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ROHM建立8V閘極耐壓150V GaN HEMT量產(chǎn)體制

半導(dǎo)體制造商ROHM已建立150V耐壓GaN HEMT GNE10xxTB系列（GNE1040TB）?的量產(chǎn)體制，該系列產(chǎn)品的閘極耐壓（閘極-源極間額定電壓）高達(dá)8V，非常適用于基地臺(tái)、數(shù)據(jù)中心等工控設(shè)備和各類型IoT通訊裝置的電源電路。 EcoGaN首波產(chǎn)品 GNE10xxTB系列?有助基地臺(tái)和數(shù)據(jù)中心實(shí)現(xiàn)低功耗和小型化一般來(lái)說(shuō)，GaN組件具有優(yōu)異的低導(dǎo)通電阻和高速開關(guān)性能，有助降低各種電源功耗和實(shí)現(xiàn)外圍組件小型化。但其閘極耐壓很低，因此在開關(guān)工作時(shí)的組件可靠性方面尚存在課題。針對(duì)該課題，RO
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ROHM確立柵極耐壓8V的150V GaN HEMT量產(chǎn)體制

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）已確立150V耐壓GaN HEMT*1“GNE10xxTB系列（GNE1040TB）”的量產(chǎn)體制，該系列產(chǎn)品的柵極耐壓（柵極-源極間額定電壓）*2高達(dá)8V，非常適用于基站、數(shù)據(jù)中心等工業(yè)設(shè)備和各種物聯(lián)網(wǎng)通信設(shè)備的電源電路。一般而言，GaN器件具有優(yōu)異的低導(dǎo)通電阻和高速開關(guān)性能，因而作為有助于降低各種電源的功耗和實(shí)現(xiàn)外圍元器件小型化的器件被寄予厚望。但其柵極耐壓很低，在開關(guān)工作時(shí)的器件可靠性方面存在問(wèn)題。針對(duì)這一課題，ROHM的新產(chǎn)品通過(guò)采用自有的結(jié)構(gòu)，成功
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半導(dǎo)體一周要聞3.7-3.11

1. 提前預(yù)定五年產(chǎn)能，全球半導(dǎo)體硅片進(jìn)入黃金期！根據(jù)SEMI發(fā)布的數(shù)據(jù)顯示，2021年全球硅片的出貨量同比增加了14%，總出貨量達(dá)到141.65 億平方英寸（MSI），收入同比增長(zhǎng)了13%，達(dá)到126.2億美元。目前，包括長(zhǎng)江存儲(chǔ)和武漢新芯等客戶，都與滬硅旗下的上海新昇簽訂了2022年至2024年的長(zhǎng)期供貨協(xié)議。其中，2022年1-6月預(yù)計(jì)交易金額分別為1.55億元、8000萬(wàn)元，而2021年1-11月上述公司的交易金額分別為1.43億元、1.03億元。2. 2021 年中國(guó)集成電路銷售額首
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ST：發(fā)展碳化硅技術(shù) 關(guān)鍵在掌控整套產(chǎn)業(yè)鏈

電源與能源管理對(duì)人類社會(huì)未來(lái)的永續(xù)發(fā)展至關(guān)重要。意法半導(dǎo)體汽車和離散組件產(chǎn)品部（ADG）執(zhí)行副總裁暨功率晶體管事業(yè)部總經(jīng)理Edoardo MERLI指出，由于全球能源需求正在不斷成長(zhǎng)，我們必須控制碳排放，并將氣溫上升控制在1.5度以下，減排對(duì)此非常重要，但要實(shí)現(xiàn)這些要有科技的支持，包括可再生能源的利用，ST對(duì)此也有制定一些具體的目標(biāo)。意法半導(dǎo)體汽車和離散組件產(chǎn)品部（ADG）執(zhí)行副總裁暨功率晶體管事業(yè)部總經(jīng)理Edoardo MERLI僅就工業(yè)領(lǐng)域來(lái)說(shuō)，如果能將電力利用效率提升1%，就能節(jié)省95.
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安森美剝離晶圓制造廠達(dá)成最終協(xié)議改善成本結(jié)構(gòu)

