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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 600v氮化鎵（gan）功率器件

600v氮化鎵（gan）功率器件 文章 進入600v氮化鎵（gan）功率器件技術社區(qū)

前瞻性技術：加速GaN技術應用

  • 　　相較于過去所使用的硅晶體管，氮化鎵(GaN)能夠讓新的電源應用在同等電壓條件下，以更高的切換頻率運作。 這代表在相同條件下，GaN能夠較以硅為基礎的解決方案實現(xiàn)更高的效率。 　　電源供應設計 　　德州儀器(TI)的LMG5200全整合式原型，讓工程師能夠輕松地將GaN技術設計至電源解決方案中，進而超越傳統(tǒng)上功率密度限制。 基于數(shù)十年的電源測試專業(yè)經驗，TI針對GaN進行了數(shù)百萬小時的加速測試，并建立了能夠實現(xiàn)基于GaN電源設計的生態(tài)系統(tǒng)。 　　GaN將在功率密集的應用中大展身手，它能夠在保持或提
  • 關鍵字： 德州儀器  GaN  

汽車功率元器件市場前景廣闊

  • 　　雖然智能手機的出貨量遠高于汽車(2015年為14億部[1]，汽車銷量為8,800萬輛[2])，但汽車的半導體零件含量卻高得多。汽車功率IC穩(wěn)健增長，2015 - 2020年該行業(yè)的年復合增長率預計將達8%[3]。尤其是電池驅動的電動汽車在該行業(yè)成為強勁增長推動力，2015年5月Teardown.com針對寶馬i3電動車的報告顯示，該車型物料清單中包含100多個電源相關芯片?！　∨c遵循摩爾定律不斷縮小尺寸的先進邏輯晶體管不同，功率元器件FET通常運用更老的技術節(jié)點，使用200毫米(和
  • 關鍵字： SiC  GaN  

光伏逆變器的新方向

  • 新型功率器件、封裝或材料都是為了提高電源能效和功率密度。安森美半導體非常注重新技術的開發(fā)與新材料器件的應用，能同時提供氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC) 寬帶隙(WBG)器件，目前SiC二極管已經量產并且廣泛應用于工業(yè)、太陽能逆變器等領域，SiC MOS 和新一代的GaN MOS 也在開發(fā)中，不久就會發(fā)布。
  • 關鍵字： 安森美  光伏  功率器件  光伏逆變器  

華虹半導體功率器件平臺累計出貨量突破500萬片晶圓

  • 　　全球領先的200mm純晶圓代工廠——華虹半導體有限公司(“華虹半導體”或“公司”，連同其附屬公司，統(tǒng)稱“集團”，股份代號：1347.HK)今天宣布，公司功率器件平臺累計出貨量已突破500萬片晶圓。其中，得益于市場對超級結MOSFET(“金氧半場效晶體管”)和IGBT(“絕緣柵雙極型晶體管”)的強勁需求，華虹半導體獨特且具競爭力的垂直溝槽型Super Junction MOSFET(“SJNFET”)以及場截止型IGBT累計出貨量分別超過了200,000片和30,000片晶圓，并保持
  • 關鍵字： 華虹半導體  功率器件  

解讀電源三大熱門領域的技術方案　

  • 在智能化 、網絡化的當下時代，各種新型電子產品層出不窮，而在各電子產品中，電源模塊一直都是不可避免的課題，隨著新材料和新工藝不斷涌現(xiàn)、不斷發(fā)展，電源模塊的的各方面性能也不斷得到完善。本次專題就功率器件、光伏和隔離器三個方面，邀請業(yè)內專業(yè)人士共同探討電源的發(fā)展和革新。
  • 關鍵字： 電源  功率器件  光伏  隔離器  201704  

收購美國半導體新企 村田轉攻功率器件

  • 　　日本電子零組件廠村田制作所(Murata)，于2017年3月17日宣布簽約購并美國半導體新創(chuàng)企業(yè)Arctic Sand Technologies，收購程序估計將在4月上旬完成，據(jù)日本經濟新聞(Nikkei)網站報導，購并金額約70億日圓(約6,200萬美元)。 　　這次購并的目的，在于村田打算轉換事業(yè)重點，村田目前總營收約60%源自智慧型手機相關零組件，但智慧型手機的市場成長率逐漸趨緩，連帶影響村田的事業(yè)成長，在短期內難以看到手機市場重回先前的高速成長狀態(tài)，村田必須培養(yǎng)其他重點事業(yè)。 　　在Son
  • 關鍵字： 村田  功率器件  

電源設計控必須了解的2017三大趨勢

  • 　　2017電源市場需求和技術趨勢風向如何?來e星球，與超六萬的專業(yè)人士一起把握潮流!　　需求往往是推動創(chuàng)新的源泉，無論是時尚、金融亦或是我們熟悉的電源領域都存在這樣的現(xiàn)象。抓住了用戶需求，潛在的創(chuàng)新動力才會被激發(fā)，也只有適應需求的創(chuàng)新才是最具生命周期的。2017年電源需求在哪?創(chuàng)新著力點在哪?帶著疑問與期盼請來亞洲第一大電子展——2017年慕尼黑上海電子展一探究竟吧!3月14日-16日將有超過6萬多名的專業(yè)觀眾以及眾多的國內外領先電源廠商集聚上海新國際博覽中心，深度探討2017年中國電源市場需求與走勢，
  • 關鍵字： SiC  GaN  

