n3p 工藝 文章 最新資訊
英特爾14A工藝：依賴外部客戶 不成功便成仁
- 隨著英特爾暫緩向客戶推廣該公司的18A制造工藝（1.8納米級），轉(zhuǎn)而將精力轉(zhuǎn)向下一代14A制造工藝（1.4納米級），英特爾14A的工藝進展就成為業(yè)界關(guān)注的新焦點。該節(jié)點預計將于2027年做好風險生產(chǎn)準備，并于2028年做好量產(chǎn)準備。 英特爾在半導體代工領(lǐng)域的未來極有可能取決于下一代英特爾14A工藝節(jié)點能否獲得蘋果和英偉達等主要客戶的認可，首席執(zhí)行官陳立武強調(diào)了客戶合作在14A工藝研發(fā)過程中的重要意義，并警告說如果沒有重大承諾，英特爾可能會停止 14A 的開發(fā)，并有可能退出代工業(yè)務。如果英特爾真的
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CellWise 以 23.7 億瑞典克朗的價格出售其海外工廠的控制股權(quán)
- 2025 年 6 月 13 日，CellWise 發(fā)布了一份關(guān)于重大資產(chǎn)出售的草案報告摘要，稱其計劃將其全資子公司 Silex Sweden 的控制權(quán)轉(zhuǎn)讓給包括 Bure 和 Creades 在內(nèi)的七家買家。具體而言，CellWise 的全資子公司將向 Silex Sweden 轉(zhuǎn)讓 441,0115 股——相當于交易后總股本的 45.24%——以現(xiàn)金形式進行。根據(jù)公告，該交易的定價為23.75億瑞典克朗。交易前，CellWise 通過其子公司持有 Silex Sweden 的 100%股權(quán)，使 Sile
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X-FAB 擴展 180nm 工藝，推出新的 SPAD 隔離類別
- X-FAB 硅晶圓廠 SE 在其 180nm XH018 半導體工藝中發(fā)布了一種新的隔離類別，該工藝支持更緊湊和高效的單光子雪崩二極管（SPAD）實現(xiàn)。新的隔離類別可以實現(xiàn)更緊密的功能集成、更高的像素密度和更高的填充因子，從而減小芯片面積。SPAD 是許多新興應用中的關(guān)鍵組件，包括自動駕駛汽車的激光雷達、3D 成像、AR/VR 系統(tǒng)的深度感知、量子通信和生物醫(yī)學傳感。X-FAB 已經(jīng)在其 180nm XH018 平臺上提供多個 SPAD 器件，其有效面積從 10 μm 到 20 μm 不等。這包括一個近紅
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聚合物波導提高了 CPO 共封裝光學
- 日本的研究人員開發(fā)了一種聚合物波導，其性能與現(xiàn)有復雜芯片封裝中的共封裝光學（CPO）方法相似。這可以降低將光學連接添加到芯片封裝中的成本，以減少功耗并提高數(shù)據(jù)速率。CPO 系統(tǒng)需要激光源才能運行，該激光源可以是直接集成到硅光子芯片（PIC）中，也可以是外部提供。雖然集成激光源允許更多連接，但確保一致性可靠性可能具有挑戰(zhàn)性，這可能影響整體系統(tǒng)魯棒性。另一方面，在 CPO 中使用外部激光源（ELS）可以提高系統(tǒng)可靠性。由日本國立先進工業(yè)科學技術(shù)研究所的 Satoshi Suda 博士領(lǐng)導的研究團隊測試了在玻璃
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臺積電可能對1.6nm工藝晶圓漲價5成
- 隨著臺積電準備在今年晚些時候開始采用其 N2（2nm 級）工藝技術(shù)制造芯片，關(guān)于 N2 晶圓定價以及后續(xù)節(jié)點定價的傳言已經(jīng)出現(xiàn)。我們已經(jīng)知道，據(jù)報道，臺積電計劃對使用其 N30,000 技術(shù)加工的晶圓收取高達 2 美元的費用，但現(xiàn)在《中國時報》報道稱，該公司將對“更先進的節(jié)點”收取每片晶圓高達 45,000 美元的費用，據(jù)稱這指向該公司的 A16（1.6nm 級）節(jié)點。2nm 生產(chǎn)成本高“臺積電的 2nm 芯片晶圓代工價格已飆升至每片晶圓 30,000 美元，據(jù)傳 [更多] 先進節(jié)點將達到 45,000
