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gan ic 文章 最新資訊

基于Navitas NV6115的150W電源解決方案

  • 傳統(tǒng)的功率半導體被設計用來提升系統(tǒng)的效率以及減少能量損失?？墒菍嶋H上，出于兩個方面的原因-傳導和開關切換，設備可能會出現能量損失。GaN FET為第三代功率半導體技術，其改善開關切換的延遲時間。納微（Navitas）半導體公司是世界上第一家的氮化鎵（ GaN ）功率芯片公司。所謂的氮化鎵功率芯片，其中 GaN 驅動器、GaN FET 和 GaN 邏輯單元的單片集成，并全部采用 650V GaN 工藝，從而實現許多軟開關拓撲和應用中的高速、高頻率、高效率操作。該方案采用NV6115 與 NV6117 氮化鎵
  • 關鍵字： NAVITAS  NV6115  NV6117  GAN  

GaN 良率受限，難以取代 IGBT

  • GaN 要快速擴散至各應用領域，仍有層層關卡待突破。
  • 關鍵字： GaN  

市場規(guī)模節(jié)節(jié)攀升，第三代半導體成收購的熱門賽道

  • 以碳化硅與氮化鎵為代表的第三代半導體市場正如火如荼地發(fā)展著，而“圍墻”之外的企業(yè)亦對此賽道十分看重。近日，中瓷電子資產重組重新恢復審核，其對第三代半導體業(yè)務的開拓有了新的進展。3月6日，中瓷電子發(fā)布了《發(fā)行股份購買資產并募集配套資金暨關聯交易報告書（草案）（修訂稿）》。根據該修訂稿，中瓷電子擬以發(fā)行股份的方式，購買博威公司73.00%股權、氮化鎵通信基站射頻芯片業(yè)務資產及負債、國聯萬眾94.6029%股權。事實上，除中瓷電子外，近來還有許多企業(yè)選擇以收購的方式，布局或擴大第三代半導體業(yè)務。2023年3月2
  • 關鍵字： 第三代半導體  收購  SiC  GaN  

晶圓廠貨源多元布局，代工報價面臨壓力

  • IT之家 3 月 13 日消息，據臺媒中央社報道，半導體產業(yè)景氣反轉向下，晶圓代工產能松動，IC 設計廠為強化供應鏈，同時因未來可能變化的需求，紛紛針對貨源展開多元布局，晶圓代工報價恐將面臨壓力。臺媒指出，晶圓代工廠今年來因為終端市場需求疲弱，供應鏈持續(xù)調整庫存，產能明顯松動，世界先進第一季度產能利用率恐較去年第四季度下滑 10 個百分點，力積電將降至 6 成多水準，聯電第一季度產能利用率也將降至 7 成。IC 設計廠多數表示，晶圓代工廠并未調降代工價格，不過廠商針對配合預先投片備貨的客戶提供優(yōu)
  • 關鍵字： 晶圓代工  IC 設計  

GaN 時代來了？

  • 隨著特斯拉宣布其下一代 EV 動力總成系統(tǒng)的 SiC 組件使用量減少 75%，預計第三代化合物半導體市場狀況將發(fā)生變化，GaN 被認為會產生后續(xù)替代效應。據業(yè)內消息人士透露，這有望使臺積電、世界先進半導體 (VIS) 和聯華電子受益，它們已經進行了早期部署，并繼續(xù)擴大其 8 英寸加工 GaN 器件的產能。GaN 和 SiC 的比較GaN 和 SiC 滿足市場上不同的功率需求。SiC 器件可提供高達 1200V 的電壓等級，并具備高載流能力，因此非常適合汽車和機車牽引逆變器、高功率太陽能發(fā)電場和大型三相電網
  • 關鍵字： GaN  SiC  

用于 GaN HEMT 的超快分立式短路保護

  • 當今的行業(yè)需要緊湊且速度更快的電子電路，這些電路可以在高性能計算機、電動汽車、數據中心和高功率電機驅動等高功率應用中實施。實現這一壯舉的方法是提高電子設備的功率密度。硅基MOSFET具有較低的開關速度和熱效率；因此，如果不增加尺寸并因此影響功率密度，它們就不能用于高功率應用。這就是基于氮化鎵 (GaN) 的高電子遷移率晶體管 (HEMT) 用于制造高功率密度電子產品的地方，適用于各行各業(yè)的不同應用。當今的行業(yè)需要緊湊且速度更快的電子電路，這些電路可以在高性能計算機、電動汽車、數據中心和高功率電機驅動等高功
  • 關鍵字： GaN  HEMT  短路保護  

