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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 600v氮化鎵（gan）功率器件

600v氮化鎵（gan）功率器件 文章 進入600v氮化鎵（gan）功率器件技術社區(qū)

前瞻性技術：加速GaN技術應用

  • 　　相較于過去所使用的硅晶體管，氮化鎵(GaN)能夠讓新的電源應用在同等電壓條件下，以更高的切換頻率運作。 這代表在相同條件下，GaN能夠較以硅為基礎的解決方案實現(xiàn)更高的效率。 　　電源供應設計 　　德州儀器(TI)的LMG5200全整合式原型，讓工程師能夠輕松地將GaN技術設計至電源解決方案中，進而超越傳統(tǒng)上功率密度限制。 基于數(shù)十年的電源測試專業(yè)經(jīng)驗，TI針對GaN進行了數(shù)百萬小時的加速測試，并建立了能夠實現(xiàn)基于GaN電源設計的生態(tài)系統(tǒng)。 　　GaN將在功率密集的應用中大展身手，它能夠在保持或提
  • 關鍵字： 德州儀器  GaN  

汽車功率元器件市場前景廣闊

  • 　　雖然智能手機的出貨量遠高于汽車(2015年為14億部[1]，汽車銷量為8,800萬輛[2])，但汽車的半導體零件含量卻高得多。汽車功率IC穩(wěn)健增長，2015 - 2020年該行業(yè)的年復合增長率預計將達8%[3]。尤其是電池驅動的電動汽車在該行業(yè)成為強勁增長推動力，2015年5月Teardown.com針對寶馬i3電動車的報告顯示，該車型物料清單中包含100多個電源相關芯片?！　∨c遵循摩爾定律不斷縮小尺寸的先進邏輯晶體管不同，功率元器件FET通常運用更老的技術節(jié)點，使用200毫米(和
  • 關鍵字： SiC  GaN  

光伏逆變器的新方向

  • 新型功率器件、封裝或材料都是為了提高電源能效和功率密度。安森美半導體非常注重新技術的開發(fā)與新材料器件的應用，能同時提供氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC) 寬帶隙(WBG)器件，目前SiC二極管已經(jīng)量產(chǎn)并且廣泛應用于工業(yè)、太陽能逆變器等領域，SiC MOS 和新一代的GaN MOS 也在開發(fā)中，不久就會發(fā)布。
  • 關鍵字： 安森美  光伏  功率器件  光伏逆變器  

華虹半導體功率器件平臺累計出貨量突破500萬片晶圓

  • 　　全球領先的200mm純晶圓代工廠——華虹半導體有限公司(“華虹半導體”或“公司”，連同其附屬公司，統(tǒng)稱“集團”，股份代號：1347.HK)今天宣布，公司功率器件平臺累計出貨量已突破500萬片晶圓。其中，得益于市場對超級結MOSFET(“金氧半場效晶體管”)和IGBT(“絕緣柵雙極型晶體管”)的強勁需求，華虹半導體獨特且具競爭力的垂直溝槽型Super Junction MOSFET(“SJNFET”)以及場截止型IGBT累計出貨量分別超過了200,000片和30,000片晶圓，并保持
  • 關鍵字： 華虹半導體  功率器件  

解讀電源三大熱門領域的技術方案　

  • 在智能化 、網(wǎng)絡化的當下時代，各種新型電子產(chǎn)品層出不窮，而在各電子產(chǎn)品中，電源模塊一直都是不可避免的課題，隨著新材料和新工藝不斷涌現(xiàn)、不斷發(fā)展，電源模塊的的各方面性能也不斷得到完善。本次專題就功率器件、光伏和隔離器三個方面，邀請業(yè)內(nèi)專業(yè)人士共同探討電源的發(fā)展和革新。
  • 關鍵字： 電源  功率器件  光伏  隔離器  201704  