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芯片的先進封裝會發(fā)展到4D？
- 電子集成技術(shù)分為三個層次，芯片上的集成，封裝內(nèi)的集成，PCB板級集成，其代表技術(shù)分別為SoC，SiP和PCB（也可以稱為SoP或者SoB）芯片上的集成主要以2D為主，晶體管以平鋪的形式集成于晶圓平面；同樣，PCB上的集成也是以2D為主，電子元器件平鋪安裝在PCB表面，因此，二者都屬于2D集成。而針對于封裝內(nèi)的集成，情況就要復雜得多。電子集成技術(shù)分類的兩個重要依據(jù)：1.物理結(jié)構(gòu)，2.電氣連接(電氣互連)。目前先進封裝中按照主流可分為2D封裝、2.5D封裝、3D封裝三種類型。2D封裝012D封裝是指在基板的表
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工藝沒搞定！蘋果取消iPhone 17 Pro系列屏幕抗刮抗反射涂層
- 4月29日消息，據(jù)MacRumors報道，蘋果原計劃為iPhone 17 Pro的屏幕配備抗刮抗反射涂層，目前已經(jīng)取消。消息稱，蘋果在擴大顯示屏涂層工藝方面遇到了問題。此前考慮到Apple生產(chǎn)的數(shù)百萬臺設備，為iPhone顯示屏添加防反射涂層的過程太慢了，因此即使它只計劃用于Pro機型，今年似乎仍然不可行。三星早在Galaxy S24 Ultra上就開始使用Gorilla Glass Armor面板，也是同類型技術(shù)，可以將反射減少75%，在強光、燈光下保持屏幕清晰可見。目前市面上流行的一種AR貼膜就使用了
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英特爾18A工藝雄心遇挫？旗艦2納米芯片據(jù)稱將外包給臺積電生產(chǎn)
- 財聯(lián)社4月23日訊（編輯 馬蘭）據(jù)媒體報道，英特爾正委托臺積電使用其2納米制程生產(chǎn)Nova Lake CPU?？紤]到英特爾自己擁有18A工藝，且一直宣傳該工藝勝過臺積電的2納米技術(shù)，這份代工合同可能透露出一些引人深思的訊號。英特爾聲稱將為客戶提供最好的產(chǎn)品，而這可能是其將Nova Lake生產(chǎn)外包給臺積電的一個原因。但業(yè)內(nèi)也懷疑，既然18A工藝已經(jīng)投入了試生產(chǎn)，英特爾將生產(chǎn)外包可能是由于產(chǎn)能需求的驅(qū)動，而不是性能或回報等方面的問題。還有傳言稱，英特爾可能采取雙源戰(zhàn)略：既使用臺積電的2納米技術(shù)生產(chǎn)旗艦產(chǎn)品，
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創(chuàng)意推全球首款HBM4 IP 于臺積電N3P制程成功投片
- 創(chuàng)意2日宣布，自主研發(fā)的HBM4控制器與PHY IP完成投片，采用臺積電最先進N3P制程技術(shù)，并結(jié)合CoWoS-R先進封裝，成為業(yè)界首個實現(xiàn)12 Gbps數(shù)據(jù)傳輸速率之HBM4解決方案，為AI與高效能運算（HPC）應用樹立全新里程碑。HBM4 IP以創(chuàng)新中間層（Interposer）布局設計優(yōu)化信號完整性（SI）與電源完整性（PI），確保在CoWoS系列封裝技術(shù)下穩(wěn)定運行于高速模式。 創(chuàng)意指出，相較前代HBM3，HBM4 PHY（實體層）效能顯著提升，帶寬提升2.5倍，滿足巨量數(shù)據(jù)傳輸需求、功耗效率提升1
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展望2nm工藝的可持續(xù)性
