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EEPW首頁 >> 主題列表 >> n3p 工藝

聚合物波導(dǎo)提高了 CPO 共封裝光學(xué)

  • 日本的研究人員開發(fā)了一種聚合物波導(dǎo)，其性能與現(xiàn)有復(fù)雜芯片封裝中的共封裝光學(xué)（CPO）方法相似。這可以降低將光學(xué)連接添加到芯片封裝中的成本，以減少功耗并提高數(shù)據(jù)速率。CPO 系統(tǒng)需要激光源才能運行，該激光源可以是直接集成到硅光子芯片（PIC）中，也可以是外部提供。雖然集成激光源允許更多連接，但確保一致性可靠性可能具有挑戰(zhàn)性，這可能影響整體系統(tǒng)魯棒性。另一方面，在 CPO 中使用外部激光源（ELS）可以提高系統(tǒng)可靠性。由日本國立先進工業(yè)科學(xué)技術(shù)研究所的 Satoshi Suda 博士領(lǐng)導(dǎo)的研究團隊測試了在玻璃
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臺積電可能對1.6nm工藝晶圓漲價5成

  • 隨著臺積電準(zhǔn)備在今年晚些時候開始采用其 N2（2nm 級）工藝技術(shù)制造芯片，關(guān)于 N2 晶圓定價以及后續(xù)節(jié)點定價的傳言已經(jīng)出現(xiàn)。我們已經(jīng)知道，據(jù)報道，臺積電計劃對使用其 N30,000 技術(shù)加工的晶圓收取高達 2 美元的費用，但現(xiàn)在《中國時報》報道稱，該公司將對“更先進的節(jié)點”收取每片晶圓高達 45,000 美元的費用，據(jù)稱這指向該公司的 A16（1.6nm 級）節(jié)點。2nm 生產(chǎn)成本高“臺積電的 2nm 芯片晶圓代工價格已飆升至每片晶圓 30,000 美元，據(jù)傳 [更多] 先進節(jié)點將達到 45,000
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芯片的先進封裝會發(fā)展到4D？

  • 電子集成技術(shù)分為三個層次，芯片上的集成，封裝內(nèi)的集成，PCB板級集成，其代表技術(shù)分別為SoC，SiP和PCB（也可以稱為SoP或者SoB）芯片上的集成主要以2D為主，晶體管以平鋪的形式集成于晶圓平面；同樣，PCB上的集成也是以2D為主，電子元器件平鋪安裝在PCB表面，因此，二者都屬于2D集成。而針對于封裝內(nèi)的集成，情況就要復(fù)雜得多。電子集成技術(shù)分類的兩個重要依據(jù)：1.物理結(jié)構(gòu)，2.電氣連接(電氣互連)。目前先進封裝中按照主流可分為2D封裝、2.5D封裝、3D封裝三種類型。2D封裝012D封裝是指在基板的表
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工藝沒搞定！蘋果取消iPhone 17 Pro系列屏幕抗刮抗反射涂層

  • 4月29日消息，據(jù)MacRumors報道，蘋果原計劃為iPhone 17 Pro的屏幕配備抗刮抗反射涂層，目前已經(jīng)取消。消息稱，蘋果在擴大顯示屏涂層工藝方面遇到了問題。此前考慮到Apple生產(chǎn)的數(shù)百萬臺設(shè)備，為iPhone顯示屏添加防反射涂層的過程太慢了，因此即使它只計劃用于Pro機型，今年似乎仍然不可行。三星早在Galaxy S24 Ultra上就開始使用Gorilla Glass Armor面板，也是同類型技術(shù)，可以將反射減少75%，在強光、燈光下保持屏幕清晰可見。目前市面上流行的一種AR貼膜就使用了
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臺積電3nm更新：N3P量產(chǎn)，N3X步入正軌

  • 臺積電在其 2025 年北美技術(shù)研討會上透露，該公司按計劃于 2024 年第四季度開始采用其性能增強型 N3P（第 3 代 3nm 級）工藝技術(shù)生產(chǎn)芯片。N3P 是 N3E 的后續(xù)產(chǎn)品，面向需要增強性能同時保留 3nm 級 IP 的客戶端和數(shù)據(jù)中心應(yīng)用程序。該技術(shù)將在今年下半年由 N3X 接替。TSMC 的 N3P 是 N3E 的光學(xué)縮小版，它保留了設(shè)計規(guī)則和 IP 兼容性，同時在相同漏電流下提供 5% 的性能提升，或在相同頻率下提供 5% –
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英特爾18A工藝雄心遇挫？旗艦2納米芯片據(jù)稱將外包給臺積電生產(chǎn)

