- 變壓器繞組繞在磁芯骨架上，特別是饒組的層數(shù)較多時，不可避免的會產(chǎn)生分布電容，由于變壓器工作在高頻狀態(tài)下，那么這些分布電容對變壓器的工作狀態(tài)將產(chǎn)生非常大的影響，如引起波形產(chǎn)生振蕩，EMC變差，變壓器發(fā)熱等。
- 關(guān)鍵字：
變壓器 電容 工藝 分布
- 隨著半導(dǎo)體工藝開發(fā)和制造成本的快速上升和復(fù)雜程度不斷加深，半導(dǎo)體制造商如今面臨著前所未有的挑戰(zhàn)。為了滿足成本更低和功能更多的產(chǎn)品需求，半導(dǎo)體工藝的更新?lián)Q代取決于不同器件類型的升級和集成——核
- 關(guān)鍵字：
TCAD 計算機輔助 工藝 設(shè)計技術(shù)
- 賈凡尼現(xiàn)象或賈凡尼效應(yīng)是指兩種金屬由于存在電位差，通過介質(zhì)產(chǎn)生了電流，繼而產(chǎn)生了電化學(xué)反應(yīng)，致使電位高的陽極被氧化的現(xiàn)象.本文中我們將各方面探討分析PCB化學(xué)鍍銀工藝中賈凡尼現(xiàn)象存在的原因和處理方法。
- 關(guān)鍵字：
PCB 化學(xué)鍍銀 工藝 分析
- 敷銅作為PCB設(shè)計的一個重要環(huán)節(jié)，不管是國產(chǎn)的青越鋒PCB設(shè)計軟件，還國外的一些Protel,PowerPCB都提供了智能敷銅功能，那么怎樣才能敷好銅，我將自己一些想法與大家一起分享，希望能給同行帶來益處。 所謂覆銅
- 關(guān)鍵字：
PCB 敷銅 工藝
- 一. 引言
隨著人類對于居住環(huán)境要求的不斷提高，目前PCB生產(chǎn)過程中涉及到的環(huán)境問題顯得尤為突出。目前有關(guān)鉛和溴的話題是最熱門的；無鉛化和無鹵化將在很多方面影響著PCB的發(fā)展。雖然目前來看，PCB的表面處理工
- 關(guān)鍵字：
PCB 表面處理 工藝
- 本文以比較器為基本電路，采用恒流源充放電技術(shù)，設(shè)計了一種基于1.0mu;m CMOS工藝的鋸齒波振蕩電路，并對其各單元組成電路的設(shè)計進行了闡述。同時利用Cadence Hspice仿真工具對電路進行了仿真模擬，結(jié)果表明，鋸
- 關(guān)鍵字：
CMOS 工藝 鋸齒波 振蕩電路
- 1 引言 本文在傳統(tǒng)鎖相環(huán)結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上進行改進，設(shè)計了一款用于多路輸出時鐘緩沖器中的鎖相環(huán)，其主 要結(jié)構(gòu)包括分頻器、鑒頻鑒相器(PFD)、電荷泵、環(huán)路濾波器和壓控振蕩器(VCO)。在鑒相器前采用預(yù) 分頻結(jié)構(gòu)減小
- 關(guān)鍵字：
CSMC PLL 工藝 零延時
- 在現(xiàn)代電子系統(tǒng)設(shè)計中，由于可編程邏輯器件的卓越性能、靈活方便的可升級特性，而得到了廣泛的應(yīng)用。由于大規(guī)模高密度可編程邏輯器件多采用SRAM工藝，要求每次上電，對FPGA器件進行重配置，這就使得可以通過監(jiān)視配置
- 關(guān)鍵字：
保密性 問題 FPGA 工藝 SRAM 基于
- 利用PLC系統(tǒng)控制閃光對焊工藝過程的設(shè)計,閃光對焊作為一種先進的焊接技術(shù)，具有無需添加焊接材料、生產(chǎn)率高、成本低、易于操作等優(yōu)點。隨著工業(yè)技術(shù)的不斷發(fā)展，焊接的零件截面越來越大，遇到了一些技術(shù)問題，如焊接加熱難、生產(chǎn)率低、產(chǎn)品合格率低等。為了
- 關(guān)鍵字：