收購美國半導體新企 村田轉攻功率器件

  • 　　日本電子零組件廠村田制作所(Murata)，于2017年3月17日宣布簽約購并美國半導體新創(chuàng)企業(yè)Arctic Sand Technologies，收購程序估計將在4月上旬完成，據(jù)日本經(jīng)濟新聞(Nikkei)網(wǎng)站報導，購并金額約70億日圓(約6,200萬美元)。 　　這次購并的目的，在于村田打算轉換事業(yè)重點，村田目前總營收約60%源自智慧型手機相關零組件，但智慧型手機的市場成長率逐漸趨緩，連帶影響村田的事業(yè)成長，在短期內(nèi)難以看到手機市場重回先前的高速成長狀態(tài)，村田必須培養(yǎng)其他重點事業(yè)。 　　在Son
  • 關鍵字： 村田  功率器件  

電源設計控必須了解的2017三大趨勢

  • 　　2017電源市場需求和技術趨勢風向如何?來e星球，與超六萬的專業(yè)人士一起把握潮流!　　需求往往是推動創(chuàng)新的源泉，無論是時尚、金融亦或是我們熟悉的電源領域都存在這樣的現(xiàn)象。抓住了用戶需求，潛在的創(chuàng)新動力才會被激發(fā)，也只有適應需求的創(chuàng)新才是最具生命周期的。2017年電源需求在哪?創(chuàng)新著力點在哪?帶著疑問與期盼請來亞洲第一大電子展——2017年慕尼黑上海電子展一探究竟吧!3月14日-16日將有超過6萬多名的專業(yè)觀眾以及眾多的國內(nèi)外領先電源廠商集聚上海新國際博覽中心，深度探討2017年中國電源市場需求與走勢，
  • 關鍵字： SiC  GaN  

下一波功率轉換浪潮—專為實現(xiàn)太陽能光伏逆變器的安全、速度和成本效益而設計

  • 　　引言　　太陽能不再是一項新興技術，而是正在經(jīng)歷重大技術變革的技術，日趨成熟。我們朝著電網(wǎng)平價(太陽能成本與傳統(tǒng)能源發(fā)電類型的成本相當)，并且改進傳統(tǒng)能源發(fā)電類型構成的目標前進，因為將面板中的直流電轉換為可用交流電的過程變得更加高效且經(jīng)濟實惠?！　〉?，雖然太陽能面板在近幾年價格顯著降低，但下一波太陽能發(fā)展浪潮將由功率轉換器系統(tǒng)的新技術推動。先進復雜的多級功率開關拓撲的興起將基于碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)材料，加上更高的工作電壓(最高1600 VDC)，實現(xiàn)更加快速的功率開關，與傳統(tǒng)系
  • 關鍵字： 光伏逆變器  GaN  

日研究團隊制作了高質量2英寸GaN芯片和MOSFET

  • 　　日本三菱化學及富士電機、豐田中央研究所、京都大學、產(chǎn)業(yè)技術綜合研究所的聯(lián)合團隊成功解決了在氮化鎵(GaN)芯片上形成GaN元件功率半導體關鍵技術。GaN功率半導體是碳化硅功率半導體的下一代技術。日本通過發(fā)光二極管的開發(fā)積累了GaN元件技術，GaN芯片生產(chǎn)量占據(jù)世界最高份額。若做到現(xiàn)有技術的實用化，將處于世界優(yōu)勢地位。 　　功率半導體有利于家電、汽車、電車等的節(jié)能，產(chǎn)業(yè)需求很大。GaN功率半導體中，硅基板上形成橫型GaN系的高電子遷移率晶體管等設備已經(jīng)量產(chǎn)，但是，GaN基板上形成GaN的金屬-氧化物半
  • 關鍵字： GaN  MOSFET  

