600v氮化鎵（gan）功率器件文章最新資訊

關(guān)于開(kāi)關(guān)電源技術(shù)技術(shù)關(guān)注點(diǎn)的十大闡述

開(kāi)關(guān)電源一直是電子行業(yè)里非常熱門(mén)的技術(shù)，而它的發(fā)展趨勢(shì)又是大家必須時(shí)刻關(guān)注的問(wèn)題，不然一不留神就會(huì)跟...
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硅基GaN LED及光萃取技術(shù)實(shí)現(xiàn)高性?xún)r(jià)比照明

傳統(tǒng)的氮化鎵（GaN）LED元件通常以藍(lán)寶石或碳化硅（SiC）為襯底，因?yàn)檫@兩種材料與GaN的晶格匹配度較好，襯底常用尺寸為...
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隔離驅(qū)動(dòng)IGBT功率器件設(shè)計(jì)技巧八大問(wèn)

IGBT，PowerMOSFET和BipolarPowerTransistor等功率器件，都需要有充分的保護(hù)以避免欠壓、米勒效應(yīng)、缺失飽和...
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大功率高壓變頻器功率器件熱設(shè)計(jì)淺析

大型電力電子設(shè)備中，隨著溫度的增加，失效率也增加，因此大功率高壓變頻器功率器件的熱設(shè)計(jì)直接關(guān)系到設(shè)備的可...
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功率器件的利器 GaN

　　GaN是什么? 　　什么是GaN?GaN中文名：氮化嫁，用化學(xué)元素來(lái)解釋就是V族化合物。六方晶系鉛鋅礦型結(jié)構(gòu)，為直接帶隙半導(dǎo)體。室溫禁帶寬度3.39eV。電子和空穴有效慣性質(zhì)量分別為0.19和0.6。電阻率>107Ω·m，電子遷移率 (1.25～1.50)×10-2m2/(V·s)。采用化學(xué)氣相淀積法制備。　　GaN材料的研究與應(yīng)用是全球半導(dǎo)體研究的熱點(diǎn)，是研制微電子器件、光電子器件的新型半導(dǎo)體材料，并與SIC、金剛石等半導(dǎo)體材料一起，被
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電子化開(kāi)啟汽車(chē)新概念時(shí)代

摘要：通過(guò)探討新一代汽車(chē)電子滿(mǎn)足消費(fèi)者對(duì)汽車(chē)在安全、舒適與節(jié)能三個(gè)方面的要求方面的具體技術(shù)發(fā)展，構(gòu)畫(huà)出全新的汽車(chē)功能的未來(lái)。
關(guān)鍵字：汽車(chē)電子汽車(chē)工業(yè) 新能源汽車(chē) 功率器件 ECU 201308

富士通半導(dǎo)體推出耐壓150V的GaN功率器件產(chǎn)品

富士通半導(dǎo)體(上海)有限公司日前宣布，推出基于硅襯底的氮化鎵(GaN)功率器件芯片MB51T008A，該芯片可耐壓150 V。富士通半導(dǎo)體將于2013年7月起開(kāi)始提供新品樣片。該產(chǎn)品初始狀態(tài)是斷開(kāi)(Normally-off)，相比于同等耐壓規(guī)格的硅功率器件，品質(zhì)因數(shù)(FOM)可降低近一半。
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SiC和GaN是“下一代”還是“當(dāng)代”？

　　SiC企業(yè)不斷增多，成本不斷下降”一文中，作者根津在開(kāi)篇寫(xiě)道：“下一代功率半導(dǎo)體已經(jīng)不再特別?！边@是因?yàn)椋S著使用SiC和GaN等“下一代功率半導(dǎo)體”的大量發(fā)布，在學(xué)會(huì)和展會(huì)的舞臺(tái)上，這種功率半導(dǎo)體逐漸帶上了“當(dāng)代”的色彩。　　那么，在使用功率半導(dǎo)體的制造現(xiàn)場(chǎng)，情況又是如何呢?雖然使用SiC和GaN的產(chǎn)品目前尚處開(kāi)始增加的階段，仍屬于“下一代”，但在功率半導(dǎo)體使用者的心目中，此類(lèi)產(chǎn)品已逐漸由
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瑞薩針對(duì)配有微型隔離器的IGBT驅(qū)動(dòng)器發(fā)布智能功率器件

　　微型隔離器的應(yīng)用可進(jìn)一步縮小電動(dòng)及混合動(dòng)力汽車(chē)功率逆變器的體積　　瑞薩電子公司開(kāi)發(fā)的配有內(nèi)置式微型隔離器的 IGBT 驅(qū)動(dòng)器智能器件　　日本東京訊-全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體及解決方案供應(yīng)商瑞薩電子株式會(huì)社(TSE：6723)今天宣布開(kāi)發(fā)出了隔離型IGBT驅(qū)動(dòng)器的R2A25110KSP智能型功率器件，適用于電動(dòng)和混合動(dòng)力汽車(chē)功率逆變器。R2A25110KSP中融入了瑞薩電子公司最新開(kāi)發(fā)的微型隔離器隔離專(zhuān)項(xiàng)技術(shù)。這些技術(shù)可為汽車(chē)應(yīng)用系統(tǒng)建立更可靠、更緊湊的系統(tǒng)。　　用于驅(qū)動(dòng)電動(dòng)和混合動(dòng)力汽車(chē)中的電機(jī)
關(guān)鍵字：瑞薩功率器件