工藝 過程 設(shè)計 閃光 控制 PLC 系統(tǒng) 利用
- 工業(yè)以太網(wǎng)是一個基于以太網(wǎng)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)進行實現(xiàn)所有控制、調(diào)節(jié)儀器設(shè)備自動化技術(shù)的高層次概念。因為一般情況下企業(yè)已擁有把辦公計算機連接成為一個網(wǎng)絡(luò)的LAN以太網(wǎng)了，而這種網(wǎng)絡(luò)有可能與工業(yè)以太網(wǎng)聯(lián)網(wǎng)，并且仍然使用
- 關(guān)鍵字：
設(shè)計 方案 聯(lián)網(wǎng) 垂直 工藝 設(shè)備 流程
- 實現(xiàn)世界上最先進的定制邏輯器件引言
Altera于2008年第二季度推出Stratix® IV和HardCopy® IV器件系列標(biāo)志著世界上首款40-nm FPGA和業(yè)界唯一
40-nm ASIC 無風(fēng)險移植途徑的誕生。Altera 通過三年周密的規(guī)劃和
- 關(guān)鍵字：
40 nm 工藝 定制
- SMT小型電子產(chǎn)品的安裝是高等職業(yè)學(xué)校應(yīng)用電子技術(shù)專業(yè)中《電子產(chǎn)品工藝實訓(xùn)》課程的一個重要項目。結(jié)合《電子產(chǎn)品工藝》這門課程的特點,我們在電子實訓(xùn)環(huán)節(jié)采用了項目教學(xué)模式,即師生雙方共同在實訓(xùn)室參與項目教學(xué)
- 關(guān)鍵字：
環(huán)節(jié) 應(yīng)用 工藝 電子 教學(xué) 項目
- 基于0.13微米CMOS工藝下平臺式FPGA中可重構(gòu)RAM模塊的一種設(shè)計方法,1. 引言
對于需要大的片上存儲器的各種不同的應(yīng)用，F(xiàn)PGA 需要提供可重構(gòu)且可串聯(lián)的存儲器陣列。通過不同的配置選擇，嵌入式存儲器陣列可以被合并從而達到位寬或字深的擴展并且可以作為單端口，雙端口
- 關(guān)鍵字：
RAM 重構(gòu) 模塊 設(shè)計 方法 FPGA 平臺 0.13 微米 CMOS 工藝
- 0 引言
運算放大器是數(shù)據(jù)采樣電路中的關(guān)鍵部分，如流水線模數(shù)轉(zhuǎn)換器等。在此類設(shè)計中，速度和精度是兩個重要因素，而這兩方面的因素都是由運放的各種性能來決定的。
本文設(shè)計的帶共模反饋的兩級高增益運
- 關(guān)鍵字：
CMOS 工藝 放大器 全差分
- 針對DC－DC電源管理系統(tǒng)中所必須的欠壓鎖存(UVLO)功能，提出一種改進的欠壓鎖存電路。所設(shè)計的電路在不使用額外的帶隙基準(zhǔn)電壓源作為比較基準(zhǔn)的情況下，實現(xiàn)了閾值點電位、比較器的滯回區(qū)間等參量的穩(wěn)定。整個電路采用CSMC0．5 μm BCD工藝設(shè)計，使用HSpice軟件仿真，結(jié)果表明所設(shè)計的UVLO電路具有結(jié)構(gòu)簡單、反應(yīng)靈敏、溫度漂移小、功耗低等特點。
- 關(guān)鍵字：
電路設(shè)計 工藝 BCD 基于
n3p 工藝介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條n3p 工藝!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對n3p 工藝的理解，并與今后在此搜索n3p 工藝的朋友們分享。
創(chuàng)建詞條
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473