  • 財聯(lián)社4月23日訊（編輯 馬蘭）據(jù)媒體報道，英特爾正委托臺積電使用其2納米制程生產(chǎn)Nova Lake CPU?？紤]到英特爾自己擁有18A工藝，且一直宣傳該工藝勝過臺積電的2納米技術(shù)，這份代工合同可能透露出一些引人深思的訊號。英特爾聲稱將為客戶提供最好的產(chǎn)品，而這可能是其將Nova Lake生產(chǎn)外包給臺積電的一個原因。但業(yè)內(nèi)也懷疑，既然18A工藝已經(jīng)投入了試生產(chǎn)，英特爾將生產(chǎn)外包可能是由于產(chǎn)能需求的驅(qū)動，而不是性能或回報等方面的問題。還有傳言稱，英特爾可能采取雙源戰(zhàn)略：既使用臺積電的2納米技術(shù)生產(chǎn)旗艦產(chǎn)品，
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創(chuàng)意推全球首款HBM4 IP 于臺積電N3P制程成功投片

  • 創(chuàng)意2日宣布，自主研發(fā)的HBM4控制器與PHY IP完成投片，采用臺積電最先進N3P制程技術(shù)，并結(jié)合CoWoS-R先進封裝，成為業(yè)界首個實現(xiàn)12 Gbps數(shù)據(jù)傳輸速率之HBM4解決方案，為AI與高效能運算（HPC）應(yīng)用樹立全新里程碑。HBM4 IP以創(chuàng)新中間層（Interposer）布局設(shè)計優(yōu)化信號完整性（SI）與電源完整性（PI），確保在CoWoS系列封裝技術(shù)下穩(wěn)定運行于高速模式。 創(chuàng)意指出，相較前代HBM3，HBM4 PHY（實體層）效能顯著提升，帶寬提升2.5倍，滿足巨量數(shù)據(jù)傳輸需求、功耗效率提升1
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展望2nm工藝的可持續(xù)性

  • 隨著半導(dǎo)體制造復(fù)雜性的不斷增加，相關(guān)的排放量正在以驚人的速度增長。TechInsights Manufacturing Carbon Module?數(shù)據(jù)顯示，位于俄勒岡州的下一代 2nm 晶圓廠將生產(chǎn) ~30 萬 MtCO2e 每年消耗超過 400 GWh 的電力。鑒于對電力和范圍 2 排放的依賴，晶圓廠選址也起著重要作用，位于臺灣的同等晶圓廠每年產(chǎn)生的排放量幾乎是其三倍。有勝利。具有高晶體管密度的精細(xì)工藝可以大大減少每個晶體管的輻射。半導(dǎo)體制造的碳中和是可能的，但正如我們將要展示的那樣，這需要
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英特爾突破關(guān)鍵制程技術(shù)：Intel 18A兩大核心技術(shù)解析

  • 半導(dǎo)體芯片制程技術(shù)的創(chuàng)新突破，是包括英特爾在內(nèi)的所有芯片制造商們在未來能否立足AI和高性能計算時代的根本。年內(nèi)即將亮相的Intel 18A，不僅是為此而生的關(guān)鍵制程技術(shù)突破，同時還肩負(fù)著讓英特爾重回技術(shù)創(chuàng)新最前沿的使命。那么Intel 18A為何如此重要？它能否成為助力英特爾重返全球半導(dǎo)體制程技術(shù)創(chuàng)新巔峰的“天命人”？RibbonFET全環(huán)繞柵極晶體管技術(shù)與PowerVia背面供電技術(shù)兩大關(guān)鍵技術(shù)突破，會給出世界一個答案。攻克兩大技術(shù)突破 實力出色RibbonFET全環(huán)繞柵極晶體管技術(shù)，是破除半
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英特爾澄清：Intel 18A制程產(chǎn)品將于今年下半年如期發(fā)布

  • 據(jù)外媒報道，近日，英特爾投資者關(guān)系副總裁John Pitzer在公開澄清了關(guān)于基于Intel 18A制程的首款產(chǎn)品——Panther Lake推遲發(fā)布的傳聞。他表示，Panther Lake仍按計劃于今年下半年發(fā)布，發(fā)布時間并未改變，且英特爾對于目前的進展非常有信心。報道中稱，John Pitzer表示當(dāng)前Panther Lake的良率水平甚至比同期Meteor Lake開發(fā)階段的表現(xiàn)還要略勝一籌。幾周前有技術(shù)論文指出， Intel 18A制程的SRAM密度表現(xiàn)已與臺積電N2工藝相當(dāng)?！半m然技術(shù)比較存在多
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三星 SF4X 工藝獲 IP 生態(tài)支持：Blue Cheetah 流片 D2D 互聯(lián) PHY

