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SiC大戰(zhàn)拉開帷幕,中國勝算幾何
- 近些年,隨著電動汽車以及其他系統(tǒng)的增長,碳化硅(SiC)功率半導體市場正在經(jīng)歷需求的突然激增,因此也吸引了產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)企業(yè)的關(guān)注。在產(chǎn)業(yè)應(yīng)用進一步成熟的趨勢下,SiC的爭奪戰(zhàn)正一觸即發(fā)。碳化硅材料之殤SiC器件成本高的一大原因就是SiC襯底貴,目前,襯底成本大約是加工晶片的50%,外延片是25%,器件晶圓生產(chǎn)環(huán)節(jié)20%,封裝測試環(huán)節(jié)5%。SiC襯底不止貴,生產(chǎn)工藝還復(fù)雜,與硅相比,碳化硅很難處理、研磨和鋸切,挑戰(zhàn)非常大。所以大多數(shù)企業(yè)都是從Cree、Rohm等供應(yīng)商購買襯底。SiC器件廣泛用于光伏逆變器、工
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功率半導體-馬達變頻器內(nèi)的關(guān)鍵組件

- 全球有約 30% 的發(fā)電量用于驅(qū)動工業(yè)應(yīng)用中的馬達,而全球工業(yè)產(chǎn)業(yè)消耗的能源量預(yù)期到 2040 年將成長一倍。隨著對能源成本和資源有限的意識不斷提高,未來提升驅(qū)動馬達用電效率的需求將會越來越顯著。
- 關(guān)鍵字: IGBT7 SiC MOSFET 馬達變頻器 功率半導體 英飛凌
以中國帶動世界 意法半導體搶占新能源汽車制高點

- 意法半導體(STMicroelectronics) 以“意法半導體,科技始之于你”為主題亮相2021年慕尼黑上海電子展,展示其行業(yè)領(lǐng)先的智能出行、電源和能源管理、物聯(lián)網(wǎng)和5G產(chǎn)品及解決方案。 作為意法半導體重要的業(yè)務(wù)領(lǐng)域之一,此次展臺的焦點是一輛智能電動轎跑小鵬P7,這款先進的新能源智能汽車的車輛控制單元(VCU)中采用意法半導體的先進的多功能芯片L9788,這是首個集成CAN FD收發(fā)器的U-chip解決方案,符合最高的功能性安全標準,產(chǎn)品競爭優(yōu)勢包括節(jié)省物料清單(BOM)成本、減少印刷電路板(PCB)
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電動汽車BMS的技術(shù)趨勢及恩智浦的解決方案

- 1? ?電動汽車BMS的技術(shù)趨勢對恩智浦而言,我們所觀察到的電動汽車制造商在規(guī)劃整個車型電氣化過程中正在面對如下挑戰(zhàn),這也代表了現(xiàn)在技術(shù)發(fā)展的趨勢。1)? ?電池成本的持續(xù)降低是電動車普及以及車廠盈利的重要決勝點。除電芯降本外,還需要不斷優(yōu)化電子電氣以及機械架構(gòu),并制作支持自動化組裝的生產(chǎn)線,這樣才能提高生產(chǎn)效率。2)? ?延長里程需要提高比能量,縮短充電時間則要增加比功率,在逐漸挑戰(zhàn)比能量和比功率極限的過程中,電池管理功能安全的等級、診斷的精度
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SiC在電動汽車的功率轉(zhuǎn)換中扮演越來越重要的角色

