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英飛凌推出1200 V CoolSiC MOSFET M1H芯片，以增強(qiáng)特性進(jìn)一步提高系統(tǒng)能效

英飛凌科技股份公司近日發(fā)布了一項(xiàng)全新的CoolSiC?技術(shù)，即CoolSiC? MOSFET 1200 V M1H。這款先進(jìn)的碳化硅（SiC）芯片用于頗受歡迎的Easy模塊系列，以及采用基于.XT互連技術(shù)的分立式封裝，具有非常廣泛的產(chǎn)品組合。M1H芯片具有很高的靈活性，適用于必須滿(mǎn)足峰值電力需求的太陽(yáng)能系統(tǒng)，如光伏逆變器。同時(shí)，這款芯片也是電動(dòng)汽車(chē)快充、儲(chǔ)能系統(tǒng)和其他工業(yè)應(yīng)用的理想選擇。CoolSiC技術(shù)取得的最新進(jìn)展使得柵極驅(qū)動(dòng)電壓窗口明顯增大，從而降低了既定芯片面積下的導(dǎo)通電阻。與此同時(shí)，隨著柵極運(yùn)行
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克服疫情，大灣區(qū)首臺(tái)全自動(dòng)化SiC動(dòng)態(tài)測(cè)試系統(tǒng)在北理汽車(chē)研究院交付

_____日前，泰克攜手方案合作伙伴忱芯科技向北京理工大學(xué)深圳汽車(chē)研究院交付了一臺(tái)全自動(dòng)化SiC功率模塊動(dòng)態(tài)測(cè)試系統(tǒng)，此為今年度向客戶(hù)交付的第五臺(tái)SiC功率模塊動(dòng)態(tài)測(cè)試系統(tǒng)，亦是大灣區(qū)的首臺(tái)全自動(dòng)化SiC功率模塊動(dòng)態(tài)測(cè)試系統(tǒng)。此系統(tǒng)集成了來(lái)自泰克的專(zhuān)門(mén)針對(duì)第三代半導(dǎo)體測(cè)試的硬件設(shè)備，從而解決了“測(cè)不準(zhǔn)”、“測(cè)不全”、“不可靠”這三個(gè)難題的挑戰(zhàn)。忱芯作為泰克科技的解決方案合作伙伴，在去年“碳化硅功率半導(dǎo)體及應(yīng)用研討會(huì)”上結(jié)成了全范圍的戰(zhàn)略合作聯(lián)盟，進(jìn)行深度整合資源，圍繞寬禁帶功率半導(dǎo)體測(cè)試領(lǐng)域開(kāi)展全產(chǎn)業(yè)鏈的
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日本電產(chǎn)伺服推出搭載Can-Bus通信功能的自動(dòng)售貨機(jī)專(zhuān)用電機(jī)

日本電產(chǎn)伺服株式會(huì)社正式推出搭載有Can-Bus通信功能的無(wú)刷直流電機(jī)。該電機(jī)主要用于自動(dòng)售貨機(jī)的推貨機(jī)構(gòu)。“搭載有Can-Bus通信功能的無(wú)刷直流電機(jī)”Can-Bus (Controller Area Network-Bus：控制器局域網(wǎng)總線(xiàn)技術(shù)) 是一種被稱(chēng)之為車(chē)用總線(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)的、使汽車(chē)、火車(chē)內(nèi)部的組件相互連接的內(nèi)部通信網(wǎng)絡(luò)。其特點(diǎn)是微控制器和設(shè)備無(wú)需主機(jī)即可相互通信。Can-Bus最初是為汽車(chē)內(nèi)部的多路復(fù)用電氣配線(xiàn)設(shè)計(jì)的，被要求具有抗噪音性，現(xiàn)在被廣泛用于傳輸設(shè)備中的控制信息，也用于運(yùn)輸設(shè)備、機(jī)床等機(jī)器
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ROHM建立8V閘極耐壓150V GaN HEMT量產(chǎn)體制

半導(dǎo)體制造商ROHM已建立150V耐壓GaN HEMT GNE10xxTB系列（GNE1040TB）?的量產(chǎn)體制，該系列產(chǎn)品的閘極耐壓（閘極-源極間額定電壓）高達(dá)8V，非常適用于基地臺(tái)、數(shù)據(jù)中心等工控設(shè)備和各類(lèi)型IoT通訊裝置的電源電路。 EcoGaN首波產(chǎn)品 GNE10xxTB系列?有助基地臺(tái)和數(shù)據(jù)中心實(shí)現(xiàn)低功耗和小型化一般來(lái)說(shuō)，GaN組件具有優(yōu)異的低導(dǎo)通電阻和高速開(kāi)關(guān)性能，有助降低各種電源功耗和實(shí)現(xiàn)外圍組件小型化。但其閘極耐壓很低，因此在開(kāi)關(guān)工作時(shí)的組件可靠性方面尚存在課題。針對(duì)該課題，RO
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羅姆SiC評(píng)估板測(cè)評(píng)：快充測(cè)試

