600v氮化鎵（gan）功率器件 文章 進(jìn)入600v氮化鎵（gan）功率器件技術(shù)社區(qū)
功率器件交貨期持續(xù)拉長，供應(yīng)短缺局面何時(shí)結(jié)束？
- 全球性需求增加也帶動市場增長，但是功率分立器件交貨期開始延長暫時(shí)還沒有什么解決辦法。
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制造能耗變革從新一代半導(dǎo)體開始
- 接近62%的能源被白白浪費(fèi) 美國制造創(chuàng)新網(wǎng)絡(luò)(目前稱為MgfUSA)已經(jīng)闡明了美國制造業(yè)規(guī)劃的聚焦點(diǎn)在材料與能源。清潔能源智能制造CESMII中的清潔能源與能源互聯(lián)網(wǎng)自不必說，而在復(fù)合材料IACMI和輕量化研究院LIFT中都關(guān)注到了汽車減重設(shè)計(jì)，本身也是為了降低能源消耗的問題。在美國第二個(gè)創(chuàng)新研究院“美國電力創(chuàng)新研究院” Power Amercia(PA)其關(guān)注點(diǎn)同樣在于能源的問題。這是一個(gè)關(guān)于巨大的能源市場的創(chuàng)新中心。 圖1：整體的能源轉(zhuǎn)換效率約在38
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GaN器件開路 5G將重塑RF產(chǎn)業(yè)
- 未來五年，通信產(chǎn)業(yè)向5G時(shí)代的革命性轉(zhuǎn)變正在深刻重塑RF(射頻)技術(shù)產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀。這不僅是針對智能手機(jī)市場，還包括3W應(yīng)用RF通信基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用，并且，5G將為RF功率市場的化合物半導(dǎo)體技術(shù)帶來重大市場機(jī)遇。 未來幾年，據(jù)Yole最新發(fā)布的《RF功率市場和技術(shù)趨勢-2017版》報(bào)告預(yù)計(jì)，隨著電信基站升級和小型基站部署的需求增長，RF功率市場將獲得強(qiáng)勁增長。2016~2022年期間，整體RF功率市場營收或?qū)⒃鲩L75%，帶來9.8%的復(fù)合年增長率。這意味著市場營收規(guī)模將從2016年的15億美元增長至202
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三菱電機(jī)強(qiáng)勢出擊PCIM亞洲2017展
- 三菱電機(jī)(www.MitsubishiElectric-mesh.com)今日在上海世博展覽館舉行的PCIM 亞洲 2017展會中隆重登場(三菱電機(jī)展位號:E06)，所展出的十款新型功率器件大受觀眾歡迎，不斷吸引觀眾前來參觀了解三菱電機(jī)最新的技術(shù)、產(chǎn)品和優(yōu)勢?！ ∪怆姍C(jī)以“創(chuàng)新功率器件構(gòu)建可持續(xù)未來”為主題，今年展出的功率器件應(yīng)用范圍跨越五大領(lǐng)域，包括：變頻家電、鐵道牽引及電力傳輸、電動汽車、工業(yè)應(yīng)用和新能源發(fā)電，致力為客戶提供高性能及低損耗的產(chǎn)品，其中第7代IGBT模塊更首次作
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2021年全球MOCVD市場將突破11億美元
- 什么是MOCVD? MOCVD是在氣相外延生長(VPE)的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的一種新型氣相外延生長技術(shù)。主要以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有機(jī)化合物和V、Ⅵ族元素的氫化物等作為晶體生長源材料，以熱分解反應(yīng)方式在襯底上進(jìn)行氣相外延，生長各種Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半導(dǎo)體以及它們的多元固溶體的薄層單晶材料。 MOCVD設(shè)備主要用于半導(dǎo)體材料襯底的外延生長，是LED以及半導(dǎo)體器件的關(guān)鍵設(shè)備。 根據(jù)Technavio統(tǒng)計(jì)，全球MOCVD市場的復(fù)合年平均增長率將在2021年之前增長到14%，市場規(guī)模將從201
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東芝推出額定值為5A／600V的高壓智能功率器件
- 東芝公司旗下存儲與電子元器件解決方案公司近日宣布推出最新產(chǎn)品“TPD4207F”，擴(kuò)大其小型封裝高壓智能功率器件(IPD)產(chǎn)品陣容，該產(chǎn)品適用于空調(diào)、空氣凈化器的風(fēng)扇電機(jī)和泵等各類產(chǎn)品。新IPD采用小型“SOP30”表面貼裝型封裝，實(shí)現(xiàn)更大的額定電流(5A)和600V的高電壓。量產(chǎn)出貨即日啟動。 該新IPD利用東芝最新MOSFET技術(shù)——600V超結(jié)MOSFET“DTMOSIV系列”，有效減小功率損耗，實(shí)現(xiàn)5A額定電流。這一電流足以驅(qū)動冰箱的壓縮機(jī)電機(jī)，這是現(xiàn)有IPD無法做到的，因此新IPD的應(yīng)用范
