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三星將停產(chǎn)MLC NAND,未來聚焦TLC和QLC技術(shù)

  • 據(jù)消息人士透露,三星計劃在下個月停止接收MLC NAND芯片的訂單,標志著其將逐步退出MLC NAND(多層單元NAND)業(yè)務(wù)。同時,三星還提高了MLC NAND的價格,促使部分客戶開始尋找替代供應(yīng)商。LG顯示(LG Display)正是受影響的客戶之一。該公司此前在其用于大型OLED面板的4GB eMMC(嵌入式多媒體卡)中使用三星的MLC NAND。目前,LG顯示正在尋求其他供應(yīng)商,以填補這一空缺。據(jù)悉,LG顯示此前的eMMC產(chǎn)品還使用了ESMT和鎧俠的產(chǎn)品。其中,ESMT的eMMC采用了三星的MLC
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臺積電CoWoS間接讓BT載板基材喊缺? NAND主控芯片漲價蠢動

  • 業(yè)界傳出,全球BT載板用基材龍頭的日本三菱瓦斯化學株式會社(MGC),近日向客戶發(fā)出BT材料「延遲交付」通知。 隨著原料缺貨日益嚴峻,載板供應(yīng)中長期將出現(xiàn)短缺。 供應(yīng)鏈業(yè)者同步透露,金價持續(xù)上漲、產(chǎn)品交期延長,NAND Flash控制芯片等領(lǐng)域,也可望轉(zhuǎn)嫁成本上漲,包括群聯(lián)、慧榮等主控業(yè)者有機會受惠。多家BT載板業(yè)者證實,確實2025年5月上旬時,陸續(xù)接獲日本MGC書面通知,部分高階材料訂單交期將進一步拉長,顯示先前傳出ABF載板材料供不應(yīng)求的情形,已進一步向BT載板供應(yīng)鏈蔓延。據(jù)三菱發(fā)出的通知內(nèi)容指出,
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閃存,是如何工作的?

  • NAND閃存將單元串聯(lián)排列以實現(xiàn)高密度存儲,優(yōu)先考慮寫入/擦除速度而不是直接尋址。
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閃迪提議HBF取代HBM,在邊緣實現(xiàn) AI

  • Sandisk Corp. 正在尋求 3D-NAND 閃存的創(chuàng)新,該公司聲稱該創(chuàng)新可以取代基于 DRAM 的 HBM(高帶寬內(nèi)存)用于 AI 推理應(yīng)用。當 Sandisk 于 2025 年 2 月從數(shù)據(jù)存儲公司 Western Digital 分拆出來時,該公司表示,它打算在提供閃存產(chǎn)品的同時追求新興顛覆性內(nèi)存技術(shù)的開發(fā)。在 2 月 11 日舉行的 Sandisk 投資者日上,即分拆前不久,即將上任的內(nèi)存技術(shù)高級副總裁 Alper Ilkbahar 介紹了高帶寬閃存以及他稱之為 3D 矩陣內(nèi)存的東西。在同
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兆易創(chuàng)新推出GD5F1GM9系列高速Q(mào)SPI NAND Flash

  • 業(yè)界領(lǐng)先的半導體器件供應(yīng)商兆易創(chuàng)新GigaDevice近日宣布推出GD5F1GM9系列高速Q(mào)SPI NAND Flash,該系列以其突破性的讀取速度和創(chuàng)新的壞塊管理(BBM)功能,可有效解決傳統(tǒng)SPI NAND Flash響應(yīng)速度慢、易受壞塊干擾的行業(yè)痛點。作為一種巧妙融合了NOR Flash高速讀取優(yōu)勢與NAND Flash大容量、低成本優(yōu)勢的新型解決方案,GD5F1GM9系列的面世將為SPI NAND Flash帶來新的發(fā)展機遇,成為安防、工業(yè)、IoT等快速啟動應(yīng)用場景的理想之選。GD5F1GM9系列
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兆易創(chuàng)新推出GD5F1GM9系列高速Q(mào)SPI NAND Flash, 突破性讀取速度,助力應(yīng)用快速啟動