安森美（onsemi）正在執(zhí)行其fab-liter制造戰(zhàn)略，最終目標(biāo)是透過(guò)擴(kuò)大毛利率實(shí)現(xiàn)可持續(xù)的財(cái)務(wù)業(yè)績(jī)。安森美於上周簽署一份最終協(xié)議，將剝離其在美國(guó)緬因州南波特蘭的工廠。隨著將生產(chǎn)轉(zhuǎn)移到其全球制造網(wǎng)絡(luò)內(nèi)更高效的晶圓廠，安森美將透過(guò)消除與已出售晶圓廠相關(guān)的固定成本和降低公司的制造單位成本來(lái)改善成本結(jié)構(gòu)。安森美總裁兼首席執(zhí)行官Hassane El-Khoury表示：「該擬議的資產(chǎn)剝離表明我們正在實(shí)現(xiàn)優(yōu)化的制造網(wǎng)路，同時(shí)為我們的客戶提供長(zhǎng)期的供應(yīng)保證。這些交易為受影響工廠的員工提供了持續(xù)的就業(yè)和發(fā)展機(jī)
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2022年傳感器和致動(dòng)器成長(zhǎng)15% 離散組件將回復(fù)正常水平

IC Insights日前發(fā)布報(bào)告指出，由于COVID-19造成的隔離和短缺因素，使得2021年全球光電組件產(chǎn)品、傳感器和致動(dòng)器，以及離散組件 (O-S-D)的銷售額，均出現(xiàn)創(chuàng)紀(jì)錄的成長(zhǎng)。但CMOS影像傳感器卻因美中對(duì)抗和某些系統(tǒng)因素，沒(méi)有相對(duì)應(yīng)的結(jié)果。根據(jù)IC Insights一月半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)報(bào)告，2021年OSD總收入首次突破1000億美元，與2020年的883億美元相比，增加18%至1042億美元，當(dāng)時(shí)三個(gè)市場(chǎng)的總銷售額成長(zhǎng)不到3 %。報(bào)告顯示，OSD總銷售額占2021年全球6139億美元半導(dǎo)體市場(chǎng)
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基于GaN的高功率密度快充正快速成長(zhǎng)

1? ?看好哪類GaN功率器件的市場(chǎng)？2020—2021 年硅基氮化鎵（GaN）開關(guān)器件的商用化進(jìn)程和5 年前（編者注：指2016 年）市場(chǎng)的普遍看法已經(jīng)發(fā)生了很大的變化，其中有目共睹的是基于氮化鎵件的高功率密度快充的快速成長(zhǎng)。這說(shuō)明影響新材料市場(chǎng)發(fā)展的，技術(shù)只是眾多因素當(dāng)中的1 個(gè)。我個(gè)人看好的未來(lái)5 年（編者注：指2022—2027 年）的氮化鎵應(yīng)用，包括：快充、服務(wù)器/ 通信電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、工業(yè)電源、音響、無(wú)線充電、激光雷達(dá)等，其中快充會(huì)繼續(xù)引領(lǐng)氮化鎵開關(guān)器件的市場(chǎng)成長(zhǎng)。相對(duì)于硅
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ST已經(jīng)做好部署，準(zhǔn)備挖掘GaN的全部潛力

GaN（氮化鎵）作為新興的第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料，以高頻、高壓等為特色。但長(zhǎng)期以來(lái)，由于工藝、成本等因素制約，GaN還處于Si（硅）和SiC（碳化硅）應(yīng)用的夾縫之間。在新的一年里，GaN的市場(chǎng)前景將如何？GaN技術(shù)和應(yīng)用有何新突破？為此，本媒體邀請(qǐng)了部分GaN資深企業(yè)，介紹一下GaN功率器件的新動(dòng)向。
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IC PARK 年度盛事圓滿收官！業(yè)界翹楚云端論劍，引爆中國(guó)“芯”思潮

12月10日，第五屆“芯動(dòng)北京”中關(guān)村IC產(chǎn)業(yè)論壇、“華為杯”第四屆中國(guó)研究生創(chuàng)“芯”大賽決賽開幕式以線上云會(huì)議的方式召開。今年是“十四五”規(guī)劃開局之年，本次會(huì)議在北京市委書記蔡奇提出的“舉全市之力做大做強(qiáng)集成電路產(chǎn)業(yè)”指示精神的背景下，高度聚焦集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展，邀請(qǐng)了來(lái)自國(guó)內(nèi)外“政產(chǎn)學(xué)研用”領(lǐng)域嘉賓齊聚一堂，圍繞創(chuàng)“芯”機(jī)、育“芯”才等主題進(jìn)行深入交流，探討當(dāng)前形勢(shì)下我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)如何應(yīng)對(duì)挑戰(zhàn)，共繪集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展新藍(lán)圖。北京市委常委、副市長(zhǎng)殷勇，中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)設(shè)計(jì)分會(huì)理事長(zhǎng)魏少軍，創(chuàng)“芯”大賽
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GaN功率芯片走向成熟，納微GaNSense開啟智能集成時(shí)代

