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gan ic 文章 最新資訊

EPC起訴英諾賽科，要求保護氮化鎵(GaN)專利

  • 案例聚焦新一代替代硅技術?(加利福尼亞州，埃爾塞貢多）-- 氮化鎵（GaN）技術的全球領導者宜普電源轉(zhuǎn)換公司（Efficient Power Conversion Corporation, EPC，以下簡稱宜普公司）于今日向美國聯(lián)邦法院和美國國際 貿(mào)易委員會（U.S. International Trade Commission, ITC）提起訴訟，主張其基礎專利組合中的 四項專利受到英諾賽科（珠海）科技有限公司及其子公司（以下統(tǒng)稱英諾賽科）侵犯。 這些專利 涉及宜普公司獨家的增強型氮化
  • 關鍵字： 宜普電源  EPC  英諾賽科  氮化鎵  GaN  

意法半導體的100W和65W VIPerGaN功率轉(zhuǎn)換芯片節(jié)省空間

  • 2023?年?5?月?19?日，中國——意法半導體高壓寬禁帶功率轉(zhuǎn)換芯片系列新增VIPerGaN100?和?VIPerGaN65兩款產(chǎn)品，適合最大功率100W和65W的單開關管準諧振(QR)反激式功率轉(zhuǎn)換器。這個尺寸緊湊、高集成度的產(chǎn)品設計的目標應用包括USB-PD充電器、家電、智能建筑控制器、照明、空調(diào)、智能表計和其他工業(yè)應用的開關式電源(SMPS)。?每個器件都集成了脈寬調(diào)制?(PWM)?控制器和650
  • 關鍵字： 意法半導體  GaN  功率轉(zhuǎn)換芯片  

ROHM開始量產(chǎn)具有業(yè)界超高性能的650V耐壓GaN HEMT

  • 全球知名半導體制造商ROHM（以下簡稱“ROHM”）將650V耐壓的GaN（Gallium Nitride：氮化鎵）HEMT*1“GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量產(chǎn)，這兩款產(chǎn)品非常適用于服務器和AC適配器等各種電源系統(tǒng)。據(jù)悉，電源和電機的用電量占全世界用電量的一大半，為實現(xiàn)無碳社會，如何提高它們的效率已成為全球性的社會問題。而功率元器件是提高它們效率的關鍵，SiC （Silicon Carbide：碳化硅）和GaN等新材料在進一步提升各種電源效率方面被寄予厚望。2022年，RO
  • 關鍵字： ROHM  650V  GaN HEMT  

意法半導體發(fā)布靈活可變的隔離式降壓轉(zhuǎn)換器芯片

  • 2023 年 5月 16 日，中國 —— 意法半導體發(fā) L6983i 10W 隔離降壓 (iso-buck) 轉(zhuǎn)換器芯片具有能效高、尺寸緊湊，以及低靜態(tài)電流、3.5V-38V 寬輸入電壓等優(yōu)勢。L6983i適合需要隔離式 DC-DC 轉(zhuǎn)換器應用，采用隔離降壓拓撲結構，需要的外部組件比傳統(tǒng)隔離式反激式轉(zhuǎn)換器少，并且不需要光耦合器，從而節(jié)省了物料清單成本和 PCB面積。 L6983i 的其他優(yōu)勢包括 2μA 關斷電流，集成軟啟動時間可調(diào)、內(nèi)部環(huán)路補償、電源正常指示，以及過流保護、熱關斷等保護功能。擴
  • 關鍵字： 意法半導體  隔離式降壓轉(zhuǎn)換器  功率轉(zhuǎn)換  IGBT  SiC  GaN  晶體管柵極驅(qū)動  

EPC新推基于GaN FET的150 ARMS電機驅(qū)動器參考設計

  • 基于氮化鎵器件的EPC9186逆變器參考設計增強了高功率應用的電機系統(tǒng)性能、精度、扭矩和可實現(xiàn)更長的續(xù)航里程。宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)新推EPC9186，這是一款采用EPC2302 eGaN?FET的三相BLDC電機驅(qū)動逆變器。EPC9186支持14 V~ 80 V的寬輸入直流電壓。大功率EPC9186支持電動滑板車、小型電動汽車、農(nóng)業(yè)機械、叉車和大功率無人機等應用。EPC9186在每個開關位置使用四個并聯(lián)的EPC2302，可提供高達200 Apk的最大輸出電流。EPC9186包含所有必要的關鍵功能電路
  • 關鍵字： EPC  GaN FET  ARMS  電機驅(qū)動器  

