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n3p 工藝 文章 最新資訊

硅襯底LED芯片簡(jiǎn)介及主要制造工藝分析

  • 目前日本日亞公司壟斷了藍(lán)寶石襯底上GaN基LED專利技術(shù),美國(guó)CREE公司壟斷了SiC襯底上 GaN基LED專利技術(shù)。因此,研發(fā)其他襯底上的GaN基LED生產(chǎn)技術(shù)成為國(guó)際上的一個(gè)熱點(diǎn)。南昌大學(xué)與廈門華聯(lián)電子有限公司合作承擔(dān)了國(guó)
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安森美推出High-Q IPD工藝設(shè)計(jì)套件

  • 應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào):ONNN)宣布提供針對(duì)公司High-Q?集成無(wú)源器件(IPD)工藝的完整從前到后工序工藝設(shè)計(jì)套件(PDK)。這PDK開發(fā)是為了配合安捷倫科技的先進(jìn)設(shè)計(jì)系統(tǒng)(ADS) 2011電子設(shè)計(jì)輔助(EDA)軟件一起使用,使安森美半導(dǎo)體及安捷倫科技的客戶能夠充分利用業(yè)界最全面射頻(RF)及微波設(shè)計(jì)平臺(tái)的優(yōu)勢(shì)。
  • 關(guān)鍵字: 安森美  無(wú)源器件  工藝  

新型霓虹燈的制作工藝

  • 每逢夜幕降臨,街市上華燈初亮,而獨(dú)樹一枝的五彩霓虹燈顯得格外亮麗醒目,它將賓館、大廈、商場(chǎng)及娛樂城裝飾得多姿多彩。然而這種傳統(tǒng)的霓虹燈制作工藝復(fù)雜,造價(jià)成本高、耗電驚人,維修難又容易遭破損等問題。新型
  • 關(guān)鍵字: 工藝  制作  霓虹燈  新型  

CMOS工藝多功能數(shù)字芯片的輸出緩沖電路設(shè)計(jì)

  • 摘要:為了提高數(shù)字集成電路芯片的驅(qū)動(dòng)能力,采用優(yōu)化比例因子的等比緩沖器鏈方法,通過Hspice軟件仿真和版圖設(shè)計(jì)測(cè)試,提出了一種基于CSMC 2P2M 0.6mu;m CMOS工藝的輸出緩沖電路設(shè)計(jì)方案。本文完成了系統(tǒng)的電原理
  • 關(guān)鍵字: 輸出  緩沖  電路設(shè)計(jì)  芯片  數(shù)字  工藝  多功能  CMOS  

模具型芯的數(shù)控加工工藝淺析

  • 模具的型芯和型腔往往具有各種自由曲面,非常適合在數(shù)控機(jī)床上進(jìn)行加工。數(shù)控加工的工藝與普通加工工藝有較大區(qū)別。本文結(jié)合兒童產(chǎn)品裝飾物的模具型芯的數(shù)控加工工藝設(shè)計(jì),分析和總結(jié)了模具數(shù)控加工的工藝特點(diǎn),為模
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基于CMOS工藝的新型集成運(yùn)算放大器設(shè)計(jì)

  • 集成電路,即integrated circuit,這是一種微型電子器件或部件,按功能可劃分為數(shù)字和模擬兩大類。而模擬集成電路一般用于模擬信號(hào)的產(chǎn)生和處理,有很多種種類,比如集成運(yùn)算放大器、集成鎖相環(huán)、集成功率放大器、集
  • 關(guān)鍵字: CMOS  工藝  放大器設(shè)計(jì)  集成運(yùn)算    

微波印制板多層化設(shè)計(jì)制造

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
  • 關(guān)鍵字: 聚四氟乙烯  微波板  工藝  多層化  

基于CMOS工藝的RF集成電路設(shè)計(jì)

  • 近年來(lái),有關(guān)將CMOS工藝在射頻(RF)技術(shù)中應(yīng)用的可能性的研究大量增多。深亞微米技術(shù)允許CMOS電路的工作頻率超過1GHz,這無(wú)疑推動(dòng)了集成CMOS射頻電路的發(fā)展。目前,幾個(gè)研究組已利用標(biāo)準(zhǔn)的CMOS工藝開發(fā)出高性能的下
  • 關(guān)鍵字: 集成  電路設(shè)計(jì)  RF  工藝  CMOS  基于  

