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can sic 文章 最新資訊

CISSOID與國芯科技簽署戰(zhàn)略合作協議

  • 各行業(yè)所需高溫半導體解決方案的領導者CISSOID近日宣布：在湖南株洲舉行的中國IGBT技術創(chuàng)新與產業(yè)聯盟第五屆國際學術論壇上，公司與湖南國芯半導體科技有限公司（簡稱“國芯科技”）簽署了戰(zhàn)略合作協議，將攜手開展寬禁帶功率技術的研究開發(fā)，充分發(fā)揮其耐高溫、耐高壓、高能量密度、高效率等優(yōu)勢，并推動其在眾多領域實現廣泛應用。近年來，寬禁帶半導體功率器件（如碳化硅SiC和氮化鎵GaN等）憑借多方面的性能優(yōu)勢，在航空航天、電力傳輸、軌道交通、新能源汽車、智能家電、通信等領域開始逐漸取代傳統硅器件。然而，在各類應用中
  • 關鍵字： IGBT  SiC  GaN  

SiC MOSFET在汽車和電源應用中優(yōu)勢顯著

  • 商用硅基功率MOSFET已有近40年的歷史，自問世以來，MOSFET和IGBT一直是開關電源的主要功率處理控制組件，被廣泛用于電源、電機驅動等電路設計。不過，這一成功也讓MOSFET和IGBT體會到因成功反而受其害的含義。隨著產品整體性能的改善，特別是導通電阻和開關損耗的大幅降低，這些半導體開關的應用范圍越來越廣。結果，市場對這些硅基MOSFET和IGBT的期望越來越高，對性能的要求越來越高。盡管主要的半導體研發(fā)機構和廠商下大力氣滿足市場要求，進一步改進MOSFET/ IGBT產品，但在某些時候，收益遞減
  • 關鍵字： SiC MOSFET  意法半導體  

ST進軍工業(yè)市場，打造豐富多彩的工業(yè)樂園

  • 近日，意法半導體（ST）在華舉辦了“ST工業(yè)巡演2019”。在北京站，ST亞太區(qū)功率分立和模擬產品器件部區(qū)域營銷和應用副總裁Francesco Muggeri分析了工業(yè)市場的特點，并介紹了ST的產品線寬泛且通用性強，能夠提供完整系統的支持。1 芯片廠商如何應對工業(yè)市場少量多樣的挑戰(zhàn)工業(yè)領域呈現多樣、少量的特點，需要改變消費類電子大規(guī)模生產的模式，實現少量、高質量的生產。具體地，工業(yè)的一大挑戰(zhàn)是應用的多樣化，即一個大應用下面通常有很多小的子應用，所以產品會非標準化，即一個產品只能針對某一類小應用/小客戶的需
  • 關鍵字： 電機  MCU  電源  SiC  

ROHM開發(fā)出4引腳封裝的SiC MOSFET “SCT3xxx xR

  • 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都），開發(fā)出6款溝槽柵結構※1）SiC MOSFET “SCT3xxx xR系列”產品（650V／1200V耐壓），非常適用于要求高效率的服務器用電源、太陽能逆變器及電動汽車的充電站等。此次新開發(fā)的系列產品采用4引腳封裝（TO-247-4L），可充分地發(fā)揮出SiC MOSFET本身的高速開關性能。與以往3引腳封裝（TO-247N）相比，開關損耗可降低約35％，非常有助于進一步降低各種設備的功耗。另外，羅姆也已開始供應SiC MOSFET評估板“P02SCT304
  • 關鍵字： SiC  MOSFET  

科銳宣布與德爾?？萍奸_展汽車SiC器件合作

  • 近日，科銳宣布與德爾?？萍迹―elphi Technologies PLC）開展汽車碳化硅（SiC）器件合作。
  • 關鍵字： 科銳  德爾?？萍?/a>  SiC  

SiC: 為何被稱為是新一代功率半導體？

  • 　　王?瑩?（《電子產品世界》編輯，北京?100036）　　SiC(碳化硅)作為第三代半導體，以耐高壓、高溫和高頻，在高性能功率半導體上顯出優(yōu)勢。據SiC廠商羅姆基于IHS的調查顯示，2025年整個市場規(guī)模將達到約23億美元。在應用中，在光伏和服務器市場最大，正處于發(fā)展中的市場是xEV（電動與混動汽車）。隨著SiC產品特性越做越好，在需要更高電壓的鐵路和風電上將會得到更多的應用?！　〔贿^，制約SiC發(fā)展的關鍵是價格，主要原因有兩個：襯底和晶圓尺寸。例如晶圓尺寸越大，成本也會相應地下降，羅姆等公司已經有6英
  • 關鍵字： 201909  新一代功率半導體  SiC  

SiC將達23億美元規(guī)模，技術精進是主攻方向

  • ? ? ? SiC(碳化硅)作為第三代半導體，以耐高壓、高溫和高頻，在高性能功率半導體上顯出優(yōu)勢。在應用中，在光伏和服務器市場最大，正處于發(fā)展中的市場是xEV（電動與混動汽車）。隨著SiC產品特性越做越好，在需要更高電壓的鐵路和風電上將會得到更多的應用。? ? ? 不過，制約SiC發(fā)展的，最主要的是價格，主要原因有兩個，一個是襯底，一個是晶圓尺寸所限。例如晶圓尺寸越大，成本也會相應地下降，ROHM等公司已經有6英寸的晶圓片。在技術方面，眾廠商競爭
  • 關鍵字： SiC  MOSFET  

德州儀器推出業(yè)界新款集成了CAN FD控制器和收發(fā)器的系統基礎芯片

  • CAN FD通信協議是基于原始CAN總線標準（又稱為“經典CAN”）而設計的，有助于確保多種車載網絡數據傳輸率和吞吐量在繼續(xù)演進的同時，汽車微控制器和連接的系統能夠以各種速率高效通信。
  • 關鍵字： 德州儀器  CAN FD控制器  系統基礎芯片  