格力1.5億元參設創(chuàng)投基金，重點投資孵化IC等產(chǎn)業(yè)

  • 珠海市招商署消息顯示，5月6日，珠海賽納永盈一期創(chuàng)投基金成立暨項目簽約儀式舉行。據(jù)悉，珠海賽納永盈一期創(chuàng)投基金由珠海賽納科技有限公司聯(lián)合格力集團、正方集團共同組建，計劃規(guī)模8億元，重點投資孵化激光打印、3D打印、打印耗材、集成電路及上下游相關產(chǎn)業(yè)。格力集團消息稱，格力集團旗下格力金投出資1.5億元并參與管理。儀式上，賽納科技、格力集團、正方集團三方簽約代表簽署“珠海賽納永盈一期創(chuàng)投基金”協(xié)議，基金擬投資企業(yè)珠海諾威達電機有限公司、廣州市小篆科技有限公司分別和賽納科技簽署項目落地協(xié)議。
  • 關鍵字： 格力  創(chuàng)投  基金  IC  

Nexperia推出支持低壓和高壓應用的E-mode GAN FET

  • 奈梅亨，2023年5月10日：基礎半導體器件領域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今天宣布推出首批支持低電壓(100/150 V)和高電壓(650 V)應用的E-mode（增強型）功率GaN FET。Nexperia在其級聯(lián)型氮化鎵產(chǎn)品系列上增加了七款新型E-mode器件，從GaN FET到其他硅基功率器件，Nexperia豐富的產(chǎn)品組合能為設計人員提供最佳的選擇。  Nexperia的新產(chǎn)品包括五款額定電壓為650 V的E-mode GaN FET（RDS(on)值介于80 mΩ至19
  • 關鍵字： Nexperia  E-mode GAN FET  

IC 設計市況不明

  • IC 設計市場氣氛詭譎難辨，相關公司只能邊走邊看。
  • 關鍵字： IC  

深挖 GaN 潛力，中國企業(yè)別掉隊

  • 氮化鎵（GaN）是一種寬禁帶半導體材料，其禁帶寬度達到 3.4eV，是最具代表性的第三代半導體材料。除了更寬的禁帶寬度，氮化鎵還具備更高的擊穿電場、更高的熱導率、更高的電子飽和速率，以及更優(yōu)的抗輻照能力，這些特性對于電力電子、射頻和光電子應用有獨特優(yōu)勢。GaN 產(chǎn)業(yè)上游主要包括襯底與外延片的制備，下游是 GaN 芯片元器件的設計和制造。襯底的選擇對于器件性能至關重要，襯底也占據(jù)了大部分成本，因而襯底制備是降低 GaN 器件成本的突破口。襯底GaN 單晶襯底以 2-4 英寸為主，4 英寸已實現(xiàn)商用，6 英寸
  • 關鍵字： GaN-on-Si  氮化鎵  

氮化鎵 (GaN) 帶來電源管理變革的 3 大原因

  • 作為提供不間斷連接的關鍵，許多數(shù)據(jù)中心依賴于日益流行的半導體技術來提高能效和功率密度。?氮化鎵技術，通常稱為 GaN，是一種寬帶隙半導體材料，越來越多地用于高電壓應用。這些應用需要具有更大功率密度、更高能效、更高開關頻率、更出色熱管理和更小尺寸的電源。除了數(shù)據(jù)中心，這些應用還包括 HVAC 系統(tǒng)、通信電源、光伏逆變器和筆記本電腦充電電源。??了解 GaN 如何突破功率密度和效率界限? 德州儀器 GaN 產(chǎn)品線負責人 David Snook 表示：“氮化鎵是提高功率密
  • 關鍵字： 氮化鎵  GaN  電源管理  