- 隨著半導體制造復雜性的不斷增加，相關(guān)的排放量正在以驚人的速度增長。TechInsights Manufacturing Carbon Module?數(shù)據(jù)顯示，位于俄勒岡州的下一代 2nm 晶圓廠將生產(chǎn) ~30 萬 MtCO2e 每年消耗超過 400 GWh 的電力。鑒于對電力和范圍 2 排放的依賴，晶圓廠選址也起著重要作用，位于臺灣的同等晶圓廠每年產(chǎn)生的排放量幾乎是其三倍。有勝利。具有高晶體管密度的精細工藝可以大大減少每個晶體管的輻射。半導體制造的碳中和是可能的，但正如我們將要展示的那樣，這需要
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英特爾突破關(guān)鍵制程技術(shù)：Intel 18A兩大核心技術(shù)解析
- 半導體芯片制程技術(shù)的創(chuàng)新突破，是包括英特爾在內(nèi)的所有芯片制造商們在未來能否立足AI和高性能計算時代的根本。年內(nèi)即將亮相的Intel 18A，不僅是為此而生的關(guān)鍵制程技術(shù)突破，同時還肩負著讓英特爾重回技術(shù)創(chuàng)新最前沿的使命。那么Intel 18A為何如此重要？它能否成為助力英特爾重返全球半導體制程技術(shù)創(chuàng)新巔峰的“天命人”？RibbonFET全環(huán)繞柵極晶體管技術(shù)與PowerVia背面供電技術(shù)兩大關(guān)鍵技術(shù)突破，會給出世界一個答案。攻克兩大技術(shù)突破 實力出色RibbonFET全環(huán)繞柵極晶體管技術(shù)，是破除半
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英特爾澄清：Intel 18A制程產(chǎn)品將于今年下半年如期發(fā)布
- 據(jù)外媒報道，近日，英特爾投資者關(guān)系副總裁John Pitzer在公開澄清了關(guān)于基于Intel 18A制程的首款產(chǎn)品——Panther Lake推遲發(fā)布的傳聞。他表示，Panther Lake仍按計劃于今年下半年發(fā)布，發(fā)布時間并未改變，且英特爾對于目前的進展非常有信心。報道中稱，John Pitzer表示當前Panther Lake的良率水平甚至比同期Meteor Lake開發(fā)階段的表現(xiàn)還要略勝一籌。幾周前有技術(shù)論文指出， Intel 18A制程的SRAM密度表現(xiàn)已與臺積電N2工藝相當?！半m然技術(shù)比較存在多
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三星 SF4X 工藝獲 IP 生態(tài)支持：Blue Cheetah 流片 D2D 互聯(lián) PHY
- 1 月 22 日消息，半導體互聯(lián) IP 企業(yè) Blue Cheetah 美國加州當?shù)貢r間昨日表示，其新一代 BlueLynx D2D 裸晶對裸晶互聯(lián) PHY 物理層芯片在三星 Foundry 的 SF4X 先進制程上成功流片（Tape-Out）。Blue Cheetah 在三星 SF4X 上制得的 D2D PHY 支持高級 2.5D 和標準 2D 芯粒封裝，總吞吐量突破 100 Tbps 大關(guān)，同時在面積和功耗表現(xiàn)上處于業(yè)界領(lǐng)先水平，將于 2025 年第二季度初在封裝應用中接受硅特性分析。Blue Che
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高通驍龍 8 至尊版 2 芯片曝料：單核破 4000 分，多核提升超 20%
- 11 月 12 日消息，消息源 Jukanlosreve 昨日（11 月 11 日）在 X 平臺發(fā)布推文，曝料稱高通第二代驍龍 8 至尊版芯片在 GeekBench 6 單核成績突破 4000 分，多核性能比初代驍龍 8 至尊版提升 20%。援引消息源信息，高通第二代驍龍 8 至尊版芯片（高通驍龍 8Gen 5）將混合使用三星的 SF2 代工和臺積電的 N3P 工藝。消息源還透露高通第二代驍龍 8 至尊版芯片和聯(lián)發(fā)科天璣 9500 芯片均支持可擴展矩陣擴展（Scalable Matrix Extensio
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