(yīng)用。我國半導(dǎo)體設(shè)備性能、控制已達到國際高端水平，但穩(wěn)定性還待提升。另外，需要做高端設(shè)備工藝方面的提升和研究。 蘭州瑞德自主開發(fā)的產(chǎn)品涉及多行業(yè)、多領(lǐng)域，在國際金融危機期間，遇到的問題主要在工藝應(yīng)用和需求行業(yè)比例發(fā)生變化方面，公司根據(jù)各行業(yè)特點，公司采取新品上市、設(shè)備改制、設(shè)備派生等手段，使研、切、拋電子專用設(shè)備進入各行業(yè)的速度加快了，尤其是視窗、光學(xué)等行業(yè)。半導(dǎo)體行業(yè)仍主打高端設(shè)
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基于0.13μm CMOS工藝的快速穩(wěn)定的高增益Telescop
- 近年來，軟件無線電(Software Radio)的技術(shù)受到廣泛的關(guān)注。理想的軟件無線電臺要求對天線接收的模擬信號經(jīng)過放大后直接采樣，但是由于通常射頻頻率(GHz頻段)過高，技術(shù)上所限難以實現(xiàn)，而多采用中頻采樣的方法。而對
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多晶硅企業(yè)命系裝備和技術(shù)
- 從現(xiàn)有市場行情來看，國內(nèi)多晶硅價格下跌的趨勢將難以改變。國內(nèi)可將生產(chǎn)成本壓低到50美元/公斤以下的多晶硅企業(yè)，幾乎是鳳毛麟角。 森松集團(中國)(下稱“森松”)董事總經(jīng)理薛絳穎接受記者專訪時表示，目前中國的多晶硅設(shè)備制造已較為成熟。而國內(nèi)多晶硅生產(chǎn)商的管理、技術(shù)及工藝都有待提高，這樣才能有效控制成本。 裝備技術(shù)尤為關(guān)鍵。以森松集團為例，作為國內(nèi)最大的多晶硅工藝成套設(shè)備供應(yīng)商，約有80%的國內(nèi)多晶硅廠，都使用其成套設(shè)備如還原爐以及相關(guān)技術(shù)。 該公司生產(chǎn)的還原爐要
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我國大規(guī)模集成電路制造重大專項進入實施階段
- 新華網(wǎng)北京3月27日電記者 27日從科技部獲悉,我國“極大規(guī)模集成電路制造裝備及成套工藝”重大專項進入全面實施階段? 據(jù)介紹,“極大規(guī)模集成電路制造裝備及成套工藝”重大專項旨在開發(fā)集成電路關(guān)鍵制造裝備,掌握具有自主知識產(chǎn)權(quán)的成套先進工藝及相關(guān)新材料技術(shù),打破我國高端集成電路制造裝備與工藝完全依賴進口的狀況,帶動相關(guān)產(chǎn)業(yè)的技術(shù)提升和結(jié)構(gòu)調(diào)整? 重大專項是實現(xiàn)我國中長期科技發(fā)展規(guī)劃的一項重要內(nèi)容,黨中央?國務(wù)院高度重視重大專項的實施工作,多次召開
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基于0.18μm RF CMOS工藝的低相噪寬帶LC VCO設(shè)計
- 壓控振蕩器(VCO)是射頻集成電路(RF-ICs)中的關(guān)鍵模塊之一。近年來隨著無線通信技術(shù)的快速發(fā)展，射頻收發(fā)機也有了新的發(fā)展趨勢，即單個收發(fā)機要實現(xiàn)寬頻率多標準的覆蓋，例如用于移動數(shù)字電視接收的調(diào)諧器一般要實現(xiàn)T-DMB、DMB-T等多個標準，并能覆蓋VHF、UHF和LBAND等多個頻段。本文所介紹的VCO設(shè)計采用如圖1(a)所示的交叉耦合電感電容結(jié)構(gòu)，相對于其他結(jié)構(gòu)的VCO來說該結(jié)構(gòu)更加易于片上集成和實現(xiàn)低功耗設(shè)計，并且利用LC諧振回路的帶通濾波特性，能獲得更好的相位噪聲性能。
- 關(guān)鍵字： 寬帶 LC VCO 設(shè)計 相噪 工藝 0.18 RF CMOS 基于
制程工藝技術(shù)發(fā)展探討
- IBM聯(lián)盟開發(fā)出可在32納米芯片中加速實現(xiàn)一種被稱為“high-k/metal gate(高電介質(zhì)金屬柵極)”的突破性材料。這種新方法是基于被稱為“high-k gate-first(高電介質(zhì)先加工柵極)”加工工藝的方法，為客戶轉(zhuǎn)向高電介質(zhì)金屬柵極技術(shù)提供了一種更加簡單和更省時間的途徑，由此而能夠帶來的益處包括性能的提高和功耗的降低。通過使用高電介質(zhì)金屬柵極，IBM與聯(lián)盟合作伙伴成功地開發(fā)出比上一代技術(shù)體積小50%的芯片，同時提高了眾多性能。使用這種新技術(shù)的
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45nm用或不用都是個問題
- 與其說45nm剛剛走到我們面前，不如說我們已經(jīng)可以準備迎接32nm工藝時代，因為據(jù)三星存儲合作伙伴透露，今年底或明年初三星將開始試產(chǎn)30nm工藝半導(dǎo)體存儲芯片，其閃存芯片更是早于Intel邁向了50nm量產(chǎn)階段。無疑，我們只不過在Intel強大的宣傳攻勢下，認為似乎CPU才是所有半導(dǎo)體的制程工藝的領(lǐng)先者，但也許再向下Intel也會感到有些力不從心。 當(dāng)然，我們今天討論的重點不是誰的制程工藝更先進，而是要討論45nm究竟該不該采用，亦或準確的說是要不要采用的問題。 從技術(shù)的角度來說，45
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