GaN（氮化鎵）作為新興的第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料，以高頻、高壓等為特色。但是長(zhǎng)期以來(lái)，在功率電源領(lǐng)域，處于常規(guī)的Si（硅）和熱門的SiC（碳化硅）應(yīng)用夾縫之間。GaN產(chǎn)品的市場(chǎng)前景如何？GaN技術(shù)有何新突破？不久前，消費(fèi)類GaN（氮化鎵）功率解決方案供應(yīng)商——納微半導(dǎo)體宣布推出全球首款智能GaNFast?功率芯片，采用了專利的GaNSense?技術(shù)。值此機(jī)會(huì)，電子產(chǎn)品世界的記者采訪了銷售營(yíng)運(yùn)總監(jiān)李銘釗、高級(jí)應(yīng)用總監(jiān)黃秀成、高級(jí)研發(fā)總監(jiān)徐迎春。圖從左至右：納微半導(dǎo)體級(jí)的高級(jí)應(yīng)用總監(jiān)黃秀成、銷售營(yíng)運(yùn)總監(jiān)李銘
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蘋果證實(shí)：新上架的 140W 電源適配器為其首款 GaN 充電器

　　10月19日消息，據(jù)The Verge報(bào)道，蘋果公司向其證實(shí)，新上架的140W USB-C電源適配器是蘋果首款GaN充電器。　　與傳統(tǒng)充電器相比，GaN充電器的更小、更輕，同時(shí)支持大功率?！　〈送?，蘋果公司還確認(rèn)，140W電源適配器支持USB-C Power Delivery 3.1標(biāo)準(zhǔn)，這意味著該充電器可以為其他支持該標(biāo)準(zhǔn)的設(shè)備充電?！　⌒碌?40W USB-C電源適配器和新款MagSafe連接線現(xiàn)已在蘋果中國(guó)官網(wǎng)上架?！　∑渲?，140W USB-C電源適配器的價(jià)格為729元，USB-C轉(zhuǎn)MagSa
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碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)誰(shuí)是寬禁帶(WBG)材料的未來(lái)？

以GaN和SiC為代表第三代半導(dǎo)體正處于高速發(fā)展的階段，Si和GaAs等第一、二代半導(dǎo)體材料也仍在產(chǎn)業(yè)中大規(guī)模應(yīng)用。但不可否認(rèn)，第三代半導(dǎo)體確實(shí)具有更多的性能優(yōu)勢(shì)。
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InnoSwitch3-PD——尋求極致充電器功率密度

　　2021年9月21日Power Integrations推出適用于USB Type-C、USB功率傳輸(PD)和USB數(shù)字控制電源(PPS)適配器應(yīng)用的集成度一流的解決方案——InnoSwitch?3-PD系列IC。本次InnoSwitch?3-PD電源解決方案的亮點(diǎn)在于它是唯一的USB PD單芯片解決方案，不僅繼承了InnoSwitch3系列效率極高、低空載功耗、完善的保護(hù)等卓越性能，同時(shí)還能顯著減少BOM，非常適合要求具備超薄小巧外形的應(yīng)用設(shè)計(jì)?！　⌒翴C采用超薄InSOP?-24D封裝，內(nèi)部集成
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TI推出全新GaN技術(shù)，攜手臺(tái)達(dá)打造高效能服務(wù)器電源供應(yīng)器

TI領(lǐng)先的功率密度、全新架構(gòu)與高度集成幫助工程師解決企業(yè)服務(wù)器的設(shè)計(jì)難題，降低總所有成本
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新思科技PrimeSim可靠性分析解決方案加速任務(wù)關(guān)鍵型IC設(shè)計(jì)超收斂

經(jīng)晶圓廠認(rèn)證的全生命周期可靠性簽核有助于預(yù)防汽車、醫(yī)療和5G芯片設(shè)計(jì)中的過(guò)度設(shè)計(jì)和昂貴的后期ECO（工程變更指令）要點(diǎn)： ? 經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的技術(shù)統(tǒng)一工作流程在整個(gè)產(chǎn)品生命周期內(nèi)提供符合ISO 26262等標(biāo)準(zhǔn)的高性能可靠性分析? 與PrimeSim? Continuum解決方案整合可無(wú)縫使用業(yè)界領(lǐng)先的仿真器進(jìn)行電遷移/IR壓降分析、MOS老化、高西格瑪Monte Carlo、模擬故障和其他可靠性分析? 與PrimeWave?設(shè)計(jì)環(huán)境整合
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