探索IC電源管理新領域的物聯網應用

  • 本文深入探討物聯網電池技術，并提出設計人員可能面臨的一些電源問題，以及ADI提供的解決方案。這些高效的解決方案可以協助克服物聯網裝置中的其他問題，包括尺寸、重量和溫度。隨著物聯網裝置越來越密集地應用于工業(yè)設備、家庭自動化和醫(yī)療應用中，透過減小外形尺寸、提高效率、改善電流消耗，或者加快充電時間（對于可攜式物聯網裝置）來優(yōu)化這些裝置的電源管理的壓力也越來越大。相關的要求是所有這些都必須以小尺寸實現，既不能影響散熱，也不能干擾裝置實現無線通信。 物聯網裝置的應用領域幾乎沒有止境，每天都會考慮新的裝置和使用情況。
  • 關鍵字： IC  電源管理  物聯網  ADI  

英飛凌將收購氮化鎵系統(tǒng)公司（GaN Systems）

  • 【2023 年 03 月 03日，德國慕尼黑和加拿大渥太華訊】英飛凌科技股份公司（FSE 代碼：IFX / OTCQX 代碼：IFNNY）和氮化鎵系統(tǒng)公司（GaN Systems）聯合宣布，雙方已簽署最終協議。根據該協議，英飛凌將斥資 8.3 億美元收購氮化鎵系統(tǒng)公司。氮化鎵系統(tǒng)公司是全球領先的科技公司，致力于為功率轉換應用開發(fā)基于氮化鎵的解決方案。該公司總部位于加拿大渥太華，擁有 200 多名員工。  英飛凌科技首席執(zhí)行官 Jochen Hanebeck 表示：“氮化鎵技術為打造更加
  • 關鍵字： 英飛凌將  氮化鎵系統(tǒng)公司  GaN Systems  氮化鎵產品  

幾個氮化鎵GaN驅動器PCB設計必須掌握的要點

  • NCP51820 是一款 650 V、高速、半橋驅動器，能夠以高達 200 V/ns 的 dV/dt 速率驅動氮化鎵（以下簡稱“GaN”）功率開關。之前我們簡單介紹過氮化鎵GaN驅動器的PCB設計策略概要，本文將為大家重點說明利用 NCP51820 設計高性能 GaN 半橋柵極驅動電路必須考慮的 PCB 設計注意事項。本設計文檔其余部分引用的布線示例將使用含有源極開爾文連接引腳的 GaNFET 封裝。VDD 電容VDD 引腳應有兩個盡可能靠近 VDD 引腳放置的陶瓷電容。如圖 7 所示，較低值的高頻旁路電
  • 關鍵字： 安森美  GaN  驅動器  PCB  

半導體渠道商：庫存降低速度慢于預期

  • IT之家 2 月 27 日消息，據臺灣地區(qū)經濟日報報道，半導體庫存問題不僅 IC 設計廠商需要面對，下游 IC 渠道商為顧及長期合作關系，也常要與芯片原廠“共渡難關”。即便目前陸續(xù)傳出部分芯片有小量急單需求，有 IC 渠道廠商坦言，目前庫存去化速度還是比原本估計慢。IC 渠道廠商分析，市場目前的短單是否是曇花一現，通貨膨脹、美聯儲加息狀況、俄烏沖突以及國內是否會有報復性買盤需求等是觀察重點。不具名的 IC 渠道廠商透露，目前庫存去化狀況不如預期，假設原本估計的庫存去化速度是進 0.5 個月的貨，
  • 關鍵字： IC  市場  