LED生產(chǎn)工藝及封裝技術(shù)

  • 一、生產(chǎn)工藝1.工藝:a)清洗:采用超聲波清洗pcb或LED支架,并烘干。b)裝架:在LED管芯(大圓片)底部電極備上銀膠后進(jìn)行擴(kuò)張,將擴(kuò)張后的管芯(大圓片)安置在刺晶臺(tái)上,在顯微鏡下用刺晶筆將管芯一個(gè)一個(gè)安裝在PCB
  • 關(guān)鍵字: 技術(shù)  封裝  工藝  生產(chǎn)  LED  

基于65nm工藝數(shù)字IC物理設(shè)計(jì)中信號(hào)串?dāng)_的預(yù)防

  • 摘要:數(shù)字集成電路的不斷發(fā)展和制造工藝的不斷進(jìn)步,使得物理設(shè)計(jì)面臨著越來(lái)越多的挑戰(zhàn)。特征尺寸的減小,使得后端設(shè)計(jì)過程中解決信號(hào)完整性問題是越來(lái)越重要。互連線間的串?dāng)_就是其中的一個(gè),所以在后端設(shè)計(jì)的流程
  • 關(guān)鍵字: 設(shè)計(jì)  信號(hào)  預(yù)防  物理  IC  65nm  工藝  數(shù)字  基于  

CMOS工藝兼容的熱電堆紅外探測(cè)器

  • CMOS工藝兼容的熱電堆紅外探測(cè)器,0 引言熱電堆紅外探測(cè)器是最早發(fā)展的一種熱紅外探測(cè)器,其工作原理基于Seebeck 效應(yīng)。這類探測(cè)器通常不需要致冷,可以常溫工作,并對(duì)較大范圍內(nèi)的紅外光響應(yīng)均勻,由于成本較低,可以大批量生產(chǎn),因此在安全監(jiān)視、醫(yī)
  • 關(guān)鍵字: CMOS  工藝  兼容  紅外探測(cè)器    

基于SRAM工藝FPGA的加密方法介紹

  • 在現(xiàn)代電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)中,由于可編程邏輯器件的卓越性能、靈活方便的可升級(jí)特性,而得到了廣泛的應(yīng)用。由于大規(guī)模高密度可編程邏輯器件多采用SRAM工藝,要求每次上電,對(duì)FPGA器件進(jìn)行重配置,這就使得可以通過監(jiān)視配置
  • 關(guān)鍵字: 方法  介紹  加密  FPGA  SRAM  工藝  基于  

焊工藝過程的設(shè)計(jì)方案解析

  • 閃光對(duì)焊作為一種先進(jìn)的焊接技術(shù),具有無(wú)需添加焊接材料、生產(chǎn)率高、成本低、易于操作等優(yōu)點(diǎn)。隨著工業(yè)技術(shù)的不斷發(fā)展,焊接的零件截面越來(lái)越大,遇到了一些技術(shù)問題,如焊接加熱難、生產(chǎn)率低、產(chǎn)品合格率低等。為了
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典型工藝介紹

  • 光刻技術(shù)類似于照片的印相技術(shù),所不同的是,相紙上有感光材料,而硅片上的感光材料——光刻膠是通過旋涂技術(shù)在工藝中后加工的。光刻掩模相當(dāng)于照相底片,一定的波長(zhǎng)的光線通過這個(gè)“底片”,在
  • 關(guān)鍵字: 介紹  工藝  典型  

太陽(yáng)能電池片燒結(jié)工藝

  • 燒結(jié)就是把印刷到硅片上的電極在高溫下燒結(jié)成電池片,最終使電極和硅片本身形成歐姆接觸,從而提高電池片的開路電壓和填充因子2個(gè)關(guān)鍵因素參數(shù),使電極的接觸具有電阻特性,達(dá)到生產(chǎn)高轉(zhuǎn)效率電池片的目的.燒結(jié)過程中有利
  • 關(guān)鍵字: 工藝  燒結(jié)  太陽(yáng)能電池  
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n3p 工藝介紹

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