看好CAN FD車載網絡前景，TI發(fā)布系統基礎芯片

  • ? ? ? CAN FD是一種通信協議，主要用于車載網絡，是CAN總線標準的升級版。自2019年以來，包括中國在內的車廠、一級經銷商（Tier 1）等，紛紛提出了對CAN FD芯片的需求。而在2019年以前，CAN FD幾乎無人問津。究其原因，新能源汽車和自動駕駛汽車對總線帶寬的需求不斷上升。照片：TI接口產品部門產品線經理Charles Sanna? ? ? CAN FD的芯片用量非?？捎^，如果一輛汽車全部采用CAN FD，可能傳統車需要二十個
  • 關鍵字： CAN  FD  

CAN總線冷知識-邊沿臺階是怎么來的？

  • 你了解CAN總線波形嗎？你知道是什么因素造成CAN信號不穩(wěn)定的嗎？本文將帶你探究影響CAN波形穩(wěn)定的罪魁禍首——邊沿臺階。阻抗匹配是指信號源或者傳輸線跟負載之間達到一種適合的搭配，阻抗匹配主要為了調整負載功率和抑制信號反射；然而，阻抗不匹配的現象在CAN總線網絡中隨處可見；如圖1所示，阻抗不匹配的將造成7個現象，其中最受關注的為上升沿和下降沿的臺階；下文將針對邊沿臺階的現象做詳細介紹。圖1  阻抗不匹配波形解釋邊沿臺階是怎么出現的，如何消除，對總線有何影響；一、邊沿臺階的源頭在CAN總線的網絡布
  • 關鍵字： CAN  通信  致遠電子  

更小體積！SMD封裝CAN/RS485/RS232工業(yè)總線隔離收發(fā)模塊

  • 一、產品簡介? ? ? 金升陽近期推出高性價比、SMD封裝、小體積CAN/RS485/RS232隔離總線收發(fā)器——TDx31SCANH(FD)、TDx31S485(H/H-E/H-A)、TDx31S232H系列，協助電力、工控、交通（軌道、汽車）、儀器儀表等行業(yè)的客戶實現信號精準地橋接。該系列進行了產品性能的升級，并提升了工藝制程及可靠性。? ? ? 該系列產品的加工采用全貼片工藝，客戶可輕松實現自動化加工，大大降低加工成本。產品的體積L*W*H
  • 關鍵字： SMD封裝  金升陽  CAN/RS485/RS232  

基于UDS的CAN節(jié)點軟件升級設計

  • Design of CAN node software ypdate based on UDS馬建輝 123 ，慕永云 123 ，侯冬冬 123 ，胡代榮 123 ，朱亮 1（1.齊魯工業(yè)大學（山東省科學院），山東 濟南，250353；2．山東省科學院自動化研究所，山東 濟南，250014；3．山東省汽車電子技術重點實驗室，山東 濟南，250014）?????? 摘要：汽車CAN節(jié)點軟件升級過程中大量頻繁的CAN通信造成網絡負載率升高，可能導致大
  • 關鍵字： 201904  CAN節(jié)點  軟件升級  UDS on CAN  Bootloader  多幀通信  

CAN一致性測試最重要的幾個測試項是什么？

  • 　　CAN一致性測試在于縮小CAN網絡中節(jié)點差異，保證CAN網絡的環(huán)境穩(wěn)定，有效提高CAN網絡的抗干擾能力。因此CAN節(jié)點的一致性測試就顯得尤為重要?！　　　‰S著新能源、智能網聯等概念發(fā)展，車身CAN總線環(huán)境變得復雜及紊亂，CAN節(jié)點質量不穩(wěn)定給主機廠安全性帶來極大威脅。所以，CAN一致性測試已成為保證CAN網絡安全運行的重要手段，CAN一致性測試內容覆蓋了物理層、鏈路層、應用層等測試需求，如表1 CAN一致性測試內容(節(jié)選)所示;其中包括了輸入閾值、輸出電壓、采樣點、位寬容忍度重點測試項目?！　”?
  • 關鍵字： CAN，CANDT  

SiC MOSFET “SCT3xxxxxHR系列”又增10個機型， 產品陣容豐富且支持汽車電子產品可靠性標準AEC-Q101

  • 　　全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都)面向車載充電器和DC/DC轉換器※1)又推出SiC MOSFET※3)“SCT3xxxxxHR系列”共10個機型，該系列產品支持汽車電子產品可靠性標準AEC-Q101※2)，而且產品陣容豐富，擁有13個機型。　　ROHM于2010年在全球率先成功實現SiC MOSFET的量產，在SiC功率元器件領域，ROHM始終在推動領先的產品開發(fā)和量產體制構建。在需求不斷擴大的車載市場，ROHM也及時確立車載品質，并于2012年開始供應車載充電器用的SiC肖特
  • 關鍵字： ROHM  SiC  MOSFET  

安森美半導體將在APEC 2019演示 用先進云聯接的Strata Developer Studio?快速分析電源方案

  • 　　2019年3月14日 — 推動高能效創(chuàng)新的安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON)，將在美國加利福尼亞州阿納海姆舉行的APEC 2019展示由Strata Developer Studio? 開發(fā)平臺支持的新電源方案板。Strata便于快速、簡易評估應用廣泛的電源方案，使用戶能在一個具充分代表性的環(huán)境中查看器件并分析其性能。工程師用此縮小可行器件和系統方案的選擇范圍，且在采購硬件和完成設計之前對系統性能有信心。　　Strata Developer S
  • 關鍵字： 安森美  SiC   
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