下一波功率轉換浪潮—專為實現(xiàn)太陽能光伏逆變器的安全、速度和成本效益而設計

  • 　　引言　　太陽能不再是一項新興技術，而是正在經歷重大技術變革的技術，日趨成熟。我們朝著電網平價(太陽能成本與傳統(tǒng)能源發(fā)電類型的成本相當)，并且改進傳統(tǒng)能源發(fā)電類型構成的目標前進，因為將面板中的直流電轉換為可用交流電的過程變得更加高效且經濟實惠?！　〉?，雖然太陽能面板在近幾年價格顯著降低，但下一波太陽能發(fā)展浪潮將由功率轉換器系統(tǒng)的新技術推動。先進復雜的多級功率開關拓撲的興起將基于碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)材料，加上更高的工作電壓(最高1600 VDC)，實現(xiàn)更加快速的功率開關，與傳統(tǒng)系
  • 關鍵字： 光伏逆變器  GaN  

日研究團隊制作了高質量2英寸GaN芯片和MOSFET

  • 　　日本三菱化學及富士電機、豐田中央研究所、京都大學、產業(yè)技術綜合研究所的聯(lián)合團隊成功解決了在氮化鎵(GaN)芯片上形成GaN元件功率半導體關鍵技術。GaN功率半導體是碳化硅功率半導體的下一代技術。日本通過發(fā)光二極管的開發(fā)積累了GaN元件技術，GaN芯片生產量占據(jù)世界最高份額。若做到現(xiàn)有技術的實用化，將處于世界優(yōu)勢地位。 　　功率半導體有利于家電、汽車、電車等的節(jié)能，產業(yè)需求很大。GaN功率半導體中，硅基板上形成橫型GaN系的高電子遷移率晶體管等設備已經量產，但是，GaN基板上形成GaN的金屬-氧化物半
  • 關鍵字： GaN  MOSFET  

2017誰將成為功率器件市場亮點？

  • 　　通信、汽車驅動市場增長，國有品牌競爭力提升 　　市場規(guī)模繼續(xù)擴大，增速較2015年有所回升 　　2016年，中國電子信息制造業(yè)生產總體平穩(wěn)，增速有所加快，受此影響，中國功率器件市場規(guī)模持續(xù)擴大，市場規(guī)模預計達到1496.1億元，同比增長7.2%，增速較2015年有所回升。 　　通信、汽車成為2016年市場增長亮點 　　從下游應用產品的需求來看，通信和汽車領域是推動功率器件市場增長的主要驅動力。 　　從通信主要產品產量來看，1-10月，我國生產手機17億部，同比增長19.9%，其中智能手機12
  • 關鍵字： 功率器件  GaN  

技術路線圖指導 做強中國功率半導體

  • 在我國綠色能源產業(yè)發(fā)展的推動下，功率半導體已經成為建設節(jié)約型社會、促進國民經濟發(fā)展、踐行創(chuàng)新驅動發(fā)展戰(zhàn)略的重要支撐。
  • 關鍵字： 功率半導體  GaN  

“十三五”期間，功率半導體產業(yè)應有怎樣的路線圖？

  • 　　如果說中央處理器(CPU)是一臺計算機的心臟，功率半導體就是電機的心臟，它可以實現(xiàn)對電能的高效產生、傳輸、轉換、存儲和控制。我國發(fā)布《中國制造2025》，勾勒出未來十年產業(yè)轉型升級的整體方向與發(fā)展規(guī)劃，在此過程中，功率半導體發(fā)揮的作用不可替代。 　　然而，與集成電路產業(yè)相似，我國功率半導體產業(yè)的發(fā)展水平與國際先進水平也存在著巨大差距。人們常拿我國每年集成電路進口額與石油進行比較，其實如果按比例計算，我國功率半導體的進口替代能力可能更弱。隨著“節(jié)能減排”、“開發(fā)綠色
  • 關鍵字： 功率半導體  GaN  

手機及可穿戴產品需要快速充電及小體積適配器

  • 　　充電和電池管理對智能手機來說，仍是關鍵的功能，未來多年將持續(xù)有創(chuàng)新。有線和無線充電的改進可能大大擴展便攜式產品的使用，我們不斷提升此功能的極限。充電系統(tǒng)要求供電產品(如壁式適配器)或無線充電發(fā)射器和接收器(如智能手機和平板電腦)的設計都具高能效。安森美半導體專注于這兩大應用，提供完整、優(yōu)化和高能效的充電方案，以滿足所有這些產品的功率要求?！　∈袌鰧τ诟斐潆姇r間、更大電池容量和更小適配器的要求，把智能手機和平板電腦的供電能力推到傳統(tǒng)半導體器件不可行的地步。新一代系統(tǒng)將需要氮化鎵(GaN)方案取代傳統(tǒng)M
  • 關鍵字： 安森美  GaN  

【功率器件心得分享】+GaN與SiC新型功率器件

  • 　　1 GaN 功率管的發(fā)展　　微波功率器件近年來已經從硅雙極型晶體管、場效應管以及在移動通信領域被廣泛應用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮鎵 ( GaN ) 為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN 材料，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等突出優(yōu)點，與剛石等半導體材料一起，被譽為是繼第一代 Ge、Si 半導體材料、第二代 GaAs、InP
  • 關鍵字： GaN  SiC  

【功率器件心得分享】+GaN與SiC新型功率器件

  • 　　1 GaN 功率管的發(fā)展　　微波功率器件近年來已經從硅雙極型晶體管、場效應管以及在移動通信領域被廣泛應用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮鎵 ( GaN ) 為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN 材料，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等突出優(yōu)點，與剛石等半導體材料一起，被譽為是繼第一代 Ge、Si 半導體材料、第二代 GaAs、InP
  • 關鍵字： GaN  SiC  
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600v氮化鎵（gan）功率器件介紹

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