  • 近日,兆易創(chuàng)新宣布推出GD5F1GM9系列高速Q(mào)SPI NAND Flash,該系列以其突破性的讀取速度和創(chuàng)新的壞塊管理(BBM)功能,可有效解決傳統(tǒng)SPI NAND Flash響應(yīng)速度慢、易受壞塊干擾的行業(yè)痛點。作為一種巧妙融合了NOR Flash高速讀取優(yōu)勢與NAND Flash大容量、低成本優(yōu)勢的新型解決方案,GD5F1GM9系列的面世將為SPI NAND Flash帶來新的發(fā)展機遇,成為安防、工業(yè)、IoT等快速啟動應(yīng)用場景的理想之選。GD5F1GM9系列高速Q(mào)SPI NAND Flash采用24n
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美光、SK海力士跟隨中!三星對內(nèi)存、閃存產(chǎn)品提價3-5%:客戶已開始談判新合同

  • 4月7日消息,據(jù)國外媒體報道稱,三星公司領(lǐng)導層將對主要全球客戶提高內(nèi)存芯片價格——從當前水平提高3-5%。在三星看來,“需求大幅增長”導致DRAM、NAND閃存和HBM產(chǎn)品組合的價格上漲,預(yù)計2025年和2026年價格都會上漲。一位不愿透露姓名的半導體業(yè)內(nèi)人士表示:去年全年供應(yīng)過剩,但隨著主要公司開始減產(chǎn),供應(yīng)量最近有所下降,目前三星漲價后部分新合同的談判已然啟動。此外,人工智能 (AI) 設(shè)備在中國接連出現(xiàn),由于工業(yè)自動化,對半導體的需求正在逐漸增加。市場研究機構(gòu)DRAMeXchange給出的統(tǒng)計顯示,
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SK海力士完成對英特爾NAND業(yè)務(wù)的收購

  • 據(jù)韓媒報道,根據(jù)SK海力士向韓國金融監(jiān)管機構(gòu)FSS披露的文件,該企業(yè)已完成了收購英特爾NAND閃存及SSD業(yè)務(wù)案的第二階段,交易正式完成。據(jù)了解,第一階段完成于2021年12月30日,SK海力士當時支付了78422億韓元,從英特爾接管SSD業(yè)務(wù)及其位于中國大連NAND閃存制造廠的資產(chǎn)。而在第二階段中,SK海力士以32783億韓元(約合人民幣163億元)的對價取得了包括NAND閃存晶圓的生產(chǎn)及設(shè)計相關(guān)的知識產(chǎn)權(quán)、研發(fā)人員以及大連工廠的員工在內(nèi)的其余相關(guān)有形/無形資產(chǎn)。
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AI推理應(yīng)用爆發(fā)推升QLC NAND Flash市場需求

  • AI推論快速成長,QLC NAND Flash成為企業(yè)級儲存解決方案的新寵。 相較于傳統(tǒng)的TLC NAND,QLC具備更高存儲密度與更低成本,適合以讀取為主的AI推論工作負載。 法人分析,臺廠如群聯(lián)、威剛、宇瞻等存儲器模組廠,有望從中受惠。根據(jù)調(diào)研機構(gòu)預(yù)測,2025年QLC NAND產(chǎn)能將達250.48億Gb,占NAND總產(chǎn)能的22.2%,滲透率逐步提升。AI推論服務(wù)器主要負責分析以及處理大量數(shù)據(jù),而這類應(yīng)用訪問模式以讀取為主,寫入頻率相對較低,正好契合QLC SSD的特性。QLC NAND有更高存儲密度
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存儲市場復(fù)蘇,關(guān)鍵看AI

  • 存儲市場新一輪的逆風,始于 2024 年下半年。邁入 2025 年 3 月,市場已顯露出一些微妙變化。NAND 廠商,集體漲價近日,全球知名存儲芯片廠商閃迪向客戶發(fā)出漲價函,宣布自 4 月 1 日起,旗下產(chǎn)品將全面漲價,整體漲幅超 10%,此次調(diào)價覆蓋所有渠道及消費類產(chǎn)品。閃迪還透露,將持續(xù)審查定價,后續(xù)季度或有額外漲幅。繼閃迪后,美光、三星、SK 海力士等 NAND 廠商也計劃將于 4 月漲價。從供應(yīng)方面,美光今年新加坡 NAND 廠發(fā)生停電,也影響了供貨。NAND Flash 控制芯片廠商群聯(lián)也透露,
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美光斷電減產(chǎn) NAND原廠4月提前調(diào)漲