- 1? ?中國新能源汽車市場的需求特點首先,中國的電動化發(fā)展速度很快,中國企業(yè)的創(chuàng)新力旺盛,而且直接從傳統(tǒng)汽車向新能源汽車過渡,沒有美國或歐洲企業(yè)所面臨的復(fù)雜的“技術(shù)遺產(chǎn)”問題。相比歐美,新興的中國車企更期待新能源汽車。在中國,功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)在汽車中的應(yīng)用非常廣泛,這就是為什么ST專注于與中國客戶合作開發(fā)電源管理系統(tǒng)。ST汽車和分立器件產(chǎn)品部大眾市場業(yè)務(wù)拓展負責人公司戰(zhàn)略辦公室成員Giovanni Luca SARICA2? ?SiC在成本上有優(yōu)勢嗎SiC解決方案的成本
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Nexperia推出符合AEC-Q101標準的無引腳CAN-FD保護二極管,具有行業(yè)領(lǐng)先的ESD性能
- 半導體基礎(chǔ)元器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia宣布推出適用于CAN-FD應(yīng)用的新款無引腳ESD保護器件。器件采用無引腳封裝,帶有可濕錫焊接側(cè)焊盤,支持使用AOI工具。PESD2CANFDx系列部件完全符合AEC-Q101標準,同時提供行業(yè)領(lǐng)先的ESD和RF性能,節(jié)省了PCB空間。 Nexperia通過有引腳和無引腳封裝為CAN-FD總線提供硅基ESD保護。帶有可濕錫焊接側(cè)焊盤的全新DFN1412D-3和DFN1110D-3無引腳DFN封裝占用的PCB空間比傳統(tǒng)SOT23和SOT323封裝少
- 關(guān)鍵字: Nexperia CAN-FD 保護二極管
TI為何把首款GaN FET定位于汽車和工業(yè)應(yīng)用

- GaN(氮化鎵)作為新一代半導體材料,正有越來越廣泛的應(yīng)用。近日,德州儀器(TI)宣布其首款帶集成驅(qū)動器、內(nèi)部保護和有源電源管理的GaN FET,分別面向車用充電器和工業(yè)電源,可以實現(xiàn)2倍的功率密度和高達99%的效率。TI如何看待GaN在汽車和工業(yè)方面的機會?此次GaN FET的突破性技術(shù)是什么?為此,電子產(chǎn)品世界記者線上采訪了TI高壓電源應(yīng)用產(chǎn)品業(yè)務(wù)部GaN功率器件產(chǎn)品線經(jīng)理Steve Tom。TI高壓電源應(yīng)用產(chǎn)品業(yè)務(wù)部GaN功率器件產(chǎn)品線經(jīng)理Steve Tom1? ?GaN在電源領(lǐng)
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推動更快、更安全、更高效EV充電器的技術(shù)

- 隨著電動汽車(EV)數(shù)量的增加,對創(chuàng)建更加節(jié)能的充電基礎(chǔ)設(shè)施系統(tǒng)的需求也在日益增長,如此便可更快地為車輛充電。與先前的電動汽車相比,新型電動汽車具有更高的行駛里程和更大的電池容量,因此需要開發(fā)快速直流充電解決方案以滿足快速充電要求。150 kW或200 kW的充電站約需要30分鐘才能將電動汽車充電至80%,行駛大約250 km。根據(jù)聯(lián)合充電系統(tǒng)和Charge de Move標準, 快速DC充電站 可提供高達400 kW的功率。今天,我們將研究驅(qū)動更快、更安全、更高效的充電器的半導體技術(shù)
- 關(guān)鍵字: EV SiC IGBT MOSEFT CMTI
UnitedSiC與益登科技簽署分銷協(xié)議

- 領(lǐng)先的碳化硅(SiC)功率半導體制造商 UnitedSiC 近日宣布與益登科技簽署代理協(xié)議,益登科技是總部位于臺灣的半導體產(chǎn)品主要分銷商和解決方案供應(yīng)商。益登科技將與UnitedSiC合作,助其將產(chǎn)品推向亞洲市場,為包括電動汽車、電池充電、IT基礎(chǔ)設(shè)施、可再生能源和電路保護等高增長應(yīng)用領(lǐng)域的客戶提供產(chǎn)品方案。UnitedSiC全球銷售和營銷副總裁Yalcin BulutUnitedSiC全球銷售和營銷副總裁Yalcin Bulut 表示:“亞洲市場正在迅速崛起,急需采用能夠?qū)崿F(xiàn)新產(chǎn)品差異化的新技術(shù)。益登的
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Microchip推出單對以太網(wǎng)PHY,提供業(yè)界領(lǐng)先的超低TC10休眠電流, 并且支持功能安全