基于RT3607HP的 Intel CPU IMVP 8/9 Vcore 電源方案

  • 1. CPU Vcore 簡介:VCORE轉(zhuǎn)換器（調(diào)節(jié)器）是在臺式個人電腦、筆記本式個人電腦、服務器、工業(yè)電腦等計算類設備中為CPU（中央處理器）內(nèi)核或GPU（圖形處理器）內(nèi)核供電的器件，與普通的POL（負載點）調(diào)節(jié)器相比，它們要滿足完全不同的需要：CPU/GPU都表現(xiàn)為變化超快的負載，需要以極高的精度實現(xiàn)動態(tài)電壓定位 (Dynamic Voltage Positioning) ，需要滿足一定的負載線要求，需要在不同的節(jié)能狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換，需要提供不同的參數(shù)測量和監(jiān)控。在VCORE轉(zhuǎn)換器與CPU之間通常以串列
  • 關鍵字： Richtek  立锜  Intel  IMVP8  RT3607  多相電源  PWM IC  

什么是混合信號 IC 設計？

  • 在之前的文章中，我們討論了需要具有高輸入阻抗的放大器才能成功地從壓電傳感元件中提取加速度信息。對于一些壓電加速度計，放大器內(nèi)置在傳感器外殼中?，F(xiàn)代 IC 通常由來自各個領域的元素組成。還有各種片上系統(tǒng) (SoC) 和系統(tǒng)級封裝 (SiP) 技術，包括單個 IC 上的每個 IC 設計域，或包含各種半導體工藝和子 IC 的封裝。本簡介概述了典型混合信號 IC 設計流程中的步驟。在本文中，我們系列文章中短的一篇，我們將給出混合信號 IC 設計流程的視圖——同時具有模擬和數(shù)字電路的 IC 設計流程。數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器——
  • 關鍵字： 混合信號  IC  

高電壓技術是構建更可持續(xù)未來的關鍵

  • 隨著世界各地的電力消耗持續(xù)增長，高電壓技術領域的創(chuàng)新讓設計工程師能夠開發(fā)出更高效的解決方案，使電氣化和可再生能源技術更易于使用。?“隨著人均用電量的持續(xù)增長，可持續(xù)能源變得越來越重要，”TI 副總裁及高電壓產(chǎn)品部總經(jīng)理 Kannan Soundarapandian 表示?！耙载撠煹姆绞焦芾砟茉词褂梅浅Ｖ匾Ｎ覀儾荒芾速M任何一毫焦1的能量。這就是為什么高電壓技術的創(chuàng)新是實現(xiàn)能源可持續(xù)的關鍵。”?隨著電力需求的增加（在 2 秒內(nèi)將電動汽車 (EV) 從 0mph加速到 60mph?
  • 關鍵字： 高電壓技術  電動汽車  GaN  IGBT  

德州儀器推出業(yè)內(nèi)先進的獨立式有源 EMI 濾波器 IC，支持高密度電源設計

  • 中國上海（2023 年 3 月 28 日）– 德州儀器 (TI)（納斯達克股票代碼：TXN）今日宣布推出業(yè)內(nèi)先進的獨立式有源電磁干擾 (EMI) 濾波器集成電路 (IC)，能夠幫助工程師實施更小、更輕量的 EMI 濾波器，從而以更低的系統(tǒng)成本增強系統(tǒng)功能，同時滿足 EMI 監(jiān)管標準。 隨著電氣系統(tǒng)變得愈發(fā)密集，以及互連程度的提高，緩解 EMI 成為工程師的一項關鍵系統(tǒng)設計考慮因素。得益于德州儀器研發(fā)實驗室 Kilby Labs 針對新概念和突破性想法的創(chuàng)新開發(fā)，新的獨立式有源 EMI 濾波器 I
  • 關鍵字： 德州儀器  有源 EMI 濾波器 IC  電源設計  

GaN 出擊

  • 自上世紀五十年代以來，以硅材料為代表的第一代半導體材料取代了笨重的電子管引發(fā)了以集成電路為核心的微電子領域迅速發(fā)展。隨著時間的流逝，盡管目前業(yè)內(nèi)仍然以 Si 材料作為主流半導體材料，但第二代、第三代甚至是第四代半導體材料都紛沓而至。這其中又以第三代半導體材料——氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）受到大眾關注。近段時間，GaN 方面又有了新進展。本土 GaN 企業(yè)快速發(fā)展3 月 2 日，英飛凌宣布收購氮化鎵公司 GaN Systems，交易總值 8.3 億美元（約 57.3 億人民幣）。根據(jù)公告，英飛凌計劃
  • 關鍵字： GaN  SiC  
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