未來(lái)十年GaN和SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將以18%的速度穩(wěn)增

　　在未來(lái)十年，受電源、光伏(PV)逆變器以及工業(yè)電動(dòng)機(jī)的需求驅(qū)動(dòng)，新興的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將以18%的驚人速度穩(wěn)步增長(zhǎng)。　　據(jù)有關(guān)報(bào)告稱(chēng)，至2022年SiC和GaN功率半導(dǎo)體的全球銷(xiāo)售額將從2012年的1.43億美元增加到28億美元。據(jù)預(yù)測(cè)，未來(lái)十年這一市場(chǎng)的銷(xiāo)售額將實(shí)現(xiàn)兩位數(shù)的年增長(zhǎng)率。　　SiC肖特基二極管已存在十多年，SiC金氧半場(chǎng)效晶體管(MOSFET)、結(jié)晶性場(chǎng)效應(yīng)晶體管(JFET)和雙極型晶體管(BJT)在最近幾年出現(xiàn)。GaN功率半導(dǎo)體則剛剛進(jìn)入市場(chǎng)。G
關(guān)鍵字： GaN 半導(dǎo)體 SiC

未來(lái)十年GaN和SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將以18%的速度穩(wěn)增

　　在未來(lái)十年，受電源、光伏(PV)逆變器以及工業(yè)電動(dòng)機(jī)的需求驅(qū)動(dòng)，新興的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將以18%的驚人速度穩(wěn)步增長(zhǎng)。　　據(jù)有關(guān)報(bào)告稱(chēng)，至2022年SiC和GaN功率半導(dǎo)體的全球銷(xiāo)售額將從2012年的1.43億美元增加到28億美元。據(jù)預(yù)測(cè)，未來(lái)十年這一市場(chǎng)的銷(xiāo)售額將實(shí)現(xiàn)兩位數(shù)的年增長(zhǎng)率。　　SiC肖特基二極管已存在十多年，SiC金氧半場(chǎng)效晶體管(MOSFET)、結(jié)晶性場(chǎng)效應(yīng)晶體管(JFET)和雙極型晶體管(BJT)在最近幾年出現(xiàn)。GaN功率半導(dǎo)體則剛剛進(jìn)入市場(chǎng)。G
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如何解決驅(qū)動(dòng)單元設(shè)計(jì)中的電磁兼容問(wèn)題

電磁干擾一般通過(guò)空間輻射和通過(guò)導(dǎo)線(xiàn)傳導(dǎo)，在工程領(lǐng)域一直是人們要解決的難題和研究熱點(diǎn)。驅(qū)動(dòng)單元作為大功率...
關(guān)鍵字：電磁兼容電磁干擾逆變功率器件

常用功率器件MOSFET的基礎(chǔ)知識(shí)介紹

常用功率器件MOSFET的基礎(chǔ)知識(shí)介紹,我們都懂得如何利用二極管來(lái)實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)，但是，我們只能對(duì)其進(jìn)行開(kāi)關(guān)操作，而不能逐漸控制信號(hào)流。此外，二極管作為開(kāi)關(guān)取決于信號(hào)流的方向;我們不能對(duì)其編程以通過(guò)或屏蔽一個(gè)
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三菱化學(xué)計(jì)劃擴(kuò)增LED用GaN基板產(chǎn)能

　　因照明用LED需求大增，三菱化學(xué)計(jì)劃在2014年初將LED用氮化鎵(GaN)基板產(chǎn)能擴(kuò)增至現(xiàn)行的2-3倍。　　目前，三菱化學(xué)利用水島事業(yè)所和筑波事業(yè)所生產(chǎn)的GaN基板，生產(chǎn)的產(chǎn)品直徑為2寸，月產(chǎn)能分別為1,000片、數(shù)百片。　　而為了要達(dá)到穩(wěn)定獲利的水平，有必要將產(chǎn)品尺寸擴(kuò)大至4-6寸，所以，三菱化學(xué)計(jì)劃借由調(diào)整水島事業(yè)所現(xiàn)有設(shè)備的制程，開(kāi)始生產(chǎn)直徑為4寸的GaN基板，月產(chǎn)能為200-300片，并計(jì)劃憑借新設(shè)生產(chǎn)設(shè)備或增設(shè)廠(chǎng)房等措施，開(kāi)始生產(chǎn)6寸GaN基板，將GaN基板產(chǎn)能擴(kuò)增至現(xiàn)行的2-3倍
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