- 以太網(wǎng)架構(gòu)的普及簡化了許多不同應(yīng)用的設(shè)計、配置和控制。對于需要比以前更高數(shù)據(jù)傳輸速度的移動互聯(lián)網(wǎng)來說,這一點尤為重要。車聯(lián)網(wǎng)在很大程度上依賴于局部聯(lián)網(wǎng),在這種網(wǎng)絡(luò)中,一部分設(shè)備處于休眠狀態(tài),按需喚醒。汽車以太網(wǎng)的領(lǐng)導者Microchip Technology Inc.(美國微芯科技公司)今天宣布推出擁有業(yè)界最低休眠電流的以太網(wǎng)物理層收發(fā)器(PHY)LAN8770。這款符合OPEN Alliance TC10休眠標準的收發(fā)器休眠電流小于15 μA(微安),僅為其他同類可用設(shè)備的四分之一。LAN8770&nb
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安森美半導體的碳化硅(SiC)功率模塊 將支持臺達的太陽能光伏逆變器

- 推動高能效創(chuàng)新的安森美半導體(ON Semiconductor),推出一款適用于?太陽能逆變器應(yīng)用?的?全SiC功率模塊?,該產(chǎn)品已被全球領(lǐng)先的電源和熱管理方案供應(yīng)商臺達選用,用于支持其M70A三相光伏組串逆變器。?NXH40B120MNQ系列全SiC功率模塊集成了一個1200 V、40 mΩ SiC MOSFET和具有雙升壓級的1200 V,40 A SiC升壓二極管。 SiC技術(shù)的使用提供了實現(xiàn)太陽能逆變器等應(yīng)用中所要求高能效水平所需的低反向恢復(fù)和快速
- 關(guān)鍵字: MOSFET SiC PIM 光伏逆變器
寬禁帶生態(tài)系統(tǒng):快速開關(guān)和顛覆性的仿真環(huán)境

- 寬禁帶?材料實現(xiàn)了較當前硅基技術(shù)的飛躍。 它們的大帶隙導致較高的介電擊穿,從而降低了導通電阻(RSP)。 更高的電子飽和速度支持高頻設(shè)計和工作,降低的漏電流和更好的導熱性有助于高溫下的工作。安森美半導體提供圍繞寬禁帶方案的獨一無二的生態(tài)系統(tǒng),包含從旨在提高強固性和速度的碳化硅(SiC)二極管、SiC MOSFET到 SiC MOSFET的高端IC門極驅(qū)動器。 除了硬件以外,我們還提供spice物理模型,幫助設(shè)計人員在仿真中實現(xiàn)其應(yīng)用性能,縮短昂貴的測試周期。我們的預(yù)測性離散建??梢赃M行系統(tǒng)級仿真
- 關(guān)鍵字: IC RDS(on) CAD MOSFET SiC MOS
如何搭建可靠的汽車CAN網(wǎng)絡(luò)?

- 廣州金升陽科技有限公司摘 要:將從CAN總線在汽車上的應(yīng)用與設(shè)計,給出可靠的汽車CAN總線解決方案。 關(guān)鍵詞:CAN;汽車;可靠 1 汽車總線系統(tǒng)架構(gòu) 市場調(diào)查表明,現(xiàn)如今大部分乘用車都選用基于CAN的網(wǎng)絡(luò),已占據(jù)整個汽車網(wǎng)絡(luò)協(xié)議的63%以上。目前汽車上各種基于CAN的網(wǎng)絡(luò)通過網(wǎng)關(guān)連接在一起(如圖1)。未來,汽車的儀表盤將會是一個局部CAN網(wǎng)絡(luò),同時也兼顧網(wǎng)關(guān)的功能。 高速CAN網(wǎng)絡(luò)主要用于動力系統(tǒng)的通信,傳輸速率在125 kb/s~1 Mb/s 之間,實現(xiàn)網(wǎng)絡(luò)通訊可以使用滿足ISO11898
- 關(guān)鍵字: 202007 CAN 汽車 可靠
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