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IGBT驅(qū)動電路的作用、工作特性與使用要求
- IGBT驅(qū)動電路的作用： IGBT驅(qū)動電路的作用主要是將單片機(jī)脈沖輸出的功率進(jìn)行放大，以達(dá)到驅(qū)動IGBT功率器件的目的。在保證IGBT器件可靠、穩(wěn)定、安全工作的前提，驅(qū)動電路起到至關(guān)重要的作用?！ GBT的工作特性： IGBT的等效電路及符合如圖1所示,IGBT由柵極正負(fù)電壓來控制。當(dāng)加上正柵極電壓時(shí),管子導(dǎo)通;當(dāng)加上負(fù)柵極電壓時(shí),管子關(guān)斷。 ? ? IGBT具有和雙極型電力晶體管類似的伏安特性,隨著控制電壓UGE的增加,特性曲線上移。開關(guān)電源中的IGBT通過UGE電平
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趁著第三代半導(dǎo)體的東風(fēng)，紫外LED要做弄潮兒
- 本文主要介紹了第三代半導(dǎo)體固態(tài)紫外光源材料及器件關(guān)鍵技術(shù)的研究目的、意義和社會影響力。
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第三代半導(dǎo)體材料盛行，GaN與SiC如何撬動新型功率器件
- GaN 功率管的發(fā)展微波功率器件近年來已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場效應(yīng)管以及在移動通信領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮鎵 ( GaN ) 為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN 材料，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等突出優(yōu)點(diǎn)，與剛石等半導(dǎo)體材料一起，被譽(yù)為是繼第一代 Ge、Si 半導(dǎo)體材料、第二代
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中國的功率器件制造產(chǎn)業(yè)尚處于早期階段，前景廣闊
- 功率集成電路器件的產(chǎn)地正發(fā)生著重大改變。過去10年來，中國、歐洲和東南亞地區(qū)的功率器件制造業(yè)取得迅猛發(fā)展，而北美地區(qū)則逐漸走下坡路。 在市場機(jī)遇方面，隨著電池供電與互聯(lián)消費(fèi)產(chǎn)品及電動車的涌現(xiàn)，功率器件需求預(yù)計(jì)將更加強(qiáng)勁。如下方圖片所示，中國的智能手機(jī)需求增長與功率集成電路消費(fèi)趨勢相符。未來，中國有望成為半導(dǎo)體器件包括功率器件主要的設(shè)計(jì)與制造來源。 目前，中國的功率器件制造產(chǎn)業(yè)尚處于早期階段。在初始階段，中國制造的主要是簡單的二極管和功率MOSFET。批量制造如IGBT等更加復(fù)雜精細(xì)的功率器
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MACOM：硅基GaN產(chǎn)品更適應(yīng)5G未來的發(fā)展趨勢
- MACOM是半導(dǎo)體行業(yè)的支柱型企業(yè)，在60多年的蓬勃發(fā)展歷程中，公司敢于采用大膽的技術(shù)手段，為客戶提供真正的競爭優(yōu)勢并為投資者帶來卓越的價(jià)值，致力于構(gòu)筑更加美好的世界。 在基礎(chǔ)設(shè)施的建設(shè)領(lǐng)域中，MACOM的技術(shù)提高了移動互聯(lián)網(wǎng)的速度和覆蓋率，讓光纖網(wǎng)絡(luò)得以向企業(yè)、家庭和數(shù)據(jù)中心傳輸以前無法想象的巨大通信量，讓數(shù)百萬人在生活中每時(shí)每刻方便地交流溝通。 日前在上海舉辦的EDICON展會上，MACOM展出了一系列應(yīng)用在基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域中的射頻功率晶體管產(chǎn)品，根據(jù)客戶的需求及痛點(diǎn)提供一站式解決方案。
- 關(guān)鍵字： MACOM GaN
汽車功率元器件市場前景廣闊
- 汽車功率電子產(chǎn)品正成為半導(dǎo)體行業(yè)的關(guān)鍵驅(qū)動因素之一。這些電子產(chǎn)品包括功率元器件，是支撐新型電動汽車?yán)m(xù)航里程達(dá)到至少200英里的核心部件。 雖然智能手機(jī)的出貨量遠(yuǎn)高于汽車(2015年為14億部[1]，汽車銷量為8,800萬輛[2])，但汽車的半導(dǎo)體零件含量卻高得多。汽車功率IC穩(wěn)健增長，2015-2020年該行業(yè)的年復(fù)合增長率預(yù)計(jì)將達(dá)8%[3]。尤其是電池驅(qū)動的電動汽車在該行業(yè)成為強(qiáng)勁增長推動力，2015年5月Teardown.com針對寶馬i3電動車的報(bào)告顯示，該車型物料清單中包含100多個(gè)電源
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600v氮化鎵（gan）功率器件介紹
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