  • NAND Flash價格由谷底翻漲正蓄勢待發(fā),繼SanDisk日前發(fā)函通知4月1日將調(diào)漲報價,近期市場傳出,美光(Micron)、三星電子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)以及中國的存儲廠均將從4月起提高報價。由于二大韓廠減產(chǎn)措施發(fā)酵,美光日前新加坡NAND廠發(fā)生跳電,導致NAND供貨轉(zhuǎn)趨吃緊,長江存儲旗下SSD品牌也將于4月起調(diào)漲代理價格,漲幅可望將超過10%,全球各大原廠不約而同推動漲價,NAND價格回漲速度優(yōu)于原先預(yù)期。存儲器業(yè)界觀察,近期整體終端市場的需求并
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兆易創(chuàng)新推出GD25NE系列SPI NOR Flash

  • 業(yè)界領(lǐng)先的半導體器件供應(yīng)商兆易創(chuàng)新GigaDevice近日宣布推出專為1.2V SoC應(yīng)用打造的雙電壓供電SPI NOR Flash產(chǎn)品——GD25NE系列。該系列產(chǎn)品無需借助外部升壓電路即可與下一代1.2V SoC實現(xiàn)無縫兼容,此產(chǎn)品的面世將進一步強化兆易創(chuàng)新在雙電壓供電閃存解決方案領(lǐng)域的戰(zhàn)略布局。憑借更高的性能和更低的功耗,GD25NE系列可充分滿足市場對于先進嵌入式存儲解決方案日益增長的需求,成為智能可穿戴設(shè)備、醫(yī)療健康、物聯(lián)網(wǎng)、數(shù)據(jù)中心及邊緣人工智能應(yīng)用的理想選擇。GD25NE系列SPI NOR
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SK海力士完成與英特爾的最終交割

  • SK海力士將于2025年3月(協(xié)議預(yù)設(shè)的最早時間點)支付收購尾款,完成與英特爾NAND閃存業(yè)務(wù)的最終交割。隨著交易的完成,將加強SK海力士在全球NAND閃存市場的地位,尤其是企業(yè)級固態(tài)硬盤(SSD)方面。隨著AI技術(shù)的普及和應(yīng)用,存儲需求正在不斷增長,HBM領(lǐng)域的領(lǐng)導者SK海力士卻沒有停止擴張的步伐,這次收購將使SK海力士與競爭對手三星展開直接競爭。· 2020年10月,SK海力士與英特爾達成協(xié)議,宣布以90億美元收購其NAND閃存及存儲業(yè)務(wù);· 2021年12月,第一階段的交易完成,SK海力士支付70億
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十年磨一劍:三星引入長江存儲專利技術(shù)

  • 近日,三星與長江存儲(YMTC)簽署了3D NAND混合鍵合(Hybrid Bonding)相關(guān)專利許可協(xié)議。不過,目前尚不清楚三星是否也獲得了Xperi等其他公司的專利許可。三星從第10代V-NAND(V10)將開始采用NAND陣列和外圍CMOS邏輯電路分別在兩塊獨立的硅片上制造,因此需要長江存儲的專利技術(shù)W2W(Wafer-to-Wafer)混合鍵合技術(shù)實現(xiàn)?——?通過直接將兩片晶圓貼合,省去了傳統(tǒng)的凸點連接,形成間距為10μm及以下的互連。從而使得電路路徑變得更短,顯著提高了傳輸
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NAND Flash市況 有望6月復(fù)蘇

  • NAND Flash控制芯片廠慧榮科技總經(jīng)理茍嘉章預(yù)期,NAND Flash市況將于6月好轉(zhuǎn),下半年表現(xiàn)將優(yōu)于上半年,甚至不排除供應(yīng)吃緊的可能性。茍嘉章指出,2025年第一季NAND Flash雖小幅下跌,但供應(yīng)商已開始堅守價格,避免市場陷入低迷行情。他強調(diào),供應(yīng)商根據(jù)市場狀況自然調(diào)節(jié)供給,是NAND Flash供需好轉(zhuǎn)的主因之一,2025年NAND Flash位元供給,估計將增加上看20%。美國商務(wù)部對出口至中國大陸的存儲器制造設(shè)備實施管制,也將延緩中國大陸廠商在DRAM領(lǐng)域的擴張步伐。盡管中國大陸部分
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