基于 Richtek RT5047GSP 在于 LNB/LNBF 10W電源方案

  • 小耳朵衛(wèi)星天線,在于一些偏遠地區(qū)常見,用于收看衛(wèi)星電視節(jié)目,由于衛(wèi)星電視的信號非常微弱，所以我們需要一個拋物面天線來聚焦信號，還需要一個高頻頭，也稱為LNB或LNBF，通常LNB和饋源安裝在天線的焦點上來收集信號。LNB又叫高頻頭(Low Noise Block)，即低噪聲下變頻器，其功能是將由饋源傳送的衛(wèi)星信號經過放大和下變頻，把Ku或C波段信號變成L波段，經同軸電纜傳送給衛(wèi)星接收機,每只LNB只能用于某一波段，因為S、C和KU波段需要不同的波導管。也有一些類型是用于圓極化和線極化信號接收的，它們主要在
  • 關鍵字： Richtek  升壓  LNB  STB  Power IC  

氮化鎵GaN驅動器的PCB設計策略概要

  • NCP51820 是一款 650 V、高速、半橋驅動器，能夠以高達 200 V/ns 的 dV/dt 速率驅動氮化鎵（以下簡稱“GaN”） 功率開關。只有合理設計能夠支持這種功率開關轉換的印刷電路板 (PCB) ，才能實現實現高電壓、高頻率、快速dV/dt邊沿速率開關的全部性能優(yōu)勢。本文將簡單介紹NCP51820及利用 NCP51820 設計高性能 GaN 半橋柵極驅動電路的 PCB 設計要點。NCP51820 是一款全功能專用驅動器，為充分發(fā)揮高電子遷移率晶體管 (HEMT) GaNFET 的開關性能而
  • 關鍵字： 安森美  GaN  PCB  

納芯微新品，專門用于驅動E?mode（增強型）GaN 開關管的半橋芯片NSD2621

  • 前言現階段的大多數 GaN 電源系統(tǒng)都是由多個芯片組成。GaN 器件在電路板上組裝前采用分立式的元件組裝會產生寄生電感，從而影響器件的性能。例如驅動器會在單獨的芯片上帶有驅動器的分立晶體管，受到驅動器輸出級和晶體管輸入之間以及半橋開關節(jié)點之間的寄生電感的影響，同時GaN HEMT 具有非常高的開關速度，如果寄生電感未被抑制，將會導致信號傳輸的波動。近日，納芯微推出了兩款全新的GaN相關產品，分別是GaN驅動NSD2621，一顆高壓半橋柵極驅動芯片，專門用于驅動E?mode（增強型）GaN 開關管；集成化的
  • 關鍵字： GaN  納芯微  半橋驅動芯片  

納芯微全新推出GaN相關產品NSD2621和NSG65N15K

  • 納芯微全新推出GaN相關產品，包含GaN驅動NSD2621與集成化的Power Stage產品NSG65N15K，均可廣泛適用于快充、儲能、服務器電源等多種GaN應用場景。其中，NSD2621是一顆高壓半橋柵極驅動芯片，專門用于驅動E?mode（增強型）GaN 開關管；NSG65N15K是一顆集成化的Power Stage產品，內部集成了高壓半橋驅動器和兩顆650V耐壓的GaN開關管。NSD2621產品特性： 01. SW引腳耐壓±700V 02. 峰值驅動電流2A/-4A 03.&n
  • 關鍵字： 納芯微  GaN  

基于安森美半導體高頻率準諧振NCP1342搭配GaN的65W PD電源適配器

  • 電源適配器曾在電子產品中占據相當大的空間，而市場對于高功率密度的需求也正日益增高。過去硅(silicon)電源技術的發(fā)展與創(chuàng)新曾大幅縮減產品尺寸，但卻難有更進一步的突破。在現今的尺寸規(guī)格下，硅材料已無法在所需的頻率下輸出更高的功率。對于未來的5G無線網絡、機器人，以及再生能源至數據中心技術，功率將是關鍵的影響因素。GaN作為款能帶隙材質，在電子遷移率遠遠高于硅，輸出電容也大大小于硅，致使其可工作在更高頻率以致變壓器尺寸可以做的更小來實現更高功率的小尺寸電源。?場景應用圖?產品實體圖?方案方塊圖?核心技術優(yōu)
  • 關鍵字： 安森美  NCP1342  PD  QR  高頻率  GaN  
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