  • 1 月 22 日消息，半導(dǎo)體互聯(lián) IP 企業(yè) Blue Cheetah 美國加州當(dāng)?shù)貢r間昨日表示，其新一代 BlueLynx D2D 裸晶對裸晶互聯(lián) PHY 物理層芯片在三星 Foundry 的 SF4X 先進制程上成功流片（Tape-Out）。Blue Cheetah 在三星 SF4X 上制得的 D2D PHY 支持高級 2.5D 和標(biāo)準(zhǔn) 2D 芯粒封裝，總吞吐量突破 100 Tbps 大關(guān)，同時在面積和功耗表現(xiàn)上處于業(yè)界領(lǐng)先水平，將于 2025 年第二季度初在封裝應(yīng)用中接受硅特性分析。Blue Che
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高通驍龍 8 至尊版 2 芯片曝料：單核破 4000 分，多核提升超 20%

  • 11 月 12 日消息，消息源 Jukanlosreve 昨日（11 月 11 日）在 X 平臺發(fā)布推文，曝料稱高通第二代驍龍 8 至尊版芯片在 GeekBench 6 單核成績突破 4000 分，多核性能比初代驍龍 8 至尊版提升 20%。援引消息源信息，高通第二代驍龍 8 至尊版芯片（高通驍龍 8Gen 5）將混合使用三星的 SF2 代工和臺積電的 N3P 工藝。消息源還透露高通第二代驍龍 8 至尊版芯片和聯(lián)發(fā)科天璣 9500 芯片均支持可擴展矩陣擴展（Scalable Matrix Extensio
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半導(dǎo)體行業(yè)最高性能！Eliyan 推出芯粒互連 PHY：3nm 工藝、64Gbps / bump

  • IT之家 10 月 12 日消息，Eliyan 公司于 10 月 9 日發(fā)布博文，宣布在美國加州成功交付首批 NuLink?-2.0 芯?；ミB PHY，該芯片采用 3nm 工藝制造。這項技術(shù)不僅實現(xiàn)了 64Gbps / bump 的行業(yè)最高性能，還在多芯粒架構(gòu)中提供了卓越的帶寬和低功耗解決方案，標(biāo)志著半導(dǎo)體互連領(lǐng)域的一次重大突破。IT之家注：芯?；ミB PHY 是一種用于連接多個芯片小塊（chiplet）的物理層接口，旨在實現(xiàn)高帶寬、低延遲和低功耗的數(shù)據(jù)傳輸。Eliyan 的芯片互連 P
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不再執(zhí)著制造工藝 華為：以系統(tǒng)設(shè)計工程建設(shè)消除芯片代差

  • 多年來持續(xù)試跨越芯片制造工藝代差的華為公司29日表示，通過系統(tǒng)的設(shè)計和工程建設(shè)能解決算力與分析能力的問題，從而消除在芯片上的代差。未來芯片創(chuàng)新不應(yīng)只在單點的芯片工藝上，而是應(yīng)該在系統(tǒng)架構(gòu)上，要用空間、帶寬、能源來換取芯片工藝上的缺陷。據(jù)《快科技》報導(dǎo)，在今天的數(shù)據(jù)大會上，華為常務(wù)董事張平安就芯片技術(shù)發(fā)展發(fā)言指出，「通過系統(tǒng)的設(shè)計和工程建設(shè)可以解決我們整體數(shù)字中心的能力、算力和分析能力問題，可以消除我們在芯片上的代差?！箯埰桨舱f，「在華為看來，AI數(shù)據(jù)中心耗能非常大，人工智能耗能更多，需要數(shù)能結(jié)合。」在這之
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臺積電高管張曉強：不在乎摩爾定律是死是活

  • 近日，臺積電業(yè)務(wù)發(fā)展高級副總裁張曉強博士在接受采訪時被問到，如何看待“摩爾定律已死”的說法，而他的回答非常直接：“很簡單，不在乎。只要我們能繼續(xù)推動工藝進步，我就不在乎摩爾定律是活著，還是死了。”在張曉強看來，臺積電的優(yōu)勢在于，每年都能投產(chǎn)一種新的制程工藝，為客戶改進性能、功耗和面積 （PPA）指標(biāo)進。比如說最近十年來，蘋果一直是臺積電的頭號客戶，而蘋果A/M系列處理器的演進，正好反映了臺積電工藝的變化。此外，AMD Instinct MI300X / MI300A、NVIDIA H100/B200/GB
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