2017誰將成為功率器件市場亮點？

  • 　　通信、汽車驅動市場增長，國有品牌競爭力提升 　　市場規(guī)模繼續(xù)擴大，增速較2015年有所回升 　　2016年，中國電子信息制造業(yè)生產(chǎn)總體平穩(wěn)，增速有所加快，受此影響，中國功率器件市場規(guī)模持續(xù)擴大，市場規(guī)模預計達到1496.1億元，同比增長7.2%，增速較2015年有所回升。 　　通信、汽車成為2016年市場增長亮點 　　從下游應用產(chǎn)品的需求來看，通信和汽車領域是推動功率器件市場增長的主要驅動力。 　　從通信主要產(chǎn)品產(chǎn)量來看，1-10月，我國生產(chǎn)手機17億部，同比增長19.9%，其中智能手機12
  • 關鍵字： 功率器件  GaN  

技術路線圖指導 做強中國功率半導體

  • 在我國綠色能源產(chǎn)業(yè)發(fā)展的推動下，功率半導體已經(jīng)成為建設節(jié)約型社會、促進國民經(jīng)濟發(fā)展、踐行創(chuàng)新驅動發(fā)展戰(zhàn)略的重要支撐。
  • 關鍵字： 功率半導體  GaN  

“十三五”期間，功率半導體產(chǎn)業(yè)應有怎樣的路線圖？

  • 　　如果說中央處理器(CPU)是一臺計算機的心臟，功率半導體就是電機的心臟，它可以實現(xiàn)對電能的高效產(chǎn)生、傳輸、轉換、存儲和控制。我國發(fā)布《中國制造2025》，勾勒出未來十年產(chǎn)業(yè)轉型升級的整體方向與發(fā)展規(guī)劃，在此過程中，功率半導體發(fā)揮的作用不可替代。 　　然而，與集成電路產(chǎn)業(yè)相似，我國功率半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展水平與國際先進水平也存在著巨大差距。人們常拿我國每年集成電路進口額與石油進行比較，其實如果按比例計算，我國功率半導體的進口替代能力可能更弱。隨著“節(jié)能減排”、“開發(fā)綠色
  • 關鍵字： 功率半導體  GaN  

手機及可穿戴產(chǎn)品需要快速充電及小體積適配器

  • 　　充電和電池管理對智能手機來說，仍是關鍵的功能，未來多年將持續(xù)有創(chuàng)新。有線和無線充電的改進可能大大擴展便攜式產(chǎn)品的使用，我們不斷提升此功能的極限。充電系統(tǒng)要求供電產(chǎn)品(如壁式適配器)或無線充電發(fā)射器和接收器(如智能手機和平板電腦)的設計都具高能效。安森美半導體專注于這兩大應用，提供完整、優(yōu)化和高能效的充電方案，以滿足所有這些產(chǎn)品的功率要求?！　∈袌鰧τ诟斐潆姇r間、更大電池容量和更小適配器的要求，把智能手機和平板電腦的供電能力推到傳統(tǒng)半導體器件不可行的地步。新一代系統(tǒng)將需要氮化鎵(GaN)方案取代傳統(tǒng)M
  • 關鍵字： 安森美  GaN  

【功率器件心得分享】+GaN與SiC新型功率器件

  • 　　1 GaN 功率管的發(fā)展　　微波功率器件近年來已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場效應管以及在移動通信領域被廣泛應用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮鎵 ( GaN ) 為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN 材料，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等突出優(yōu)點，與剛石等半導體材料一起，被譽為是繼第一代 Ge、Si 半導體材料、第二代 GaAs、InP
  • 關鍵字： GaN  SiC  

【功率器件心得分享】+GaN與SiC新型功率器件

  • 　　1 GaN 功率管的發(fā)展　　微波功率器件近年來已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場效應管以及在移動通信領域被廣泛應用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮鎵 ( GaN ) 為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN 材料，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等突出優(yōu)點，與剛石等半導體材料一起，被譽為是繼第一代 Ge、Si 半導體材料、第二代 GaAs、InP
  • 關鍵字： GaN  SiC  
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600v氮化鎵（gan）功率器件介紹

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