一、測(cè)試工裝準(zhǔn)備1、P02SCT3040KR-EVK-001測(cè)試板2、電壓源3、示波器4、負(fù)載儀二、測(cè)試項(xiàng)目進(jìn)行1、安裝 SIC后的空載波形SiC安裝空載波形空板，空載GS 為100hz 25V 信號(hào)2、DCDC 在線(xiàn)測(cè)試1）空載測(cè)試驅(qū)動(dòng)空載輸出12V，gs驅(qū)動(dòng)為200hz總寬度3.6uS的錐形信號(hào)2）加載 24轉(zhuǎn)55V 2A dcdc驅(qū)動(dòng)信號(hào)波形如下：帶載 6.6k 15V驅(qū)動(dòng)信號(hào)單脈沖寬度，3uS左右總結(jié)由于輕負(fù)載，溫度始終未超過(guò)50度。開(kāi)關(guān)速度方面優(yōu)于硅基產(chǎn)品，以后有對(duì)應(yīng)設(shè)備
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羅姆SiC評(píng)估板測(cè)評(píng)：射頻熱凝控制儀測(cè)試

測(cè)試設(shè)備①直流電源由于手上沒(méi)有高電壓的直流電源，只能使用一般的電源，且手上只有一個(gè)低壓直流穩(wěn)壓源，所以這穩(wěn)壓電源既用于給開(kāi)發(fā)板電源供電，又用于半橋母線(xiàn)電源。②電子負(fù)載半橋電源電源的輸出負(fù)載，可恒流或者恒壓或者恒負(fù)載，測(cè)試電源的帶載能力非常好用。③信號(hào)發(fā)生器產(chǎn)生不同頻率的可調(diào)制的方波信號(hào)，用于MOS管的驅(qū)動(dòng)④示波器觀察驅(qū)動(dòng)信號(hào)、輸出信號(hào)、MOS管的波形⑤萬(wàn)用表測(cè)量各測(cè)試點(diǎn)的電壓⑥溫度巡檢儀測(cè)量帶載后MOS管的溫度測(cè)試拓?fù)鋵⒄f(shuō)明書(shū)中電路按照上述描述修改：兩個(gè)直流電源換成CBB電容，在Hvdc母線(xiàn)上加上12V電
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羅姆SiC評(píng)估板測(cè)評(píng)：基于碲化鎘弱光發(fā)電玻璃的高效功率變換技術(shù)研究

感謝ROHM公司提供的P02SCT3040KR-EVK-001評(píng)估板，有幸參與評(píng)估板的測(cè)試。拿到評(píng)估板的第一感覺(jué)就是扎實(shí)，評(píng)估板四層PCB的板子厚度達(dá)到了30mm；高壓區(qū)域也有明顯的標(biāo)識(shí)。
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SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)解析

本文將對(duì)SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)和工作進(jìn)行介紹。
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碳化硅MOSFET晶體管的特征

功率轉(zhuǎn)換電路中的晶體管的作用非常重要，為進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)低損耗與應(yīng)用尺寸小型化，一直在進(jìn)行各種改良。
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SiC-SBD與Si-PND的正向電壓比較

本文對(duì)二極管最基本的特性–正向電壓VF特性的區(qū)別進(jìn)行說(shuō)明。
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SiC-SBD與Si-PND的反向恢復(fù)特性比較

反向恢復(fù)特性是二極管、特別是高速型二極管的基本且重要的參數(shù)，所以不僅要比較trr的數(shù)值，還要理解其波形和溫度特性，這樣有助于有效使用二極管。
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SiC肖特基勢(shì)壘二極管的特征，及與Si二極管的比較

繼SiC功率元器件的概述之后，將針對(duì)具體的元器件進(jìn)行介紹。首先從SiC肖特基勢(shì)壘二極管開(kāi)始。
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SiC功率元器件的開(kāi)發(fā)背景和優(yōu)點(diǎn)

SiC功率元器件具有優(yōu)于Si功率元器件的更高耐壓、更低導(dǎo)通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來(lái)將針對(duì)SiC的開(kāi)發(fā)背景和具體優(yōu)點(diǎn)進(jìn)行介紹。
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什么是碳化硅？SiC的特性和特征

碳化硅（SiC）是比較新的半導(dǎo)體材料。本文來(lái)了解一下它的物理特性和特征。
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ST先進(jìn)SiC牽引電機(jī)逆變器解決方案

意法半導(dǎo)體（ST）作為全球領(lǐng)先的汽車(chē)半導(dǎo)體供應(yīng)商之一，多年前就開(kāi)始布局新能源汽車(chē)領(lǐng)域，在2019年正式成立新能源車(chē)技術(shù)創(chuàng)新中心，推出了SiC牽引電機(jī)逆變器的整體解決方案。該方案按照功能安全I(xiàn)S026262標(biāo)準(zhǔn)流程開(kāi)發(fā)，滿(mǎn)足ASIL D等級(jí)。基于AutoSAR的軟件架構(gòu)和模型化的軟件算法，為客戶(hù)前期方案評(píng)估和后續(xù)開(kāi)發(fā)提供了便利，大大縮短了整個(gè)研發(fā)周期。
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